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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1KIA79L05BP-AT--P输出类型:固定;输出极性:负;最大输入电压:35V;输出电压:5V;输出电流:150mA;下载KEC CORPORATION
2KNP2910A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,70...下载KIA
3KIA2906A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A...下载KIA
4KNP3508A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,35A;阈值...下载KIA
5KTD600K-Y-U--PH晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电...下载KEC CORPORATION
6KTB631K-Y-U--PH晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(...下载KEC CORPORATION
7KSA1381ESTU晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):7W;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8KND3203B类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A...下载KIA
9KTC4378晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;下载Rubycon Corporation
10KIA7042AF-RTF--P双线性集成电路,电压监控,检测电压为4.2V下载KEC CORPORATION
11KCGJ2502G101MF直插铝电解电容 插件,D18xL25mm 100µF ±20% 400V下载Ymin
12KRA101-AT--P晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;下载KEC CORPORATION
13KSP92BU晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14KTC1027-Y-AT--P晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载KEC CORPORATION
15KSP42BU晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16KL817S1-C-TU-F晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight
17KL817-A-F晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200...下载Kinglight
18KL817M-B-F晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight
19KL817-C-F晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight
20KL817S1-C-TU晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20...下载Kinglight