0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
序号器件名产品描述数据手册生厂商
1NSI45025AZT1G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
2NJV4031NT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
3NSI45035JZT1G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4NSI45030AZT1G45 V, 30 mA 10%, 1.4 W下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5NCV47701PDAJR2G输出类型:可调;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:5V~20V;输出电流:350mA;电源纹波抑制比(PSRR):70dB@(100Hz);下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6NCV47710PDAJR2G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7NCV4263-2CPD50R2G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8NCP1015ST65T3G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
9NCV8164AML150TCG输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:5.5V;输出电压:1.5V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):83dB;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10NCP81161MNTBG驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;电源电压:4.5V~13.2V;峰值灌电流:-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11NCP81166MNTBG下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
12N76E003AS208051 N76 微控制器 IC 8 位 16MHz 18KB(18K x 8) 闪存 20-SOP下载Nuvoton Technology Corporation
13NJVMJD3055T4G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):20uA;集电极-发射极饱和电...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14NTE619R-SI 600V 5A 50NS下载NTE Electronics, Inc
15NTE5117AZENER-5.6 V 5W下载NTE Electronics, Inc
16NCV7805BTIC REG LINEAR 5V 1A TO220AB下载ON Semiconductor
17NCEP1520类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):59mΩ@10V,10A...下载WUXI NCE POWER CO., Ltd.
18NCEP1580类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,...下载WUXI NCE POWER CO., Ltd.
19NCEP40T15A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.75mΩ@10V,...下载WUXI NCE POWER CO., Ltd.
20NCE30TD60B下载WUXI NCE POWER CO., Ltd.