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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1SCAXS14X31818YNPN无源晶振 14.31818MHz ±10ppm 16pF 50Ω HC-49S-SMD-2P-MiNi 表面贴装 -20℃~+70℃下载Sichuan SOURCE-SET Electronics Co., Ltd.
2SPZ1AM221E05O00RAXXX直插铝电解电容下载Aihua Group
3SLM2003ECA-DG驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;IGBT;是否隔离:非隔离;电源电压:10V~20V;峰值灌电流:-;峰值拉电流:-;特性:-;下载Sillumin
4STF-508V-02(000)下载JOINTLEAN
5STF-508-08(000)下载JOINTLEAN
6STF-508-06(206)702929101 PCB端子座;OQ-5.08-6P-90DW/F下载JOINTLEAN
7STC-508V-08(206)702676174 直PCB端子座;OQ-5.08-8P-180D下载JOINTLEAN
8STF-508V-14(206)704147398 PCB端子座;OQ5.08-14P-180D/W/F下载JOINTLEAN
9STF-508V-20(206)704252895 PCB端子座;OQ-5.08-20P-180/WF下载JOINTLEAN
10SL15N10A类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=89?C(A) 15 PD@TC=89?C(W) 34 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC=2...下载SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
11SVF5N60D类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.15Ω@10V,2....下载Silan
12SE30P50B类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A;下载SINO-IC
13SL4041类型:P;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@20V,6A;下载SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
14SBC817-40LT3G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15SMMBT3904LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16SM2312SRL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18.9mΩ@10V,6A...下载Sourcechips
17ST2300S23RG-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,6A;...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
18SBC817-25LT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19ST3401M23RG类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@10V,4A;下载STANSON
20SSM3K361R.LF类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载TOSHIBA CORPORATION