PBSS4350Z,135

厂商：
RUBYCON(红宝石)
封装：
SOT223-3
描述：
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@2A,2V;

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D087 PBSS4350Z 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet Supersedes data of 2003 Jan 20 2003 May 13 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA • Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL • High collector current capability: IC and ICM VCEO collector-emitter voltage 50 V ICM peak collector current 5 A RCEsat equivalent on-resistance

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