SOP8501

注 文コード No. N 8 0 0 7 SOP8501 SOP8501 特長 ・高耐圧である。(VCEO ≧400V) PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 高耐圧ドライバ用 ・hFE のリニアリティーが優れている。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 コレクタ・ベース電圧 コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 コレクタ電流 コレクタ電流（パルス） VCBO VCEO VEBO IC ICP PC コレクタ損失 PT 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg セラミック基板 (2000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板 (2000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 条件 PNP − 400 − 400 −5 −1 −2 1.3 1.6 150 NPN 400 400 5 0.2 0.4 unit V V V A A W W ℃ ℃ − 55 ∼＋ 150 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 [PNP] コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 利得帯域幅積 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 出力容量 ターンオン時間 蓄積時間 下降時間 ICBO IEBO hFE fT VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO Cob ton tstg tf VCB= − 300V, IE=0 VEB= − 4V, IC=0 VCE= − 10V, IC= − 100mA VCE= − 10V, IC= − 50mA IC= − 200mA, IB= − 20mA IC= − 200mA, IB= − 20mA IC= − 10µA, IE=0 IC= − 1mA, RBE=∞ IE= − 10µA, IC=0 VCB= − 30V, f=1MHz 指定測定回路において 指定測定回路において 指定測定回路において − 400 − 400 −5 12 0.25 3.0 0.3 40 50 − 1.0 − 1.0 − 1.0 − 1.0 200 MHz V V V V V pF µs µs µs 次ページへ続く。 µA µA 記号 条件 min 定格値 typ max unit 本 書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 （生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 D2004CB TS IM ◎川浦 TB-00000396 No.8007-1/5 SOP8501 前ページより続く。 項目 [NPN] コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 利得帯域幅積 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 エミッタ・ベース降伏電圧 出力容量 帰還容量 ターンオン時間 ターンオフ時間 外形図 unit : mm 2233 ICBO IEBO hFE fT VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO Cob Cre ton toff VCB=300V, IE=0 VEB=4V, IC=0 VCE=10V, IC=50mA VCE=30V, IC=10mA IC=50mA, IB=5mA IC=50mA, IB=5mA IC=10µA, IE=0 IC=1mA, RBE=∞ IE=10µA, IC=0 VCB=30V, f=1MHz VCB=30V, f=1MHz 指定測定回路において 指定測定回路において 電気的接続図 8 7 6 5 記号 条件 定格値 min typ max 1.0 1.0 60 70 0.6 1.0 400 400 5 4 3 0.25 5.0 200 unit µA µA MHz V V V V V pF pF µs µs 8 5 0.3 5.0 1.5 0.595 1.27 0.43 0.1 1.8max 1 4 0.2 1 : Emitter1 2 : Base1 3 : Emitter2 4 : Base2 5 : Collector2 6 : Collector2 7 : Collector1 8 : Collector1 SANYO : SOP8 1 : Emitter1 2 : Base1 3 : Emitter2 4 : Base2 5 : Collector2 6 : Collector2 7 : Collector1 8 : Collector1 Top view 4.4 6.0 1 2 3 4 スイッチングタイム測定回路図 (PNP) IB1 INPUT IB2 RB VR PW=20µs D.C.≦1% + 50Ω 100µF + 470µF OUTPUT RL INPUT (NPN) IB1 IB2 RB VR PW=20µs D.C.≦1% 50Ω + 100µF + 470µF OUTPUT RL VBE=5V VCC= --150V 10IB1= --10IB2= IC= --200mA IC=200mA時 RL=750Ω, RB=50Ω VBE= --1V VCC=150V 10IB1= --10IB2= IC=50mA IC=50mA時 RL=3kΩ, RB=200Ω No.8007-2/5 SOP8501 --1.0 IC -- VBE [PNP] VCE= --10V 120 IC -- VBE [NPN] VCE=10V --0.8 100 コレクタ電流, IC -- m A コレクタ電流, IC -- A 80 --0.6 25°C Ta=70°C 60 --0.4 Ta = 7 5°C --25°C 40 --0.2 20 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 0 25°C --30°C 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 3 2 ITR04587 hFE -- IC ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 5 3 2 ITR04446 [PNP] VCE= --10V hFE -- IC [NPN] VCE=10V 直流電流増幅率, hFE 7 5 3 2 直流電流増幅率, hFE 100 Ta=75°C 25°C --25°C Ta=70°C 25°C --30°C 100 7 5 3 2 10 7 5 3 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 10 7 5 コレクタ電流, IC -- mA 5 7--1000 2 3 ITR04589 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 3 2 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V VCE(sat) -- IC コレクタ電流, IC -- mA 5 3 2 ITR04448 [PNP] IC / IB=10 VCE(sat) -- IC [NPN] IC / IB=10 --1.0 7 1.0 7 5 3 2 5 3 2 25° C Ta = -25 --0.1 7 5 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 5 7 --1000 ITR04597 75°C °C 0.1 7 5 7 1.0 Ta=70°C 2 3 5 7 10 C, -25° 2 C 30° 3 5 7 100 2 ITR04450 コレクタ電流, IC -- mA ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V 2 IC / IB=10 ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V 3 VBE(sat) -- IC コレクタ電流, IC -- mA 7 5 [PNP] VBE(sat) -- IC [NPN] IC / IB=10 --1.0 7 5 3 2 Ta= --25°C 25°C 3 2 75°C 1.0 Ta= --30°C 7 5 25°C --0.1 7 5 3 5 7 --10 2 3 5 7--100 2 3 5 7--1000 2 3 mA ITR04599 70°C 3 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 コレクタ電流, IC -- コレクタ電流, IC -- mA ITR04452 No.8007-3/5 SOP8501 10 SW Time -- IC ts tg スイッチングタイム, SW Time -- µs スイッチングタイム, SW Time -- µs 7 5 3 2 [PNP] VCC= --150V 10IB1= --10IB2=IC 10 7 5 3 2 1.0 7 5 3 2 0.1 7 5 SW Time -- IC tst g [NPN] 1.0 7 5 3 2 tf to n tf to n 0.1 7 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 5 7--1000 2 3 VCC= --150V 10IB1= --10IB2=IC 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 コレクタ電流, IC -- mA 3 2 ITR04595 f T -- IC コレクタ電流, IC -- mA 3 2 ITR04454 [PNP] VCE=--10V Cob -- VCB [PNP] f=1MHz 利得帯域幅積, f T -- MHz 出力容量, Cob -- pF 3 5 7 2 3 5 7 --100 2 3 5 100 7 5 3 2 100 7 5 3 2 10 7 5 3 10 7 5 --10 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 コレクタ電流, IC -- mA 3 2 ITR04591 ASO コレクタ・ベース電圧, VCB -- V 7 5 3 7 --100 2 ITR04593 [PNP] m ASO [NPN] --1.0 コレクタ電流, IC -- A 7 5 3 2 ICP= --2A IC= --1A D C op 10 10 ICP=0.4A 500 10 s コレクタ電流, IC -- A 0m 2 0.1 7 5 3 2 0.01 7 5 3 2 IC=0.2A D C 10 m 500 1m s µs s 0m s µs s 1m s op er --0.1 at er io at 7 5 3 2 7 5 n io n --0.01 3 2 Tc=25°C 1パルス 2 --0.001 セラミック基板(2000mm ×0.8mm)装着時 1unit 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7--100 2 3 5 7 --0.1 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT07325 PC -- Ta [PNP / NPN] 1.6 1.4 1.3 0.001 0.1 Tc=25°C 1パルス セラミック基板(2000mm2×0.8mm)装着時 1unit 23 5 7 1.0 23 5 7 10 23 5 7 100 23 57 1.8 1.6 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V IT07326 [PNP / NPN] PT -- Ta セ セ コレクタ損失, PC -- W 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 ラ ミ 1.4 ラ ミ 全損失, PT -- W ッ ッ ク 基 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 ク 基 板 板 (2 00 (2 0m 00 m2 × 0m 0.8 m2 × m 0. m 8m )装 m 着 )装 時 着 1u 時 ni t 160 0.2 0 1u ni t 160 20 40 60 80 100 120 140 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C IT07327 周囲温度, Ta -- °C IT07328 No.8007-4/5 SOP8501 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8007-5/5