SIVBA60

シングルインライン型 Bridge Diode Single In-line Package ■外観図　OUTLINE S1VBA60 Unit : mm Weight : 1.1g （typ.） Package：1V 600V 1A 特長 品名 Type No. • 小型 SIP パッケージ • 高 IFSM 級表示（例） Class ロット記号（例） Date code 3.4 15.6 S1VBA60 75 Feature ＋ ① • Small-SIP • Large IFSM ∼ ∼ ② ③ 7.1 − ④ 12.2 ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”. ■定格表　RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified） 項  目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 非繰り返しせん頭サージ逆電圧 S1VBA60 Non-Repetitive Maximum Surge Reverse Voltage S1VBA60 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 記号 条 件 Symbol Conditions 品 名 Type No. S1VBA60 単位 Unit Tstg −40∼150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 600 V VRSM 700 V 1 A 50 A 10 A2s IO IFSM It 2 50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，Ta = 25℃ 50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate, Ta = 25℃ 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ １素子当たりの規格値 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， per diode ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified） 順電圧 Forward Voltage VF 逆電流 Reverse Current IR 熱抵抗 Thermal Resistance 54 （J534-1） θjl θja パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode IF = 0.5A, 接合部・リード間 Junction to Lead 接合部・周囲間 Junction to Ambient MAX 1.05 MAX 10 MAX 16 MAX 62 V μA ℃/W Small SIP Bridge S1VBA60 ■特性図　CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ 50Hz sine wave is used for measurements. ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 　Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ Semiconductor products generally have characterristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. （J534-1） 55