LD274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Sehr enger Abstrahlwinkel q GaAs-IR-LED, hergestellt im q q q q Features q Extremely narrow half angle q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Applications q IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten Typ Type LD 274 LD 274-21) LD 274-3 1) 1) tape recorders, dimmers, of various equipment Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: shorter solder lead, flat Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 fex06260 1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 5.7 5.1 Chip position 0.6 0.4 GEX06260 LD 274 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA ∆λ 55 nm ϕ ± 10 0.09 0.3 × 0.3 Grad mm2 mm A L×B L×W H tr, tf 4.9 ... 5.5 1 mm µs Semiconductor Group 2 1997-11-01 LD 274 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 25 Einheit Unit pF Co VF VF IR Φe 1.30 (≤ 1.5) 1.90 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) 15 V V µA mW TCI – 0.55 %/K TCV TCλ – 1.5 + 0.3 mV/K nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs 1) 1) Symbol Symbol LD 274 Ie min Ie max 50 – Wert Value LD 274-21) 50 100 LD 274-3 80 – Einheit Unit mW/sr mW/sr Ie typ. 350 600 800 mW/sr Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 3 1997-11-01 LD 274 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Radiant intensity 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 120 OHR00883 Ιe OHR01038 Ι rel Ι e (100 mA) Ι F mA 100 80 10 1 60 80 R thjA = 450 K/W 60 40 10 0 20 40 20 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -1 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 1 A OHR01041 Radiation characteristics, Irel = f (ϕ) 40 30 20 ϕ 10 0 1.0 OHR01882 50 0.8 10 0 typ. max. 60 0.6 70 10 -1 0.4 80 90 0.2 0 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC ≤ 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00860 Ι F mA 5 D = 0.005 0.01 tp D= tp T T ΙF 0.02 10 3 0.1 0.2 0.05 5 0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 4 1997-11-01