Q62702-P1051

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen bei Features q Especially suitable for applications of 880 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet lieferbar 880 nm q Short-switching time (typ. 20 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Applications q IR-remote control of hi-fi and TV sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb tape recorders, dimmers, remote control of various equipment q Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 225 FA (*SFH 225) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1051 Semiconductor Group 1 1998-04-20 feo06422 SFH 225 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 20 150 V mW Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Symbol Symbol Wert Value 34 (≥ 25) Einheit Unit µA S λS max λ 900 740 ... 1120 nm nm A L×B L×W H 4.84 2.20 × 2.20 mm2 mm × mm 0.6 ... 0.8 mm ϕ ± 60 Grad deg. Semiconductor Group 2 1998-04-20 SFH 225 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power V R = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Symbol Symbol Wert Value 2 (≤ 30) 0.63 0.90 330 (≥ 250) 17 20 Einheit Unit nA A/W Electrons Photon mV µA ns IR Sλ η VO ISC tr, tf VF C0 TCV TCI NEP 1.3 48 – 2.6 0.18 3.6 × 10– 14 V pF mV/K %/K W √Hz cm · √Hz W D* 6.1 × 1012 Semiconductor Group 3 1998-04-20 SFH 225 FA Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) 100 OHF01430 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) ΙP 10 3 µA OHF01056 Total power dissipation Ptot = f (TA) 10 4 mV Srel % 80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 600 800 1000 nm 1200 λ VO 10 3 160 mW Ptot 140 120 100 OHF00398 10 2 VO 10 1 10 2 80 60 ΙP 10 0 10 1 40 20 10 -1 10 0 10 1 10 2 µW/cm2 Ee 10 0 10 4 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current IR = f (VR), E = 0 4000 OHF00080 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 10 3 OHF00082 ΙR pA Ι R nA 10 2 3000 2000 10 1 1000 10 0 0 0 5 10 15 V VR 20 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 1.0 OHF01402 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1998-04-20