Q62702-P5098

CHIPLED LG Q971 Besondere Merkmale q q q q q q Gehäusebauform: 0603 Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe Bauteilhöhe für IR-Lötung geeignet für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar gegurtet (8-mm-Filmgurt) VEO06989 Features q q q q q q 0603 package Industry standard footprint low profile suitable for IR reflow soldering process for use as optical indicator and backlighting available taped on reel (8 mm tape) Typ Type Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area green colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA I V (mcd) ≥ 6.30 (15 typ.) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) 120 (typ.) Ordering Code LG Q971-KO Q62702-P5098 Semiconductor Group 1 1998-08-28 LG Q971 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current tp ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspanung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht / Umgebung Thermal resistance Junction / air Symbol Symbol Werte Values – 30 ... + 85 – 40 ... + 85 + 95 20 0.1 Einheit Unit °C °C °C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot Rth JA 5 55 800 V mW K/W Semiconductor Group 2 1998-08-28 LG Q971 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite Spectral bandwidth IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Symbol Symbol Werte Values 565 Einheit Unit nm λpeak λdom 570 nm ∆λ 28 nm 2ϕ 160 2.2 2.6 0.01 10 0.06 0.10 Grad deg. V V µA µA nm/K nm/K VF VF IR IR TCλ TCλ Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA Temperaturkoeffizient von ∆λ (IF = 20 mA) Temperature coefficient of ∆λ (IF = 20 mA) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Temperaturkoeffizient von IV, IF = 20 mA (typ.) Temperature coefficient of IV, IF = 20 mA (typ.) (typ.) (typ.) TCλ TCV TCIv 0.02 – 1.2 – 0.6 nm/K mV/K %/K Semiconductor Group 3 1998-08-28 LG Q971 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 1.0 Ι rel % 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 400 450 500 550 600 650 700 nm 750 OHL00406 Vλ λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL00408 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 4 1998-08-28 LG Q971 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C 10 2 OHL00427 Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C 10 1 ΙV Ι V (20 mA) 10 0 5 OHL00426 Ι F mA 10 1 10 0 10 -1 10 -1 5 10 -2 10 -2 5 10 -3 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 V 3.2 10 -3 -1 10 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 VF ΙF Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) 30 mA OHL00428 Ι F 25 20 15 10 5 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 C 100 TA Semiconductor Group 5 1998-08-28 LG Q971 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) (0.3) 0.8 ±0.05 0.8 ±0.05 0.3 ±0.05 Soldering terminal LED die Cathode mark 1.6 ±0.05 (1.08) 1.0 ±0.15 (1.2) (0.3) Soldering terminal Polarity (0.4) P.C. board Resin 0.3 ±0.15 GEO06989 Semiconductor Group 6 1998-08-28