Q62702-P835

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.84 2.24 SFH 405 2.7 2.5 2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405) 1.15 0.90 1) 0.5 0.4 Approx. weight 0.02 g GEO06137 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Strahlstärke q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 305 Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High radiant intensity q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 305 Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type SFH 405 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P835 Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive ciruits Gehäuse Package Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: bevelled leads Semiconductor Group 1 1997-11-01 feo06317 1) Detaching area for tools, flash not true to size. 3.5 3.0 0...5˚ 3.6 3.2 3.0 2.5 SFH 405 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 40 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 40 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 80 5 40 1.6 65 950 850 Einheit Unit °C °C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJL ∆λ 55 nm ϕ ± 16 0.25 0.5 × 0.5 1.3 ... 1.9 Grad deg. mm2 mm mm A L×B L×W H Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 405 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 40 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 40 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage IF = 40 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 40 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 40 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 40 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 40 mA Temperature coefficient of VF, IF = 40 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 40 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 40 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit µs tr, tf Co 40 pF VF IR 1.25 (≤ 1.4) 0.01 (≤ 1) V µA Φe 7 mW TCI – 0.55 %/K TCV TCλ – 1.5 0.3 mV/K nm/K Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 40 mA, tp = 20 ms Symbol Werte Values Einheit Unit Ie 2.5 (≥ 1.6) mW/sr Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 405 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHRD1938 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR01039 Single pulse, tp = 20 µs Ιe 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 50 OHR00672 Ι rel Ι e (100 mA) Ι F mA 40 80 10 1 60 30 40 20 10 0 R thJA = 950 K/W R thJL = 850 K/W 20 10 0 880 920 960 1000 λ nm 1060 10 -1 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA, TL Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A OHR01042 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter 10 1 OHR02183 ΙF ΙF A 10 0 typ. D = 0,005 0,01 0,02 10 0 0,05 0,1 0,2 τ D= τ T T ΙF max. 10 -1 10 -1 0,5 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 20 ϕ 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 τ 10 1 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 10 0 1.0 OHR01886 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 4 1997-11-01