SVF18N50F

SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 18A、500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF18N50F/T/PN/FJ 采用士兰微电子的 F-Cell TM N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及 很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  18A，500V，RDS(on)(典型值)=0.26@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品命名规则 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF18N50F TO-220F-3L SVF18N50F 无铅 料管 SVF18N50T TO-220-3L SVF18N50T 无铅 料管 SVF18N50PN TO-3P 18N50 无铅 料管 SVF18N50FJ TO-220FJ-3L SVF18N50FJ 无卤 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 1 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 参数范围 符 号 SVF18N50F/FJ 单位 SVF18N50T SVF18N50PN 漏源电压 VDS 500 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25°C 漏极电流 TC = 100°C 漏极脉冲电流 18 ID IDM 耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 11 PD 72.0 A 54 232 240 W 0.43 1.86 1.92 W/C EAS 1502 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 符 参数范围 号 单位 SVF18N50F/FJ SVF18N50T SVF18N50PN 芯片对管壳热阻 RθJC 2.31 0.54 0.52 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.5 50 C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 漏源击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 500 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=500V，VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=9.0A -- 0.26 0.31  输入电容 Ciss -- 2320 -- 输出电容 Coss -- 282 -- 反向传输电容 Crss -- 7.2 -- 开启延迟时间 td(on) -- 60 -- -- 131 -- -- 115 -- -- 75 -- -- 38 -- -- 12 -- -- 12 -- 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=250V，ID=18.0A，RG=25 (注 2，3) VDS=400V，ID=18.0A，VGS=10V (注 2，3) pF ns nC 版本号：2.1 共 10 页 第 2 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 18.0 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 72.0 源-漏二极管压降 VSD IS=18.0A，VGS=0V -- -- 1.3 V 反向恢复时间 Trr IS=18.0A，VGS=0V， -- 583 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 7.1 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=8.60A，VDD=140V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 3 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 4 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻 – RDS(ON)（标准化） 漏源击穿电压– BVDSS（标准化） 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 150 100 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=9.0A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 50 150 100 200 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域 (SVF18N50F/FJ) 102 0 图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N50T) 102 100µs 100µs 1ms 1ms 101 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 DC 100 101 102 100 此区域工作受限于RDS(ON) 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 10-2 103 10ms DC 100 101 漏源电压 - VDS(V) 图10. 最大漏电流vs. 壳温 图9-3. 最大安全工作区域(SVF18N50PN) 18 16 100µs 1ms 14 10ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 12 10 8 6 4 2 -2 10 103 漏源电压 - VDS(V) 102 100 102 0 100 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 103 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：2.1 共 10 页 第 5 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：2.1 共 10 页 第 6 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 封装外形图 TO-220F-3L 单位：毫米 TO-3P 单位：毫米 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 7 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 封装外形图（续） 单位：毫米 TO-220-3L 4.30 4.50 4.70 1.00 1.50 1.80 2.80 0.60 1.00 1.00 1.60 0.30 15.10 0.70 15.70 16.10 8.10 9.20 10.00 9.60 9.90 10.40 2.54BSC 6.10 12.60 2.60 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 7.00 13.08 13.60 3.20 版本号：2.1 共 10 页 第 8 页 SVF18N50F/T/PN/FJ 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SVF18N50F/T/PN/FJ 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 2.1 修改记录： 1. 增加 TO-220FJ-3L 封装信息 2. 根据李敏意见优化参数 版 本： 2.0 修改记录： 1. 版 修改 TO-220-3L 封装信息 本： 1.9 修改记录： 1. 版 修改 TO-220F-3L 封装信息 本： 1.8 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 1.7 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.6 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.5 修改记录： 1. 版 修改“典型特性曲线” 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改 Trr 和 Qrr 的值 本： 1.4 修改记录： 1. 版 修改“典型特性曲线” 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 TO-220-3L 封装 本： 1.1 修改记录： 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.1 共 10 页 第 9 页 文档类型：说明书 1. 版 修改“封装外形图” 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.0 共 10 页 第 10 页