SVF5N60D

SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 1 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 TO-252-2L 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 TO-251J-3L 特点 ∗ 5A，600V，RDS(on)= 1.88Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 1 2 1 3 TO-220F-3L 23 TO-220-3L 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF5N60T TO-220-3L SVF5N60T 无铅 料管 SVF5N60F TO-220F-3L SVF5N60F 无铅 料管 SVF5N60D TO-252-2L SVF5N60D 无铅 料管 SVF5N60DTR TO-252-2L SVF5N60D 无铅 编带 SVF5N60MJ TO-251J-3L SVF5N60MJ 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第1页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 参数范围 符号 SVF5N60T/D/MJ 单位 SVF5N60F 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V 漏极电流 TC=25°C TC=100°C 漏极浪涌电流 5 ID IDM 耗散功率（TC=25°C） 20 PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 3.1 A 120 40 W 0.96 0.32 W/°C EAS 242 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参数名称 符号 参数范围 SVF5N60T SVF5N60D SVF5N60MJ SVF5N60F 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.04 1.04 1.00 3.13 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 110 110 120 °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V， ID=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V，VGS=0V -- -- 10 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=2.5A -- 1.88 2.15 Ω 输入电容 Ciss -- 479.8 -- 输出电容 Coss -- 62.7 -- 反向传输电容 Crss -- 2.1 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=300V，ID=5.0A， -- 14.93 -- 开启上升时间 tr RG=25Ω -- 28.40 -- 关断延迟时间 td(off) -- 28.27 -- 关断下降时间 tf -- 21.73 -- 漏源击穿电压 B VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ (注 2，3) 栅极电荷量 Qg VDS=480V，ID=5.0A， -- 9.27 -- 栅极-源极电荷量 Qgs VGS=10V -- 2.79 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 3.37 -- 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn (注 2，3) 版本号：1.2 pF ns nC 2011.09.13 共10页 第2页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 源-漏二极管特性参数 参数名称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 5 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 20 源-漏二极管压降 VSD IS=5.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=5.0A，VGS=0V， -- 190 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs -- 0.53 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.78A，VDD=70V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第3页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型特性曲线 图1. 输出特性 图2. 传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 10 VGS=8V 1 VGS=10V VGS=15V 10 1 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.1 0.1 1 10 0.1 100 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流 VGS=10V VGS=20V 2.4 2.2 2.0 1.8 8 9 10 10 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 1 注：TJ=25°C 4 2 6 8 0.1 10 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 1.2 源漏电压 – VSD(V) 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 12 1200 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 800 600 Ciss Coss Crss 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 200 VDS=480V VDS=300V VDS=120V 10 栅源电压 – VGS(V) 1000 电容(pF) 7 -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 400 6 图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度 2.6 1.6 0 5 100 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω) 2.8 4 栅源电压 – VGS(V) 3.2 3.0 3 8 6 4 2 注：ID=5A 0 0.1 1 10 漏源电压 – VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 100 0 0 2 4 6 8 10 总栅极电荷 – Qg(nC) 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第4页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型特性曲线（续） 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第5页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 VGS 与待测器件 参数一致 50KΩ VDS 200nF 12V Qg 10V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V tp ID(t) VDD VDS(t) VDD tp 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn Time 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第6页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图 TO-220F-3L(1) 单位: mm TO-220F-3L(2) 单位: mm 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第7页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图（续） TO-252-2L 单位：mm 6.60±0.3 2.30±0.20 5.10～5.46 0.45～0.65 6.1±0.3 10.10±0.50 Eject pin（note1） 2.30 TYP 0.76±0.10 1.4～1.7 2.90REF 0.80±0.20 0.0～0.127 0.45～0.65 该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。 单位: mm TO-220-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第8页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 封装外形图（续） TO-251J-3L 声明： • • • 单位：mm 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第9页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 2011.02.11 1.0 原版 2011.07.04 1.1 增加TO-251J-3L封装 2011.09.13 1.2 更新TO-220-3L尺寸图 杭州士兰微电子股份有限公司 Http://www.silan.com.cn 述 页码 版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第10页