SVT088R0NT

SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 95A、75V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVT088R0NT N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的 1 导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 1.栅极 2.漏极 3.源极 特点  95A，75V，RDS(on)（典型值）=7.0m@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 1 23 TO-220-3L 产品规格分类 产 品 名 称 SVT088R0NT 封装形式 打印名称 环保等级 包 装 TO-220-3L 088R0NT 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参数名称 符号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 75 V 栅源电压 VGS ±25 V TC=25°C 漏极电流 TC=100°C 漏极脉冲电流 95 ID IDM 67 A 380 A 150 W 1.0 W/C EAS 421 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 耗散功率（TC=25C） -大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn PD 版本号：1.2 共7页 第1页 SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 热阻特性 参 数 名 称 符号 参数值 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 1.0 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V, ID=250µA 75 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=75V, VGS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=35A -- 7.0 8.0 m 输入电容 Ciss -- 4832 -- 输出电容 Coss -- 296 -- -- 213 -- -- 48 -- -- 98 -- -- 181 -- -- 135 -- -- 90 -- -- 27 -- -- 26 -- 漏源击穿电压 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 f=1MHz,VGS=0V,VDS=30V VDD=34V, VGS=10V, RG=24Ω, ID=95A (注 2,3) VDD=54V, VGS=10V, ID=95A (注 2,3) Qgd pF ns nC 源-漏二极管特性参数 参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 -- -- 95 源极脉冲电流 ISM P-N 结 -- -- 380 源-漏二极管压降 VSD IS=20A,VGS=0V -- -- 1.4 V Trr IS=47.5A,VGS=0V, -- 30 -- ns Qrr dIF/dt=100A/µs -- 0.03 -- µC 反向恢复时间 反向恢复电荷 单位 A 注： 1. L=1mH，IAS=29A，VDD=50V，RG=10，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共7页 第2页 SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图 2. 传输特性 图 1. 输出特性 300 VGS=4.0V VGS=4.5V VGS=5.0V VGS=5.5V VGS=7.0V VGS=8V VGS=10V 250 -55°C 25°C 150°C 100 200 漏电流 - ID (A) 漏电流 - ID (A) 1000 150 100 1 注： 50 10 1.250µS 脉冲测试 注： 1.VDS=50V 2.250µS 脉冲测试 2.Tc=25°C 0 0.1 0 1 2 3 4 5 6 0 2 4 漏-源电压 - VDS (V) 6 8 10 栅-源电压 - VGS (V) 图 4. 体二极管正向压降 vs. 源电流和温度 图 3. 导通电阻 vs. 漏电流 1000 12 10 100 反向漏电流 - IDR(A) 导通电阻 - RDS(ON) (mΩ) VGS=10V 8 6 -55°C 10 25°C 150°C 1.0 4 注： 1. VGS=0V 2. 250µS脉冲测试 注：Tc=25°C 2 0 20 40 60 80 0.1 100 0.2 0.4 0.6 Ciss 栅-源电压 - VGS(V) 电容 (pF) 100 10 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=短路) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 10 漏-源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn VDS=54V VDS=34V VDS=13.6V 10 Crss 1 1.4 12 Coss 1 0.1 1.2 图 6. 栅极电荷特性 图 5. 电容特性 1000 1.0 源-漏电压 - VSD (V) 漏电流 - ID (A) 10000 0.8 100 8 6 4 2 注： ID=95A 0 0 30 60 90 120 总栅极电荷 - QG (nC) 版本号：1.2 共7页 第3页 SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 典型特性曲线(续) 图 8. 导通电阻 vs. 温度特性 图 7. 击穿电压 vs. 温度特性 3.0 漏-源 导通电阻 (标准化) - RDS(ON) 漏-源 击穿电压 (标准化) – BVDSS 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250uA 0.8 -100 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 注： 1. VGS=10V 2. ID=35A 0.0 -50 0 50 150 100 200 结温 - TJ(°C) -100 -50 0 50 100 150 200 结温 - TJ(°C) 图 9. 最大安全工作区域 103 漏电流–ID (A) 0.1ms 102 1ms 10ms DC 101 最大结温：150°C 最大基准温度：25°C 100 10-1 100 101 102 漏-源电压 – VDS (V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共7页 第4页 SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Time 版本号：1.2 共7页 第5页 士兰微电子 SVT088R0NT 说明书 封装外形图 TO-220-3L 单位: 毫米 4.30 4.50 4.70 1.00 1.30 1.50 1.80 2.40 2.80 0.60 0.80 1.00 1.00 1.60 0.30 15.10 0.70 15.70 16.10 8.10 9.20 10.00 9.60 9.90 10.40 2.54BSC 6.10 6.50 7.00 12.60 13.08 13.60 3.40 3.70 3.95 2.60 3.90 3.20 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共7页 第6页 SVT088R0NT 说明书 士兰微电子 产品名称： SVT088R0NT 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.2 修改记录： 1. 版 更新 IDSS 测试条件 本： 1.1 修改记录： 1. 版 更新图 3 坐标 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.2 共7页 第7页