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创作活动
SMOS48N50D2

SMOS48N50D2

  • 厂商:

    SIRECTIFIER

  • 封装:

  • 描述:

    SMOS48N50D2 - Power MOSFETs - Sirectifier Semiconductors

  • 数据手册
  • 价格&库存
SMOS48N50D2 数据手册
SMOS44/48N50D2, SMOS44/48N50D3 Power MOSFETs Dimensions SOT-227(ISOTOP) Dim. A B C D E F G H J K L M N O P Q R S T U V W Millimeter Min. Max. 31.50 7.80 4.09 4.09 4.09 14.91 30.12 37.80 11.68 8.92 0.76 12.60 25.15 1.98 4.95 26.54 3.94 4.72 24.59 -0.05 3.30 0.780 31.88 8.20 4.29 4.29 4.29 15.11 30.30 38.20 12.22 9.60 0.84 12.85 25.42 2.13 5.97 26.90 4.42 4.85 25.07 0.1 4.57 0.830 Inches Min. Max. 1.240 0.307 0.161 0.161 0.161 0.587 1.186 1.489 0.460 0.351 0.030 0.496 0.990 0.078 0.195 1.045 0.155 0.186 0.968 -0.002 0.130 19.81 1.255 0.323 0.169 0.169 0.169 0.595 1.193 1.505 0.481 0.378 0.033 0.506 1.001 0.084 0.235 1.059 0.174 0.191 0.987 0.004 0.180 21.08 Symbol VDSS VDGR VGS HiPerFET MOSFET Test Conditions TJ=25 C to 150 C TJ=25 C to 150 C; RGS=1M Continuous Transient TC=25oC TC=25oC;pulse width limited by max. TJM TC=25oC Repetitive IS TJ IDM; -di/dt o o o o o Maximum Ratings 500 500 ±20 ±30 44N50 48N50 44N50 48N50 44 48 176 192 24 30 Unit V V A A A mJ V/ns W V A A W o VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PD VRRM 100A/us; VDD VDSS' 5 520 600 60 800 180 -40…+150 150 -40…+150 150 C; RG=2 TC=25oC TC=70 C; rectangular; d=0.5 tp
SMOS48N50D2 价格&库存

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