TXY8205A

TXY8205A Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE BVDSS ID RDS(ON) (Typ.) 器件型号 漏-源极电压 电流 导通电阻 (典型值) TXY8205A 20V 6A 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V FEATURES 特点 High density cell trench design for low RDS(ON) 高密度沟槽式单元超低导通电阻设计 Rugged and reliable 坚固可靠 Surface mount package 表面黏着包装形式 Lead Free available(Green Product) 无铅或绿色产品 PIN CONFIGURATION 管脚说明及内部电路图 ORDERING INFORMATION 订购信息 Device Package Packing 器件名称 封装形式 包装形式 TXY8205A TSSOP-8 Tape Reel www.tmos.com.tw 1 DS-Rev-1.4 TXY8205A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定值 (TA = 25 ℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit 符号 参数描述 最大限定值 单位 Drain-Source Voltage (VGS=0V ) VDSS 20 漏极-源极击穿电压 V Gate- source Voltage VGSS ±12 栅极-源极击穿电压 Drain Current (continuous) ID (a) at TC = 25℃ 6 连续漏极电流 at TC = 70℃ 4 A Drain Current (pulsed) IDM (b) 28 浪涌漏极电流 Power Dissipation Ptot 2.0 W - 55~150 ℃ 62.5 ℃ /W 功耗 Operating Junction and Storage Temperature Range Tj , Tstg 工作与储存温度 (a) Current limited by package 包装之电流极限 (b) Pulse test: Pulse width≦300us, duty cycle≦2% 脉冲测试：脉冲宽度≦300us，占空比≦2％ THERMAL DATA 热特性 Thermal Resistance – Junction to Ambient RθJA 结-环境热阻 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电器特性 (TA = 25 ℃ unless otherwise specified) OFF Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 ID = 250 uA , VGS = 0V 20 -- -- V VDS = 16V -- -- 1 uA VGS =±12V -- -- ±100 nA Drain-source Breakdown Voltage BVDSS 漏极-源极击穿电压 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 零栅电压漏极电流 Gate-Body Leakage Current IGSS www.tmos.com.tw 栅极泄漏电流 2 DS-Rev-1.4 TXY8205A ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电器特性 (continued) ON Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 0.5 0.7 1.2 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS , ID = 250uA 栅极阀值电压 Static Drain-source On Resistance RDS(on) VGS = 4.5V , ID= 6A -- 23 25 漏极-源极导通电阻 VGS = 2.5V , ID= 5A -- 34 40 mΩ DYNAMIC Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 -- 595 -- -- 140 -- -- 125 -- Input Capacitance Ciss 输入电容 Output Capacitance Coss VDS = 10V, f = 1 MHz , VGS=0V 输出电容 PF Reverse Transfer Capacitance Crss 反向传输电容 SWITCHING ON Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 -- 3.5 -- Turn-on Delay Time td ( on ) VDD=10V Rise Time tr 开启延迟时间 Rg=3Ω , VGS=4.5V , ID= 6A , ns -- 13.5 -- -- 21 -- -- 1.3 -- -- 上升时间 3.3 -- Total Gate Charge Qg 栅极总电荷 Gate-Source Charge Qgs VDD = 10V 栅极-源极电荷 ID =6 A VGS= 4.5V nc Gate-Drain Charge Qgd www.tmos.com.tw 栅极-漏极电荷 3 DS-Rev-1.4 TXY8205A ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电器特性 (continued) SWITCHING OFF Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 Turn-off Delay Time td (off) 32 VDD= 10V , Fall Time tf 关断延迟时间 Rg=3Ω , VGS=4.5V ID=6A , ns 6.6 下降时间 SOURCE DRAIN DIODE Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit 符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 6 A 1.2 V Continuous IS source-drain diode current 二极管源极-漏极连续电流 TC= 25℃ Forward On Voltage VSD www.tmos.com.tw 正向导通电压 ISD =1.0 A , VGS = 0V 4 0.78 DS-Rev-1.4 TXY8205A Typical Characteristics 典型特性曲线图 (TJ =25℃ Noted) www.tmos.com.tw 5 DS-Rev-1.4 TXY8205A Typical Characteristics 典型特性曲线图 (TJ =25℃ Noted) www.tmos.com.tw 6 DS-Rev-1.4 TXY8205A Typical Characteristics 典型特性曲线图 (TJ =25℃ Noted) www.tmos.com.tw 7 DS-Rev-1.4