2009-04-07
Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Version 1.0
BP 104 FS
Features:
Besondere Merkmale:
• Especially suitable for applications of 950 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density
• Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
Applications
Anwendungen
• Photointerrupters
• Remote control
• Lichtschranken
• Fernsteuerung
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Photocurrent
Ordering Code
Typ:
Fotostrom
Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V
IP [µA]
BP 104 FS
34 (≥ 25)
Q65110A2627
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Symbol
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
2009-04-07
Values
Unit
Symbol
Werte
Einheit
Top; Tstg
-40 ... 100
°C
VR
20
V
Ptot
150
mW
1
Version 1.0
BP 104 FS
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2, λ = 950 nm)
IP
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
34 (≥ 25)
µA
λS max
950
nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10%
800 ... 1100
nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
LxW
Half angle
Halbwinkel
ϕ
± 60
Dark current
Dunkelstrom
(VR = 10 V)
IR
2 (≤ 30)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 950 nm)
Sλ typ
0.7
A/W
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 950 nm)
η
0.91
Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm)
VO
330 (≥ 250)
mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm)
ISC
17
µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 μA)
tr, tf
0.02
µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, E = 0)
VF
1.3
V
2009-04-07
2
4.84
mm2
2.2 x 2.2
mm x
mm
°
nA
Version 1.0
BP 104 FS
Parameter
Symbol
Values
Unit
Bezeichnung
Symbol
Werte
Einheit
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C0
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von VO
TCV
-2.6
mV / K
Temperature coefficient of ISC
Temperaturkoeffizient von ISC
(λ = 950 nm)
TCI
0.1
%/K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(VR = 10 V, λ = 950 nm)
NEP
0.036
pW /
Hz½
Detection limit
Nachweisgrenze
D*
6.1e12
cm x
Hz½ / W
pF
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
IP (VR = 5 V) / VO = f(Ee)
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
OHF00368
100
48
ΙP
S rel %
80
OHF01056
10 3
μA
10 4
mV
VO
10 2
10 3
VO
60
10 1
10 2
40
ΙP
10 0
10 1
20
0
700
2009-04-07
800
900
1000
nm
λ
10 -1
10 0
1200
10 1
10 2
μW/cm2
Ee
3
10 0
10 4
Version 1.0
BP 104 FS
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(VR), E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
OHF00958
160
mW
Ptot
140
OHF00080
4000
ΙR
pA
3000
120
100
2000
80
60
40
1000
20
0
0
20
40
60
0
80 ˚C 100
TA
0
5
10
15
V
VR
20
Capacitance
Kapazität
C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(VR), E = 0
OHF02284
10 2
OHF01778
60
C
nA
ΙR
pF
50
10 1
40
30
10 0
20
10
10 -1
0
2
4
6
0 -2
10
8 10 12 14 16 V 20
VR
2009-04-07
4
10 -1
10 0
10 1 V 10 2
VR
Version 1.0
BP 104 FS
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0
OHF00082
10 3
Ι R nA
10 2
10 1
10 0
10 -1
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
OHF01402
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
2009-04-07
1.0
0.8
0.6
0.4
0
5
20
40
60
80
100
120
Version 1.0
BP 104 FS
Chip position
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
6.7 (0.264)
6.2 (0.244)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
0...5
˚
0.2 (0.008)
0.1 (0.004)
0.3 (0.012)
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
0...0.1
(0...0.004)
Package Outline
Maßzeichnung
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
1.6 (0.063) ±0.2 (0.008)
Photosensitive area
Cathode lead
2.20 (0.087) x 2.20 (0.087)
GEOY6861
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Package
2009-04-07
SMT DIL, Epoxy
6
Version 1.0
BP 104 FS
Gehäuse
SMT DIL, Harz
Method of Taping
Gurtung
0.8 (0.031)
4.1 (0.161)
6.9 (0.272)
12 (0.472)
2 (0.079)
5.5 (0.217)
4 (0.157)
1.5 (0.059)
1.75 (0.069)
Cathode/Collector Side
OHAY2287
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
2009-04-07
7
Version 1.0
BP 104 FS
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
Preconditioning: JEDEC Level 1 acc. to JEDEC J-STD-020D.01
OHA04525
300
˚C
T 250
Tp 245 ˚C
240 ˚C
tP
217 ˚C
200
tL
150
tS
100
50
25 ˚C
0
0
50
100
150
200
s 300
250
t
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Symbol
Symbol
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum
Ramp-up rate to preheat*)
25 °C to 150 °C
Time tS
TSmin to TSmax
tS
60
Ramp-up rate to peak*)
TSmax to TP
Recommendation
Maximum
2
3
100
120
2
3
Unit
Einheit
K/s
s
K/s
Liquidus temperature
TL
217
Time above liquidus temperature
tL
80
100
s
Peak temperature
TP
245
260
°C
Time within 5 °C of the specified peak
temperature TP - 5 K
tP
20
30
s
3
6
K/s
10
Ramp-down rate*
TP to 100 °C
480
Time
25 °C to TP
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
2009-04-07
°C
8
s
Version 1.0
BP 104 FS
Disclaimer
Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
2009-04-07
9
Version 1.0
BP 104 FS
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
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2009-04-07
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