BPW34FSR-Z

2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 20 ns) • DIL plastic package with high packing density • Suitable for reflow soldering • Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von 780 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte • Geeignet für Reflow Löten Applications Anwendungen • Automotive (eg rain sensor, headset) • IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment • Photointerrupters • Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset) • IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen • Lichtschranken Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Typ: Fotostrom Ordering Code Bestellnummer 2 λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm , VR = 5 V IP [µA] BPW 34 FSR 2014-01-09 50 (≥ 40) Q65110A2740 1 Version 1.1 BPW 34 FSR Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 16 V Reverse voltage Sperrspannung (t < 2 min) VR 32 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee=1 mW/cm2) IP Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit 50 (≥ 40) µA λS max 950 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 780 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche A Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche LxW Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V) IR 2 (≤ 30) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 950 nm) Sλ typ 2014-01-09 2 7.02 mm2 2.65 x 2.65 mm x mm 0.7 ° nA A/W Version 1.1 BPW 34 FSR Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 950 nm) η 0.91 Electro ns /Photon Open-circuit voltage Leerlaufspannung (Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm) VO 330 (≥ 275) mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm) ISC 25 µA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm, IP = 800 µA) tr, tf 0.02 µs Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, E = 0) VF 1.3 V Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) C0 72 pF Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (λ = 950 nm) TCI 0.18 %/K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (VR = 10 V, λ = 950 nm) NEP 0.036 pW / Hz½ Detection limit Nachweisgrenze (VR = 10 V, λ = 950 nm) D* 7.3e12 cm x Hz½ / W 2014-01-09 3 Version 1.1 BPW 34 FSR Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung IP (VR = 5 V) / VO = f(Ee) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f(λ) OHF00368 100 OHF01097 10 3 S rel % ΙP μA 10 4 mV 10 2 10 3 VO 80 VO 60 10 1 10 2 ΙP 40 10 0 10 1 20 0 700 800 900 1000 nm λ 10 -1 0 10 1200 10 1 μW/cm 2 10 2 10 0 10 4 Ee Dark Current Dunkelstrom IR = f(VR), E = 0 Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) OHF00958 160 mW Ptot 140 OHF00080 4000 ΙR pA 3000 120 100 2000 80 60 40 1000 20 0 2014-01-09 0 20 40 60 0 80 ˚C 100 TA 4 0 5 10 15 V VR 20 Version 1.1 BPW 34 FSR Dark Current Dunkelstrom IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0 Capacitance Kapazität C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF00081 100 C OHF00082 10 3 Ι R nA pF 80 10 2 70 60 10 1 50 40 30 10 0 20 10 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 10 -1 V 10 2 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA VR Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 2014-01-09 1.0 0.8 0.6 0.4 0 5 20 40 60 80 100 120 Version 1.1 BPW 34 FSR Package Outline Maßzeichnung 6.7 (0.264) 6.2 (0.244) 1.7 (0.067) 1.5 (0.059) 4.0 (0.157) 3.7 (0.146) 1.8 (0.071) ±0.2 (0.008) 0.9 (0.035) 0.7 (0.028) 4.5 (0.177) 4.3 (0.169) 0...5 ˚ 0.2 (0.008) 0.1 (0.004) 1.1 (0.043) 0.9 (0.035) 0.3 (0.012) 1.2 (0.047) 1.1 (0.043) 0...0.1 (0...0.004) Chip position Photosensitive area Cathode lead 2.65 (0.104) x 2.65 (0.104) GEOY6916 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package SMT DIL, Epoxy Gehäuse SMT DIL, Harz 2014-01-09 6 Version 1.1 BPW 34 FSR Method of Taping Gurtung 4.2 (0.165) 6.9 (0.272) 12 (0.472) 2 (0.079) 5.5 (0.217) 4 (0.157) 1.5 (0.059) 1.75 (0.069) Cathode/Collector Side OHAY6684 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-09 7 Version 1.1 BPW 34 FSR Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 ˚C T 250 Tp 245 ˚C 240 ˚C tP 217 ˚C 200 tL 150 tS 100 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 s 300 250 t OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up rate to preheat*) 25 °C to 150 °C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 °C Time within 5 °C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 °C 480 Time 25 °C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2014-01-09 °C 8 s Version 1.1 BPW 34 FSR Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-09 9 Version 1.1 BPW 34 FSR Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2014-01-09 10