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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302(文件编号：S&CIC0799) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP 1 特点   G D 高级的加工技术 极低的导通电阻高密度的单元设计 SOT-23 S D 内部结构示意图 Drain Gate Source 最大额定值和热特性 (TA=25℃，除非另有说明) 参数 符号 C 值 漏源电压 VDS 20 栅源电压 VGS ±8 漏极电流 ID 2.3 漏极脉冲电流 IDM 8 TA=25℃ PD 最大功耗 TA=75℃ 工作结温和存储温度范围 结环热阻（PCB 安装） 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 0.8 V A W TJ, Tstg -55 to 150 ℃ RθJA 140 ℃/W B 第 1 页 共 2 页 1.25 单位 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. 2302(文件编号：S&CIC0799) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 电特性 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 BVDSS VGS = 0V, ID = 250uA 20 -- -- V VGS = 4.5V, ID = 2.8A -- 40.0 60.0 VGS = 2.5V, ID = 2.0A -- 50.0 115.0 VGS = 1.8V, ID = 2.0A -- 80.0 130.0 VGS(th) VDS = VGS, ID = 250uA 0.6 -- 1.2 V 栅源短路时，漏极电流 IDSS VDS = 20V, VGS = 0V -- -- 1 uA 漏极短路时截止栅电流 IGSS VGS = ±8V, IDS=0uA -- -- ±100 nA -- 4.5 5.85 -- 0.83 1.08 -- 1.18 1.53 -- 11.24 22.48 -- 3.48 6.96 -- 19.64 39.28 -- 4.4 8.8 -- 456.41 -- -- 86.81 -- -- 58.89 -- -- 1.6 A -- 1.2 V 静电 漏源击穿电压 RDS(on) 漏源电阻 栅极阈值电压 mΩ 动态 总栅极电荷 Qg 栅源电荷 Qgs 栅漏电荷 Qgd 延迟时间（On） td(on) 上升时间（On） tr 延迟时间（Off） td(off) 下降时间（Off） tf 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss VDS = 10V, ID = 3.6A VGS = 4.5V VDD = 15V, RL = 5.5Ω ID = 1A, VGEN = 4.5V RG = 6Ω VDS = 10V, VGS = 0V f=1.0MHz nC ns pF 漏源二极管 2 3 IS 二极管最大正向电流 VSD 二极管正向电压 -- -- IS = 1.6A, VGS = 0V -- 4 注：脉冲测试：脉冲宽度