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2SD718

2SD718

  • 厂商:

    SPTECH(质超)

  • 封装:

    TO3PN

  • 描述:

    硅NPN功率晶体管

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SD718 数据手册
SPTECH Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 120V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SB688 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier applications ·Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 8 A IB Base Current-Continuous 0.8 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 80 W TJ Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range 2SD718 SPTECH Product Specification 2SD718 SPTECH Silicon NPN Power Transistor ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; IB= 0 VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5.0A; IB= 0.5A 2.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 5A ; VCE= 5V 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 120V ; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 10 μA hFE DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 5V COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V;ftest= 1.0MHz 170 pF Current-Gain—Bandwidth Product IC= 1A; VCE= 5V;ftest= 1.0MHz 12 MHz fT  hFE Classifications R O 55-110 80-160 SPTECH website:www.superic-tech.com CONDITIONS MIN TYP. MAX 120 UNIT V 55 160
2SD718
物料型号:2SD718 器件简介:SPTECH Silicon NPN Power Transistor,具有120V的最小集电极-发射极击穿电压,hFE具有良好的线性,是2SB688型号的互补类型。 引脚分配:1.Base(基极),2.Collector(集电极),3.Emitter(发射极),封装为TO-3PN。 参数特性:包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极连续电流、基极连续电流、集电极功耗、结温、存储温度范围等。 功能详解:适用于音频频率功率放大应用,特别推荐用于45-50W音频频率放大器输出阶段。 封装信息:提供了详细的尺寸参数,包括最小值和最大值。 电气特性:在25摄氏度下,除非另有说明,包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、输出电容、电流增益-带宽积等参数。
2SD718 价格&库存

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