物料型号:2SD718
器件简介:SPTECH Silicon NPN Power Transistor,具有120V的最小集电极-发射极击穿电压,hFE具有良好的线性,是2SB688型号的互补类型。
引脚分配:1.Base(基极),2.Collector(集电极),3.Emitter(发射极),封装为TO-3PN。
参数特性:包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极连续电流、基极连续电流、集电极功耗、结温、存储温度范围等。
功能详解:适用于音频频率功率放大应用,特别推荐用于45-50W音频频率放大器输出阶段。
封装信息:提供了详细的尺寸参数,包括最小值和最大值。
电气特性:在25摄氏度下,除非另有说明,包括集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极导通电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、输出电容、电流增益-带宽积等参数。