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BZT52B10

BZT52B10

  • 厂商:

    JSMSEMI(杰盛微)

  • 封装:

    SOD523(SC-79)

  • 描述:

    齐纳/稳压二极管 SOD-523 0.9V Original 7V 160Ω 0.1µA 200mW

  • 数据手册
  • 价格&库存
BZT52B10 数据手册
BZX584C2V0~BZX584C75 584C75 SILICON PLANAR ZENER DIODES PINNING DESCRIPTION PIN Features Standard Zener Breakdown Voltage Range 2.0 V to 75 V Steady State Power Rating of 200 mW 1 Cathode 2 Anode 2 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Total Device Dissipaton Ptot Tj , Tstg Value Unit 200 mW - 65 to + 150 uc Junction and Storage Temperature Range SOD-523 to r Top View Characteristics at Ta = 25 OC Parameter nd Symbol Forward Voltage at IF = 10 mA Max. Unit 0.9 V mi co VF C O PACKAGE : ALL ROUND SOD-523 HE D A bp E JS MI CR O C A Se ∠ www.jsmsemi.com 第1/2页 BZX584C2V0~BZX84C75 584C75 SILICON PLANAR ZENER DIODES Zener Voltage 1) Type Marking Code VZT (V) Min. Zener Impedance Leakage Current at lZT ZZT ZZK Ω Ω mA µA V Nom. Max. mA at IZK IR at VR RD 1.8 2.0 2.15 5 100 - - 120 0.5 BZX584C2V2 RE 2.08 2.2 2.33 5 100 - - 120 0.7 BZX584C2V4 Z7 2.2 2.4 2.6 5 100 1000 1 120 1 BZX584C2V7 A8 2.5 2.7 2.9 5 100 1000 1 120 1 BZX584C3V0 B8 2.8 3.0 3.2 5 100 1000 1 50 1 BZX584C3V3 C8 3.1 3.3 3.5 5 95 1000 1 20 1 BZX584C3V6 D8/O6 3.4 3.6 3.8 5 90 1000 1 10 1 BZX584C3V9 E8 3.7 3.9 4.1 5 90 1000 1 5 1 to r BZX584C2V0 F8 4 4.3 4.6 5 90 1000 1 5 1 BZX584C4V7 G8 4.4 4.7 5 5 80 800 1 2 1 BZX584C5V1 H8 4.8 5.1 5.4 5 60 500 1 2 1.5 BZX584C5V6 I8 5.2 5.6 6 5 40 200 1 1 2.5 BZX584C6V2 J8 5.8 6.2 6.6 5 10 BZX584C6V8 K8 6.4 6.8 7.2 5 15 7 7.5 7.9 5 M8 7.7 8.2 8.7 5 BZX584C9V1 N8/OK 8.5 9.1 9.6 5 O8 9.4 10 10.6 BZX584C11 P8 10.4 11 11.6 BZX584C12 Q8 11.4 12 12.7 BZX584C13 R8 12.4 13.25 BZX584C15 S8 14.3 15 BZX584C16 T8 15.3 16.2 BZX584C18 U8 16.8 18 BZX584C20 V8 18.8 BZX584C22 W8 20.8 BZX584C24 X8 BZX584C27 Y8 Z8 BZX584C33 A9 BZX584C36 B9 3 0.5 3.5 15 160 1 0.5 4 15 160 1 0.5 5 160 1 0.5 6 20 160 1 0.1 7 5 20 160 1 0.1 8 5 25 80 1 0.1 9 14.1 5 30 80 1 0.1 10 15.8 5 30 80 1 0.1 11 17.1 2 40 80 1 0.1 12 19.1 2 45 80 1 0.1 13 20 21.2 2 55 100 1 0.1 15 22 23.3 2 55 100 1 0.1 17 22.8 24.2 25.6 2 70 120 1 0.1 19 25.1 27 28.9 2 80 300 1 0.1 21 mi co 15 28 30 32 2 80 300 1 0.1 23 31 33 35 2 80 300 1 0.1 25 34 36 38 2 90 500 1 0.1 27 JS MI BZX584C30 1 1 5 CR O BZX584C10 1 160 nd L8 BZX584C8V2 100 Se BZX584C7V5 uc BZX584C4V3 BZX584C39 C9 37 39 41 2 130 500 1 2 30 BZX584C43 D9/Y15/21 40 43 46 1 150 500 1 2 33 BZX584C47 E9 44 47 50 1 170 500 1 2 36 BZX584C51 F9 48 51 54 1 180 500 1 1 39 BZX584C56 G9 52 56 60 1 200 500 1 1 43 BZX584C62 H9 58 62 66 1 215 500 1 0.2 47 BZX584C68 I9 64 68 72 1 240 500 1 0.2 52 BZX584C75 J9 70 75 79 1 255 500 1 0.2 57 1) Tested with pulses tp = 20 ms. www.jsmsemi.com 第2/2页
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