物料型号:BZT55C2V4 - BZT55C75,由台湾半导体公司生产。
器件简介:这些是500mW,5%容差齐纳二极管,具有广泛的齐纳电压范围选择(2.4V至75V),符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC。
引脚分配:文档中未明确提供引脚分配信息,但根据封装类型Quadro Mini-MELF (LS34),可以推断出其为单向引脚配置。
参数特性:
- 齐纳电压(Vz):2.4V至75V
- 功率耗散(PD):500mW
- 齐纳电压容差:±5%
- 最大结温(T Max.):175°C
- 封装类型:Quadro Mini-MELF (LS34)
- 配置:单片
功能详解:这些齐纳二极管适用于低电压稳定器或电压参考、适配器、照明应用和板上DC/DC转换器。
应用信息:文档中提到了几种应用场景,包括低电压稳定器、电压参考、适配器、照明应用和板上DC/DC转换器。
封装信息:封装类型为Quadro Mini-MELF (LS34),引脚为无光泽锡镀层,可按J-STD-002标准焊接。极性通过阴极带指示。重量为29 ± 2.5mg。
绝对最大额定值和热性能数据也在文档中给出,包括正向电压、功率耗散、结温范围和存储温度范围,以及结到环境的热阻。
电气规格和特性曲线提供了不同型号的详细电气参数,包括齐纳电压、正向电压、最大齐纳阻抗、测试电流、漏电流等。
订购信息提供了不同电压等级和封装类型的订购代码,以及包装信息。