PC817C-Fe-DL

PC817X 四脚光电耦合器，晶体管输出 概述 PC817X是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式（DIP、DIP-M、 SMD）。 特性    电流转换比(CTR)范围: 80%~600% ( IF=5mA, VCE=5V ) 输入-输出隔离电压 (Viso=5000 V rms ) 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V 应用     2 开关电源，智能电表 工业控制，测量仪器 办公设备，比如复印机 家用电器，比如空调、风扇、热水器等 DIP -4 3 4 2 DIP -4(M) 3 结构原理图和封装 1 4 2 4 S MD-4 4 3 3 2 极限参数(Ta=25C) 输入 输出 总功耗 隔离电压 工作温度 存储温度 焊接温度 V02 参数 正向电流 反向电压 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 100°C 以上) 热阻(结-环境) 热阻(结-壳) 集电极功耗 集电极电流 集电极-发射极电压 发射极-集电极电压 符号 IF VR PD PDD RthJ-A RthJ-C PC IC VCEO VECO Ptot Viso Topr Tstg Tsol www.microne.com.cn 额定值 50 6 70 2.9 325 200 150 50 80 6 200 5000 -55~+110 -55~+125 260 单位 mA V mW mW/°C °C/W °C/W mW mA V V mW Vrms °C °C °C Page 1 of 8 PC817X 四脚光电耦合器，晶体管输出 光电特性 (Ta=25C) 参数 输 入 符号 条件 最小 典型 最大 单位 正向电压 VF IF=20mA - 1.2 1.4 V 反向电流 IR VR=4V - - 10 µA 终端电容 Ct V=0,f=1kHz - 30 250 pF ICEO VCE=20V - - 100 nA 集电极-发射极击穿电压 BVCEO IC=0.1mA, IF=0 80 - - V 发射极-集电极击穿电压 BVECO IE=10µA, IF=0 6 - - V CTR IF=5mA ,VCE=5V 80 - 600 % VCE(sat) IF=20mA,IC=1mA - 0.1 0.2 V 隔离电阻 RISO DC500V,40~60%R.H. 5x1010 1x1011 - Ω 隔离电容 Cf V=0, f=1MHz - 0.6 1.0 pF 截止频率 Fc - 80 - kHz 上升时间 Tr - 4 18 µs 下降时间 Tf - 3 18 µs 集电极暗电流 输 出 电流转换比 集电极-发射极饱和压降 传 输 特 性 VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB VCE=2V, IC=2mA,RL=100Ω VCE=2V, IC=2mA,RL=100Ω * CTR=IC/IFx 100% CTR 分档表 分档 CTR V02 A 80~160 B 130~260 C 200~400 D 300~600 www.microne.com.cn L 80~100 Q 100~200 80~600 Page 2 of 8 PC817X 四脚光电耦合器，晶体管输出 印字 ●印字中的“X”代表产品分档：B、C 或 D ●印字中“Y”代表年份；A(2018),B(2019),C(2020)…. ●印字中“WW”代表星期 ●印字中“N”代表星期几 ●印字中的“H”代表无卤：而当产品有卤/无铅时，此处空白 客户订单型号命名规则 PC817X-ZV-WY X = CTR 分档（A 或 B 或 C 或 D 或 L 或 Q） ZV = 框架（Cu=铜，Fe=铁） W = 封装形式（D=DIP，S=SMD，M=DIP M 型） Y = 树脂（H=无卤，L=有卤/无铅） 例如： 订单型号 PC817B-Fe-DL PC817C-Cu-SH PC817D-Cu-MH V02 描述 B 档铁框架 DIP 有卤/无铅 C 档铜框架 SMD 无卤 D 档铜框架 M 型无卤 www.microne.com.cn 印字 PC817B PC817C PC817D Page 3 of 8 PC817X 四脚光电耦合器，晶体管输出 典型光电特性曲线 Fig.2 电流转换比 vs 正向电流曲线图 200 Fig.1 正向峰值电流 vs 占空比曲线图 10 000 160 Pu lse w id th