EG2126

ELECTRONIC GIANT EG2126 芯片用户手册 两路半桥驱动电路芯片 2017 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0 屹晶微电子有限公司 EG2126 芯片数据手册 V1.0 两路半桥驱动电路芯片 版本变更记录 版本号 日期 描述 V1.0 2017 年 08 月 10 日 EG2126 数据手册初稿 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/1 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 目 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 录 特性 ....................................................................................................................................................... 1 描述 ....................................................................................................................................................... 1 应用领域 ................................................................................................................................................ 1 引脚 ....................................................................................................................................................... 2 4.1 引脚定义 ....................................................................................................................................... 2 4.2 引脚描述 ....................................................................................................................................... 3 结构框图 ................................................................................................................................................ 4 典型应用电路......................................................................................................................................... 5 电气特性 ................................................................................................................................................ 6 7.1 极限参数 ....................................................................................................................................... 6 7.2 典型参数 ....................................................................................................................................... 6 7.3 开关时间特性及死区时间波形图 .................................................................................................. 8 应用设计 ................................................................................................................................................ 8 8.1 VDD 端电源电压........................................................................................................................... 8 8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 ........................................................................................... 8 封装尺寸 .............................................................................................................................................. 10 9.1 SOP28L 封装尺寸 ...................................................................................................................... 10 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/1 屹晶微电子有限公司 EG2126 芯片数据手册 V1.0 两路半桥驱动电路芯片 EG2126 芯片数据手册 V1.0 1. 特性 ◼ ◼ ◼ ◼ ◼ ◼ ◼ ◼ 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 集成两路半桥驱动 内置 5V 电源输出 内置三个端口的运放 内置三个端口的比较器 适应 5V、3.3V 输入电压 最高频率支持 500KHZ 低端 VCC 电压范围 2.8V-20V ◼ ◼ ◼ ◼ 输出电流能力 IO +2.0A/-2.0A 内建死区控制电路 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通 HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出 ◼ ◼ LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出 封装形式：SOP28L 2. 描述 EG2126 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 5V 的 LDO、一 个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电 路及输出驱动电路，更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126 高端的工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V～20V。该芯片具有闭锁功能防 止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处 于关闭状态,输出电流能力 IO +2.0A/-2.0A，采用 SOP28L 封装。 3. 应用领域 ◼ ◼ ◼ ◼ 全桥拓扑电源 变频水泵控制器 电动车控制器 无刷电机驱动器 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 1/10 屹晶微电子有限公司 EG2126 芯片数据手册 V1.0 两路半桥驱动电路芯片 4. 引脚 4.1 引脚定义 SD 1 28 VB1 HIN1 2 27 HO1 LIN1 3 26 VS1 HIN2 4 25 LIN2 5 24 VB2 AGND 6 23 HO2 AVDD 7 22 VS2 VDD5 8 AMPO 9 20 PVDD INN1 10 19 LO1 INP1 11 18 PGND INP2 12 17 PGND INN2 13 16 LO2 COMPO 14 15 PVDD EG2126 21 图 4-1. EG2126 管脚定义 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 2/10 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 4.2 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 1 SD I 逻辑输入，高电平关闭两路 HO1、 LO1 和 HO2、LO2 的输出 I 逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率 MOS 管的导通与截 止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管 I 逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率 MOS 管的导通与截 止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管 I 逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率 MOS 管的导通与截 止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管 2 3 4 HIN1 LIN1 HIN2 描述 5 LIN2 I 逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率 MOS 管的导通与截 止 “0”是关闭功率 MOS 管 “1”是开启功率 MOS 管 6 AGND - 芯片的模拟地端 7 AVDD Power 8 VDD5 O 5V 输出，外接一个 1uF 电容 9 AMPO O 运放输出端口 10 INN1 I 运放负端输入 11 INP1 I 运放正端输入 12 INP2 I 比较器正端输入 13 INN2 I 比较器负端输入 14 COMPO O 比较器输出端口 15 PVDD Power 16 LO2 O 输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止 17 PGND - 芯片功率地 18 PGND - 芯片功率地 19 LO1 O 输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止 20 PVDD Power 22 VS2 O 高端悬浮地端 23 HO2 O 输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止 24 VB2 Power 26 VS1 27 HO1 O 28 VB1 Power O 模拟电源 功率电源 功率电源 高端悬浮电源 高端悬浮地端 输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止 高端悬浮电源 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 3/10 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 5. 结构框图 28 VB1 HIN1 2 电 平 位 移 逻辑输入 脉 冲 滤 波 驱 动 27 HO1 350K 26 VS1 闭锁电路、 死区时间电路 LIN1 3 20 PVDD 逻辑输入 350K 驱 动 19 LO1 18 PGND SD 1 24 VB2 HIN2 4 电 平 位 移 逻辑输入 脉 冲 滤 波 驱 动 350K LIN2 5 22 VS2 闭锁电路、 死区时间电路 逻辑输入 23 HO2 15 PVDD 350K AGND 6 AVDD 7 驱 动 16 LO LDO 17 PGND VDD5 8 AMPO 9 14 COMPO 13 INN2 INN1 10 运放 比较器 12 INP2 INP1 11 图 5-1. EG2126 内部电路图 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4/10 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 6. 典型应用电路 12V +600V D5 FR107 D6 FR107 SD 1 28 HIN1 LIN2 AGND AVDD C5 1uF VDD5 C1 1uF AMPO 2 27 3 26 4 25 5 24 VS1 6 23 7 22 8 EG2126 INP1 INP2 INN2 COMPO R1 Q1 C2 10uF out1 VB2 D3 1N4148 HO2 VS2 R3 Q3 C3 10uF 21 PVDD 9 INN1 D1 1N4148 HO1 LIN1 HIN2 VB1 20 LO1 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 C4 1uF out2 D2 1N4148 PGND R2 Q2 PGND D4 1N4148 LO2 PVDD R4 Q4 C5 1uF 图 6-1. EG2126 典型应用电路图 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 5/10 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 7. 电气特性 7.1 极限参数 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 自举高端 VB 电源 VB1、VB2 - -0.3 600 V 高端悬浮地端 VS1、VS2 - VB-25 VB+0.3 V 高端输出 HO1、HO2 - VS-0.3 VB+0.3 V 低端输出 LO1、LO2 - -0.3 VCC+0.3 V 电源 AVDD、PVDD - -0.3 25 V HIN1、HIN2 - -0.3 VCC+0.3 V LIN1、LIN2 - -0.3 VCC+0.3 V 环境温度 TA - -40 125 ℃ 储存温度 Tstr - -55 150 ℃ 焊接温度 TL T=10S - 300 ℃ 高通道逻辑信号 输入电平 低通道逻辑信号 输入电平 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2 典型参数 无另外说明，在 TA=25℃，Vcc=12V，负载电容 CL=10nF 条件下 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源 VDD - 2.8 12 20 V 静态电流 Icc 输入悬空， AVDD=PVDD=12V - - 300 uA Vin(H) 所有输入控制信号 2.5 - - V Vin(L) 所有输入控制信号 -0.3 0 1.0 V Iin(H) Vin=5V - - 15 uA Iin(L) Vin=0V -15 - - uA VHLO SD=5V - 0 0.5 V VDD5 AVDD=12V 4.8 4.9 5.0 V 输入逻辑信号高 电位 输入逻辑信号低 电位 输入逻辑信号高 电平的电流 输入逻辑信号低 电平的电流 HO 和 LO 输出关 闭电压 基准电压特性 基准电压 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 6/10 EG2126 芯片数据手册 V1.0 屹晶微电子有限公司 两路半桥驱动电路芯片 VDD5 输出电流 能力 IOUT AVDD=8V 到 12V 50 - 300 mA 负载调整率 △VOUT/VOUT 1mA< IOUT