MMBT5551

MMBT5551 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to MMBT5401 MARKING:G1 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号） （参数名称） （额定值） （单位） VCBO Collector-Base Voltage （集电极-基极电压） 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压） 160 V VEBO Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压） 5 V IC Collector Current -Continuous （集电极电流） 0.6 A PC Collector Power Dissipation （耗散功率） 0.3 W Tj Junction Temperature （结温） 150 ℃ Tstg Storage Temperature （储存温度） -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified) Parameter （参数名称） Symbol （符号） Test conditions （测试条件） MIN TYP MAX （最小值） （典型值） （最大值） UNIT （单位） Collector-base breakdown voltage 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 180 V Collector-emitter breakdown voltage 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0 160 V Emitter-base breakdown voltage 发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current 集电极-基极截止电流 ICBO VCB=120 V , IE=0 1 μA Collector cut-off current 集电极-发射极截止电流 ICEO VCE=120V , 10 μA Emitter cut-off current 发射极-基极截止电流 IEBO VEB=5V , IC=0 1 μA DC current gain 直流电流增益 hFE VCE=5V, IC= 10mA IB=0 100 400 Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=50mA, IB= 5mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage 发射极-基极饱和压降 VBE(sat) IC=50mA, IB= 5mA 1 V CLASSIFICATION OF Range www.yongyutai.com 100-200 hFE 200-300 300-400 PAGE 1 MMBT5551 Typical Characteristics www.yongyutai.com MMBT5551 PAGE 2