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2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 • Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC • High reliability • Wide beam • Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 • DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040 GQG Applications Anwendungen • Photointerrupters • Sensor technology • Light curtains • Lichtschranken • Sensorik • Lichtgitter Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2007-12-07 1 Version 1.0 LD 242 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer IF= 100 mA, tp= 20 ms Ie [mW/sr] LD 242 E7800 2.5 (1 ... 3.2) Q62703Q3509 LD 242-2/3 6 (≥ 4) Q62703Q4749 Note: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Anm:: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 80 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Forward current Durchlassstrom IF 300 Surge current Stoßstrom (tp ≤ 10 μs, D = 0) IFSM 3 Total power dissipation Verlustleistung Ptot 470 mW Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 450 K/W Thermal resistance junction - case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse RthJC 160 K/W 2007-12-07 2 mA A Version 1.0 LD 242 Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) λpeak 950 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Δλ 55 nm Half angle Halbwinkel ϕ ± 40 ° Active chip area Aktive Chipfläche A 0.25 mm2 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche LxW 0.5 x 0.5 mm x mm Distance chip surface to lens top Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel H 0.3 ... 0.7 mm Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) tr, tf 1000 ns Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz) C0 40 pF Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, tp = 20 ms) VF 1.3 (≤ 1.5) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 μs) VF 1.9 (≤ 2.5) V Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) IR 0.01 (≤ 1) µA Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF= 100 mA, tp= 20 ms) Φe 16 mW 2007-12-07 3 Version 1.0 LD 242 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or Φe Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TCI -0.55 %/K Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TCV -1.5 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) TCλ 0.3 nm / K Grouping (TA = 25 °C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke IF= 100 mA, tp= 20 ms IF= 100 mA, tp= 20 ms IF=1 A, tp=100 µs LD 242-2 Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] 4 8 50 LD 242-3 6.3 LD 242 E7800 1 Note: 75 3.2 Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr LD 242 E7800: An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation. Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr LD 242 E7800: Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z. B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 2007-12-07 4 Version 1.0 LD 242 Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission Radiant Intensity Strahlstärke Ie / Ie(100 mA) = f(I F), single pulse, tp = 20 µs, TA= 25°C Irel = f(λ), TA = 25°C OHR01938 100 Ιe % Ι rel OHR01037 10 2 Ι e (100 mA) 80 10 1 60 40 10 0 20 0 880 2007-12-07 920 960 1000 nm λ 10 -1 10 -2 1060 5 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 Version 1.0 LD 242 Forward Current Durchlassstrom IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom IF= f(TA), TA = 25°C OHR00971 300 ΙF Ι F mA OHR01040 10 1 A 250 R thJC = 160 K/W 200 150 typ. 10 0 max. R thJA = 450 K/W 10 -1 100 50 0 0 20 40 60 10 -2 80 ˚C 100 TA , T C Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter ΙF OHR01937 10 4 mA tP D= 5 10 3 tP T ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 5 DC 10 2 10 -5 2007-12-07 10 -4 10 -3 10 -2 s τ 10 0 6 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF Version 1.0 LD 242 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik Irel = f(ϕ) 40 30 20 0 10 ϕ OHR01877 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 Package Outline Maßzeichnung 1 ø4.1 (0.161) ø0.45 (0.018) 2.54 (0.100) spacing 3) .04 5) (0 3 .1 1 (0.0 .0 9 Chip position ø4.3 (0.169) 2.7 (0.106) 2 14.5 (0.571) 3.6 (0.142) 12.5 (0.492) 3.0 (0.118) 1.1 0.9 (0. (0 043 .03 ) 5) ø5.5 (0.217) ø5.2 (0.205) GETY6625 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2007-12-07 7 100 120 Version 1.0 LD 242 Pad Description Pad Beschreibung 1 Anode / Anode 2 Cathode / Kathode Package Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy, colourless, transparent Gehäuse Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch dicht, Harz, farblos, durchsichtig TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskühlung forced cooling 0 0 50 100 150 200 t 2007-12-07 8 s 250 Version 1.0 LD 242 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2007-12-07 9 Version 1.0 LD 242 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2007-12-07 10