MOC3083SM

UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 1. 描述 UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电 耦合器。 2. 特征 4. 结构原理图和封装  峰值击穿电压 800V      输入和输出之间的高隔离电压（Viso=5000V rms） 零电压交叉 紧凑的双列直插封装 符合 RoHS 标准 1 UL-approved: UL1577, File No.E492440 Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. No Connection 4. Terminal 5. Substrate (do not connect) 6. Terminal 3. 应用       电磁阀/阀控制 灯光控制 静态电源开关 交流电机驱动器 电磁接触开关 固态继电器 5. 极限参数（TA=25°C） 参数 输入 输出 正向电流 反向电压 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) MOC308X 断态输出端电压 峰值重复浪涌电流(pw=100μs,120pps) 开启态电流（均方根值） 功耗 额定值降低因子(在 Ta = 85°C 以上) 额定值 单位 IF VR 60 6 100 3.8 800 1 100 300 7.6 330 5000 -55×100 -55×125 260 mA V mW mW/°C PD VDRM ITSM IT(RMS) PC 总功耗 隔离电压* 工作温度 储存温度 焊接温度（10s） * 在相对湿度 符号 Ptot Viso Topr Tstg Tsol V A mA mW mW/°C mW V ℃ ℃ ℃ 40 ~ 60%下的进行交流电测试，此时 1、2 和 3 脚短接，4、5 和 6 脚短接。 www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 6. 产品特性参数（Ta=25℃，除非有特别说明） 参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位 参数 符号 VF IR IF=30mA VR=6V VDRM = 额定值 VDRM， IF = 0mA ITM=100mA 峰值， IF= 额定IFt - - 1.5 10 V uA - - 500 nA - - 3 V 600 - - V/μs - - 20 V uA 正向电流 输入 反向电压 断态峰值电流 IDRM1 MOC308X 通态峰值电压 输出 断态电压临界 上升率 MOC308X VTM dv/dt V 峰值 =额定值 抑制电压（MT1-MT2 高于多少 电压不会触发） VInh 抑制状态的漏电流 IDRM2 VDRM=额定值 VDRM， 关闭状态 - - 500 IFt 主端 电压=3V - 280 15 10 5 - IF= 额定 IFt IF= 额 定 IFT， 传输特性 MOC3081 MOC3082 MOC3083 维持电流 LED 触发电流 www.umw-ic.com IH 2 mA mA 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 7. 典型光电特性曲线图 图2 LED 正向电压与 vs 正向电压 800 1.7 600 1.6 400 1.5 1.4 o TA = -55 C 1.3 o TA = 25 C 1.2 o T A = 100 C 1.1 1.0 10 1 1.4 1.3 1.2 触发电流IFT（归一化） LED 触发电流 传输特性 维持电流 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 -40 N orm a lized To T A = 2 5 ° C -2 0 0 20 40 0 -200 -400 -600 0 3 -2 -1 1 2 通态电压VTM （V） IF= 额 定 IFT， VDRM=额定值 IDRM2 500 uA VDRM， 关闭状态 图4 触发电流 vs LED 脉冲宽度 15 25 电压=3V 10 V IFt 主端 20 N orm a lize d To : in ≥100- μs mA - P W280 IH 抑制状态的漏电流 触发电流 vs 环境温度 图3 200 -800 100 LED 正向电流IF （mA） 触发电流IFT（归一化） 通态电压 vs 通态电流 1.8 通态电流ITM （mA） 正向电压VF （V） 图1 15 10 5 0 1 60 80 100 -3 维持电流 vs 环境温度 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -40 10 20 50 100 LED 触发脉冲宽度（μs） 图6 泄漏电流 vs 环境温度 10000 1000 泄漏电流IDRM1（nA） 维持电流 IH（mA） 图5 5 2 环境温度TA（°C） -2 0 0 20 40 60 80 环境温度TA（°C） www.umw-ic.com 100 10 1 0.1 -40 -20 0 20 40 60 80 100 环境温度TA（°C） 3 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 图8 抑制状态漏电流 vs 环境温度 抑制电压 vs 环境温度 抑制电压 VINH（归一化） 抑制状态漏电流IDRM2（归一化） 图7 环境温度TA（°C） 环境温度TA（°C） 图 9 静态 dv/dt 测试电路和波形 通过 RC 电路施加于被测器件的输出端的高电压脉冲设置到所需的 VPEAK 值上。LED 电流无需加上。波形 VT 使 用 X100 探头监测。通过调节 RTEST 值，dv/dt（斜度）增加，直到被测器件观察到被触发（波形崩溃）。 dv/dt 然后下降，直到被测器件停止被触发。此时，记录τRC 值并可计算 dv/dt 了。 dv/dt  0.632  800 505  RC RC 例如，MOC308X 系列的电压峰值 = 800V。 dv/dt 值的计算方式如下： dv/dt  www.umw-ic.com 0.632  800 RC 4  505 RC 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 8. 外形尺寸 单位：mm 7.6 2 TYP. 6.5 0±0. 30 4.5 0±0. 30 7. 12±0.30 0 .50±0. 10 2.5 4 TYP. 0 25 5 o 15 o 6 pin DIP 7.6 2 TYP. 6 .50±0. 30 3. 50±0 .30 4.30±0. 30 1. 30 7.1 2±0. 30 2. 54 TYP. 0. 25 0.6M IN 10. 30Max 6-pin SOP 9. 印字 ● 第二行印字中“X” 代表IFT 数位：0/1/2/3 ● 第三行印字中“XX” 代表年份 ● 第三行印字中“WW”代表周期 10. 订单信息 型号 封装 最小包装数量 包装方式 UMW MOC308XM DIP-6 1600 盒 UMW MOC308XSM SOP-6 1000 盘 www.umw-ic.com 5 友台半导体有限公司 UMW R UMW MOC308X 过零相位双向晶闸管驱动光电耦合器 ■ SOP-6 编带包装 1) 示意图： . ~ 7.6 2 TYP. 6 .50±0. 30 3. 50±0 .30 4.30±0. 30 1. 30 7.1 2±0. 30 2. 54 TYP. 0. 25 0.6M IN 10. 30Max www.umw-ic.com 6 友台半导体有限公司