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BR4953D Rev.I Jan.-2019 DATA SHEET  描述 / Descriptions SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package.  特征 / Features 超高密度设计，导通电阻小，可靠性好。无卤产品。 Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. HF Product.  用途 / Applications 用于电源管理，便携式设备和电池供电系统。 Power Management in Notebook computer, Portable Equipment and Battery powered systems.  内部等效电路 引脚排列 / Equivalent Circuit / Pinning 8 7 6 1 5 2 3 4 PIN1：S1 PIN 2：G1 PIN 3：S2 PIN 4：G2 PIN 5：D2 PIN 6：D2 PIN 7：D1 PIN 8：D1 印章代码 Marking / Marking 4953D http://www.fsbrec.com 1/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 极限参数 / DATA SHEET Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Continuous Drain Current ID * -3.0 A Pulsed Drain Current IDM* -12 A Diode Continuous Forward Current IS* -2.0 A Power Dissipation for Single Operation PD* (Ta=25℃) 2 W Power Dissipation for Single Operation PD* (Ta=100℃) 0.8 W Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ RθJA* 62.5 ℃/W Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range Thermal Resistance-Junction to Ambient Note: * Surface Mounted on 1in2 pad area, t ≤ 10sec. 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数 Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate Threshold Voltage Gate Leakage Current 符号 Symbol 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit -20 V VGS=0V IDS=-250μA VDS=-16V VGS=0V -1 VDS=-16V TJ=85°C VGS=0V -10 VGS(th) VDS=VGS IDS=-250μA IGSS VGS=±12V VDS=0V VGS=-10V IDS=-2.7A 85 97 VGS=-4.5V VGS=-2.5V IDS=-2.7A IDS=-2.2A 82 130 110 150 mΩ -0.7 -1.3 V 5.8 10 nC BVDSS IDSS Drain-Source On-state Resistance RDS(ON) Diode Forward Voltage VSDa Total Gate Charge Qgb Gate-Source Charge Qgsb Gate-Drain Charge Qgdb http://www.fsbrec.com 测试条件 Test Conditions a VGS=0V VDS=-6V IDS=-2.7A ISD=-1.0A VGS=-4.5V -0.50 -0.8 μA -1.0 V ±100 nA 0.85 nC 1.7 nC 2/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 电性能参数 DATA SHEET / Electrical Characteristics(Ta=25℃)   参数 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions VGS=0V VDS=0V F=1MHz 最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit Ω Gate Resistance RGb Input Capacitance Cissb Output Capacitance Cossb Reverse Transfer Capacitance Crssb 84 Turn-on Delay Time td(ON) b 13 25 Turn-on Rise Time Trb 36 60 Turn-off Delay Time Td(OFF) b 42 70 34 60 Turn-off Fall Time 6 415 VDS=-6V VGS=0V Frequency=1.0MHz VDD=-6V IDS=-1A RG=6Ω RL=6Ω VGEN=-10V Tfb 223 pF ns Notes: a : Pulse test ; pulse width≤300μs, duty cycle≤2%. b : Guaranteed by design, not subject to production testing. http://www.fsbrec.com 3/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 电参数曲线图 DATA SHEET / Electrical Characteristic Curve http://www.fsbrec.com 4/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 外形尺寸图 DATA SHEET / Package Dimensions http://www.fsbrec.com 5/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 印章说明 / DATA SHEET Marking Instructions BR 4953D A**** 说明： BR： 为公司代码 4953D： 为型号代码 A: 为芯片标识位（标识位可空,也可为 A、B、C、D……等字母） ****： 为生产批号代码，随生产批号变化。 Note: BR: Company Code. 4953D: Product Type A: Chip sign(Flag bit may be empty,or the letter ****: Lot No. Code, code change with Lot No. http://www.fsbrec.com A、B、C、D……). 6/7 BR4953D Rev.I Jan.-2019 DATA SHEET 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： Note: 1、预热温度 150～180℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:150~180℃, Time:60~90sec. 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 包装规格 Time:10±1 sec / REEL Package Type 封装形式 使用说明 Temp.:260±5℃ / Packaging SPEC. 卷盘包装 SOP/ESOP-8 时间：10±1 sec. Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 3 (unit：mm ) Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 4,000 2 8,000 6 48,000 13〞×12 360×360×50 380×335×366 / Notices 不同芯片标识的产品可以替换使用，为确保一致性，建议同一批次使用相同芯片标识的产品。 Different chip sign products can be used to replace ,in order to ensure consistency .We suggest to use the same chip sign products for the same batch. http://www.fsbrec.com 7/7