JCS4N80RC

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS4N80C 主要参数 MAIN 封装 Package CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-max（@Vgs=10V） Qg-typ 4A 800 V 2.6Ω 29.5nC APPLICATIONS 用途  Switched mode power  开关电源  电子镇流器 suppliesy  Electronic ballast 产品特性  低栅极电荷  低 Crss (典型值 8.8pF)  开关速度快  产品全部经过雪崩测试  高抗 dv/dt 能力  RoHS 产品 FEATURES  Low gate charge  Low Crss (typical 8.8pF )  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 有卤-条管 无卤-条管 有卤-编带 Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Free -Reel N/A JCS4N80VC-V-B JCS4N80VC-V-BR N/A JCS4N80RC-R-B JCS4N80RC-R-BR JCS4N80RC-R-A JCS4N80FC-F-B JCS4N80FC-F-BR N/A JCS4N80CC-C-B JCS4N80CC-C-BR JCS4N80BC-B-B JCS4N80VC-V5-B 版本：201809J 无卤-编带 印 记 Marking 封 装 Package JCS4N80V IPAK JCS4N80R DPAK N/A JCS4N80F TO-220MF N/A N/A JCS4N80C TO-220C JCS4N80BC-B-BR N/A N/A JCS4N80B TO-262 JCS4N80VC-V5-BR N/A N/A JCS4N80V IPAK-WS2 JCS4N80RC-R-AR 1/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 连续漏极电流 Drain Current ID T=25℃ T=100℃ -continuous 数 值 Value JCS4N80CC/ BC JCS4N80FC JCS4N80VC/ RC 单 位 Unit 800 V 4 A 2.48 A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） IDM 16 A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 470 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IAR 4.0 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy （note 1） EAR 13 mJ 二极管反向恢复最大电压变化 速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 4.0 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 99.2 38.2 45.8 W 0.79 0.31 0.37 W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201809J 2/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to TJ 25℃ ID=250μA, VGS=0V 800 - - V - 0.95 - V/℃ VDS=800V,VGS=0V, TC=25℃ - - 5 μA VDS=640V, - - 100 μA 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 4.0 V VGS =10V , ID=2.0A 25℃ 0.5 1.9 2.6 Ω VGS =10V , ID=2.0A 100℃ 0.6 3.3 4.5 Ω VGS =10V , ID=2.0A 150℃ 0.8 4.9 6.5 Ω - 3.8 - S TC=125℃ 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance RDS(ON) gfs VDS = 50V, ID=2.0A（note 4） 栅极电阻 Gate resistance Rg F=1.0MHZ open drain 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 动态特性 Dynamic Characteristics 版本：201809J VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ 0.5 - 6.0 Ω 300 675 880 pF 40 78 100 pF 2.0 8.8 15 pF 3/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) 下降时间 Turn-Off Fall time tf 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VDD=400V,ID=4A,RG=25Ω （note 4，5） VDS =640V , ID=4A VGS =10V （note 4，5） - 18 40 ns - 48 100 ns - 39 80 ns - 38 80 ns - 29.5 45 nC - 4.8 12.0 nC - 12.8 30.0 nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 4 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 16 A - - 1.5 V 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=4A VGS=0V, IS=4A dIF/dt=100A/μs (note 4) - 580 1500 ns - 3.8 μC 9.0 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol JCS4N80CC/ BC 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 最大 Max JCS4N80FC 单 位 Unit JCS4N80VC/ RC Rth(j-c) 1.26 3.27 2.73 ℃/W 结到环境的热阻 Rth(j-A) Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 62.5 110 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maximum junction 2：L=55mH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 temperature 2：L=55mH, IAS=4A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 版本：201809J 4/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Region Characteristics On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Capacitance Characteristics 版本：201809J Transfer Characteristics Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Gate Charge Characteristics 5/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation vs. Temperature Maximum Safe Operating Area On-Resistance Variation vs. Temperature Maximum Drain Current vs. Case Temperature Transient Thermal Response Curve 版本：201809J 6/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA IPAK 版本：201809J 单位 Unit：mm 7/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA IPAK-WS2 版本：201809J 单位 Unit：mm 8/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA DPAK 编带 单位 Unit：mm REEL 版本：201809J 9/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201809J 单位 Unit：mm 10/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 版本：201809J 单位 Unit：mm 11/13 R N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-262 版本：201809J 单位 Unit：mm 12/13 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 版本：201809J MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 13/13