JCS110N07I

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS110N07I 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID V DSS Rdson-max (@Vgs=10V） Qg-typ 封装 Package 110A 70V 8mΩ 72nC 用途 APPLICATIONS  高功率 DC/DC 转换与 功率开关  High power DC/DC  直流电机控制  汽车应用  不间断电源 产品特性  低栅极电荷  低 Rdson  开关速度快  产品全部经过雪崩测试  高抗 dv/dt 能力  RoHS 产品 converters and switch mode power supplies  DC motor control  Automotive applications  Uninterruptible power supply FEATURES  Low gate charge  Low Rdson  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Orde r code s 印 记 Marking 封 装 Package N/A JCS110N07 TO-220C JCS110N07I-S-AR JCS110N07 TO-263 有卤-条管 无卤-条管 有卤-编带 无卤-编带 Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-Reel Halogen-Free-Reel JCS110N07I-C-B JCS110N07I-C-BR N/A JCS110N07I-S-B JCS110N07I-S-BR JCS110N07I-S-A 版本：202010B 1/9 JCS110N07I 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Paramete r 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 符 号 Symbol VDSS 数 值 Value JCS110N07I 单 位 Unit 70 V ID T=25℃ 110* A ID T=100℃ 88* A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） IDM 440* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±20 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 280 mJ IAS 75 A dv/dt 13 V/ns PD TC =25℃ -Derate above 25℃ 208 W 1.67 W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ 雪崩电流 Avalanche Current 二极管反向恢复最大电压变化 速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） 耗散功率 Power Dissipation 最高结温及存储温度 Operating and Storage T J ，TSTG Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature TL for Soldering Purposes *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 版本：202010B 2/9 JCS110N07I 项 目 Paramete r 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最 大单 位 Max Units 70 - - V - - 1 μA VDS=70V,VGS=0V, TC =100℃ - - 20 μA nA 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID =250 μA, VGS=0V VDS=70V,VGS=0V, 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =20V - - 100 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-20V - - -100 nA 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID =250μA 2.0 - 4.0 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID =40A - 6.0 8.0 mΩ 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 35V , ID =20A （note 4） - 30 - S - 3800 - pF - 500 - pF - 330 - pF TC =25℃ 通态特性 On-Characteristics 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 版本：202010B VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ 3/9 JCS110N07I 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) 下降时间 Turn-Off Fall time tf 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VDD =40V,ID =50A,RG=5Ω （note 4，5） VDS =50V , ID =50A VGS =10V （note 4，5） - 39 - ns - 87 - ns - 141 - ns - 81 - ns - 72 - nC - 19 - nC - 25 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 110 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 440 A - - 1.2 V - 31 - ns - 41 - nC 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=40A VGS=0V, IS=40A dIF /dt=100A/μs (note 4) 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Paramete r 最大 Max 符 号 Symbol JCS110N07I 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.60 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maxim um junction 2：L=0.1mH, IAS=75A, VDD =64V, RG=25 Ω,起始结 温 TJ=25℃ 3：ISD ≤80A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 temperature 2 ：L=0.1mH, IAS=75A, VDD =64V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3 ： ISD ≤80A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDS S, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Tes t：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 版本：202010B 4/9 JCS110N07I 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Region Characteristics On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Capacitance Characteristics Transfer Characteristics Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Gate Charge Characteristics 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 版本：202010B 5/9 JCS110N07I Breakdown Voltage Variation vs. Temperature On-Resistance Variation vs. Temperature Maximum Safe Operating Area Transient Thermal Response Curve 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA 版本：202010B 6/9 JCS110N07I TO-220C 单位 Unit：mm 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA 版本：202010B 7/9 JCS110N07I TO-263 版本：202010B 单位 Unit：mm 8/9 JCS110N07I 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 版本：202010B MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 9/9