IRFR024N

厂商：
JSMICRO(杰盛微)
封装：
TO252
描述：
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：18.2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,18.2A

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IRFR024N Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. D G Features： S CR MI JS 1) VDS=60V,ID=20A,RDS(ON)

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