IRFR9024N

厂商：
JSMICRO(杰盛微)
封装：
TO252
描述：
类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：8.8A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,5.3A

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IRFR9024N 数据手册

IRFR9024N Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. D G Features： S 1) VDS=-60V,ID=-15A,RDS(ON)

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型号：IRFR9024N
品牌：JSMSEMI/杰盛微
封装：TO252
描述：TO-252

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