找到“65”相关的规格书共28,274个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 946-A4V-2D-001-65E | Honeywell Sensing and Productivity Solutions | 946 AUTO-TUNING 6000 MM SCAN | 获取价格 | ||
| FCP067N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):44A;功率(Pd):312W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):67mΩ@10V,22A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@4.4mA; | 获取价格 | ||
| FCMT250N65S3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| FCD600N65S3R0 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@3A,10V; | 获取价格 | ||
| BDV65BG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Npn, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| SCR0402F3K65 | Anhui Vico Technologies Co., Ltd. | 获取价格 | |||
| SCR0805F3K65 | Anhui Vico Technologies Co., Ltd. | 获取价格 | |||
| SCR1206F1R65 | Anhui Vico Technologies Co., Ltd. | 获取价格 | |||
| PTFR0402B6K65P9 | RESI | 获取价格 | |||
| S-80935CLNB-G65T2G | ABLIC Inc | IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SC82AB | 获取价格 | ||
| SWD7N65D | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω; | 获取价格 | ||
| SWD7N65J | SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD. | 漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ; | 获取价格 | ||
| SLD5N65SV | Maplesemi | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):680V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):32W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):585pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCW65CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | 获取价格 | ||
| TSU5N65M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| WSR30N65C | Winsok power Semiconductor CO., LTD | Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 650 VGS(V) 30 ID(A)Max. 28 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.512V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 13 Qgd(nC) 11.5 Ciss(pF) 2070 Coss(pF) 120 Crss(pF) 0.5 | 获取价格 | ||
| SVF5N65F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):471pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| WCR1K2N65TG | JIANGSU WEIDA SEMICONDUCTOR CO.,LTD | 获取价格 | |||
| SMD4N65 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):51W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 50-65-0207 | Molex Incorporated | SL PMC WTOW SR MODBRNCH 7CKT | 获取价格 |
