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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM3401ZB-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):77pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF33N25TRDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):33A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):77mΩ@10V,16.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.64nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):39pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
