ABM10W-40.0000MHZ-8-D1X-T3

物料型号：ABM10W系列

器件简介： - 该系列晶体专为节能可穿戴设备和物联网(IoT)应用优化。 - 具有异常低的镀层电容，低至4pF，优化了等效串联电阻(ESR)。 - 最大高度为0.6mm，非常适合高度受限的设计。

引脚分配： - 引脚#2和引脚#4接地。

参数特性： - 频率范围：16.0000 MHz至50.0000 MHz。 - 操作模式：基频。 - 工作温度范围：-40℃至+125℃。 - 存储温度：-55℃至+125℃。 - 频率容差：-10 ppm至+10 ppm（25°C时）。 - 等效串联电阻(R1)：根据不同频率和负载电容(CL)，值不同。 - 并联电容(C0)：<1.0 pF。 - 负载电容(CL)：4.0 pF，有其他选项。 - 驱动电平：10 μW至100 μW。 - 老化(1年)：-2 ppm至+2 ppm（25°C，±3°C）。 - 绝缘电阻：500 MO（100Vdc，15V）。

功能详解： - 该晶体适用于蓝牙/蓝牙低功耗(BLE)、无线模块、机器对机器(M2M)连接、超低功耗微控制器(MCU)、近场通信(NFC)和ISM频段。

应用信息： - 适用于可穿戴设备、物联网(IoT)、蓝牙/BLE、无线模块、M2M连接、超低功耗MCU和NFC。

封装信息： - 尺寸：2.5 x 2.0 x 0.6mm，符合RoHS/RoHS II标准。 - 湿度敏感等级(MSL)：不适用。 - 包装：3000个/卷的胶带和卷轴(T3)。