物料型号:ABM10W系列
器件简介:
- 该系列晶体专为节能可穿戴设备和物联网(IoT)应用优化。
- 具有异常低的镀层电容,低至4pF,优化了等效串联电阻(ESR)。
- 最大高度为0.6mm,非常适合高度受限的设计。
引脚分配:
- 引脚#2和引脚#4接地。
参数特性:
- 频率范围:16.0000 MHz至50.0000 MHz。
- 操作模式:基频。
- 工作温度范围:-40℃至+125℃。
- 存储温度:-55℃至+125℃。
- 频率容差:-10 ppm至+10 ppm(25°C时)。
- 等效串联电阻(R1):根据不同频率和负载电容(CL),值不同。
- 并联电容(C0):<1.0 pF。
- 负载电容(CL):4.0 pF,有其他选项。
- 驱动电平:10 μW至100 μW。
- 老化(1年):-2 ppm至+2 ppm(25°C,±3°C)。
- 绝缘电阻:500 MO(100Vdc,15V)。
功能详解:
- 该晶体适用于蓝牙/蓝牙低功耗(BLE)、无线模块、机器对机器(M2M)连接、超低功耗微控制器(MCU)、近场通信(NFC)和ISM频段。
应用信息:
- 适用于可穿戴设备、物联网(IoT)、蓝牙/BLE、无线模块、M2M连接、超低功耗MCU和NFC。
封装信息:
- 尺寸:2.5 x 2.0 x 0.6mm,符合RoHS/RoHS II标准。
- 湿度敏感等级(MSL):不适用。
- 包装:3000个/卷的胶带和卷轴(T3)。