ABM12W-40.0000MHZ-4-J2Z-T3

物料型号：ABM12W系列

器件简介：IoT优化的低剖面石英晶体，专为节能可穿戴设备和物联网应用设计，具有极低的镀层电容和优化的等效串联电阻(ESR)。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配信息，但通常这类晶体会有2个引脚，一个用于连接GND，另一个用于信号。

参数特性： - 频率范围：24.0000 MHz 至 52.0000 MHz - 工作模式：基频 - 工作温度范围：-40°C 至 +125°C - 存储温度：-55°C 至 +125°C - 频率容差：根据选项不同，从±10 ppm至±100 ppm - 频率稳定性：在工作温度范围内，相对于+25°C的值，从±10 ppm至±50 ppm不等 - 等效串联电阻(R1)：根据频率和负载电容的不同，从<35Ω至150Ω不等 - 并联电容(C0)：小于2.0 pF - 负载电容(CL)：4.0 pF，有其他选项可供选择 - 驱动电平：10 μW 至 100 μW - 老化率：1年内变化-2 ppm 至 +2 ppm - 绝缘电阻：500 MO，在100 Vdc和15 V条件下

功能详解：文档中未提供详细的功能解释，但从参数特性可以推断，该晶体具有高精度和高稳定性，适用于对时钟信号要求严格的应用。

应用信息： - 可穿戴设备 - 物联网(IoT) - 蓝牙/低功耗蓝牙(BLE) - 无线模块 - 机器对机器(M2M)通信 - 超低功耗微控制器(MCU) - 近场通信(NFC) - 工业、科学和医疗(ISM)频段

封装信息：1.6 x 1.2 x 0.4 mm，符合RoHS和RoHS II标准，湿度敏感等级(MSL)不适用。