物料型号:ASVV
器件简介:CMOS/TTL兼容的电压控制晶体振荡器,具有低剖面(1.6mm)SMD封装,适用于相位锁定环(PLLs)、合成器、数字传输设备、时钟恢复、数字设置盒等应用。
引脚分配:
- 1号引脚:Vc(控制电压)
- 2号引脚:三态功能
- 3号引脚:GND(地)
- 4号引脚:输出
- 5号引脚:NC(无连接)
- 6号引脚:Va(电源电压)
参数特性:
- 频率范围:1.0 MHz至200 MHz
- 工作温度:0°C至+70°C
- 存储温度:-45°C至+90°C
- 电源电压:3.135V至3.465V
- 控制电压:0.15V至3.15V
- 电源电流:1.1 mA至40 mA,根据频率不同而变化
- 输出负载:15 pF至5 TTL
- 输出电压:VOH(高电平)= 0.9 Vdd,VoL(低电平)= 0.1 Vdd
- 拉力:+80 ppm,可选项有±100 ppm、±120 ppm、±150 ppm
功能详解:
- 三态功能:在待机模式下,"0"(VIH<0.8V)为高阻态,"1"(VIH>2.2V)或开路为振荡状态
- 老化:首年在+25°C下,老化率为-3.0至+3.0 ppm
- 对称性:40%至60%
- 启动时间:1.1~2.0 ms至5 ms,根据电压不同而变化
- 上升/下降时间:1.6~4.0 ns至8.0 ns,根据频率不同而变化
- 相位抖动RMS:0.5 ps至10.0 ps,根据频率不同而变化
应用信息:适用于计算机、测试设备等。
封装信息:7.0 x 5.0 x 1.6 mm,推荐使用0.01uF旁路电容器在PIN 3和6之间。