APT10021JLL

物料型号：APT10021JLL

器件简介：APT10021JLL是一款新一代的低损耗、高电压、N沟道增强型功率MOSFET。它通过显著降低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg，同时保持APT专利的金属栅结构带来的极快开关速度，从而解决了导通和开关损耗问题。

引脚分配：文档中未明确列出引脚分配，但通常MOSFET有源、漏、栅极三个引脚。

参数特性： - 漏源电压(VDss)：1000V - 连续漏电流(b)：37A - 脉冲漏电流(bM)：148A - 栅源电压(VGs)：±30V（连续）/ ±40V（瞬态） - 总功率耗散(P)：694W - 工作和存储结温范围(TSTG)：-55°C 至 150°C

功能详解： - 低输入电容、低米勒电容、低栅极电荷 - 增加的功率耗散能力 - 更容易驱动 - 流行的SOT-227封装

应用信息：文档中未提供具体应用信息，但基于其高电压和大电流特性，APT10021JLL适用于高功率应用，如电源转换、电机驱动等。

封装信息：APT10021JLL采用SOT-227封装，也称为ISOTOP®封装，具有特定的尺寸和特性。