UF3C120400B7S

物料型号：UF3C120400B7S

器件简介： 这款SiC FET设备基于独特的“级联”电路配置，将常开SiC JFET与Si MOSFET共封装，形成一个常关SiC FET设备。

该器件的标准栅极驱动特性可实现对Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件的真正“即插即用”替代。

该设备采用D2PAK-7L封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

引脚分配： - D（Tab）：散热片 - G（1）：栅极 - KS（2）：源极 - S（3-7）：漏极

参数特性： - 漏源电压（Vps）：1200V - 栅源电压（VGs）：-25至+25V DC - 连续漏极电流（I）：在25°C时为7.6A，在100°C时为5.9A - 脉冲漏极电流（IDM）：在25°C时为14A - 单脉冲雪崩能量（EAS）：11.7mJ - 最大结温（TJmax）：175℃ - 操作和存储温度（TJ,TSTG）：-55至175℃ - 回流焊接温度（Tsolder）：245℃

功能详解： 这款SiC FET具有极低的导通电阻（RDS(on)）410mΩ（典型值），175℃（最大）的工作温度，优秀的反向恢复特性（Qrr=51nC），低体二极管正向电压（VF3SO）1.5V，低栅极电荷（QG=22.5nC），低本征电容，静电放电保护（HBM 2级和CDM C3级）。

应用信息： - 开关电源 - 辅助电源 - 负载开关

封装信息： D2PAK-7L封装，具有出色的热性能和电气隔离，适用于高功率密度应用。

封装的详细热阻为RθJC，最小、典型和最大值分别为1.2、1.3和1.5℃/W。