物料型号：HMC414MS8G / 414MS8GE
器件简介：高效率砷化镓铟镓磷异质结双极晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器，工作频率2.2至2.8 GHz。
引脚分配：
1. RFIN - 射频输入
2. NC - 不连接
3. RFOUT - 射频输出和输出级直流偏置
4. GND - 接地
5. VPD1 - 功率控制引脚
6. VPD2 - 功率控制引脚
7. Vcc - 第一级放大器的电源电压
参数特性：
- 增益：20 dB
- 饱和功率：+30 dBm
- 电源电压：+2.75V至+5V
- 功率附加效率：32%
- 外部部件数量少
功能详解：
- 该放大器提供20 dB增益，+30 dBm饱和功率，32% PAE，从+5V电源电压。
- 也可以使用3.6V电源操作。
- Vpd可用于完全关闭或RF输出功率/电流控制。
应用信息：
- 适用于2.2 - 2.7 GHz应用的功率放大器，如蓝牙、MMDS。
封装信息：
- HMC414MS8G：低应力注塑成型塑料，Sn/Pb焊料，MSL1等级
- HMC414MS8GE：符合RoHS标准的低应力注塑成型塑料，100%亚光Sn，MSL1等级
绝对最大额定值：
- 集电极基极电压(Vcc)：+5.5Vdc
- 控制电压(Vpd1, Vpd2)：+4.0Vdc
- RF输入功率(RFIN)：+17dBm
- 结温：150°C
- 连续Pdiss(T= 85°C)：1.755W
- 热阻(结到接地板)：37°C/W
- 存储温度：-65至+150°C
- 工作温度：-40至+85°C
评估PCB信息：
- 评估板号：105074-1
- 材料：Rogers 4350
以上信息摘自Analog Devices提供的HMC414MS8G / 414MS8GE数据手册。
