### 物料型号
- 型号：HMC375LP3 / 375LP3E
### 器件简介
- 简介：HMC375LP3 和 HMC375LP3E 是高动态范围的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，适用于1.7至2.2 GHz频段的GSM和CDMA基站前端接收器。
### 引脚分配
- Pin 1,3,4,6-10,12,14,16：N/C（无连接）
- Pin 2：RFIN（射频输入，与地之间匹配50欧姆，需13nH电感）
- Pin 5：ACG（交流地，需0.01uF电容至地）
- Pin 11：RFOUT（射频输出，交流耦合，匹配50欧姆）
- Pin 13,15：Vdd1, Vdd2（电源电压，需扼流电感和旁路电容）
- GND：接地（封装底部必须连接到RF/DC地）
### 参数特性
- 噪声系数：0.9 dB
- 输出IP3：+34 dBm
- 增益：17 dB
- 供电电压：单电源+5V @ 136 mA
- 50欧姆匹配输出
### 功能详解
- 增益：在1.7至2.2 GHz范围内提供17 dB增益。
- 噪声系数：在不同温度下保持在0.9至1.3 dB之间。
- 输出IP3：在不同温度下保持在32.5至34 dBm之间。
- 供电电流：在+5V供电下为136 mA。
### 应用信息
- 应用场景：适用于基站接收器，包括GSM、GPRS、EDGE、CDMA、W-CDMA和DECT。
### 封装信息
- 封装材料：低应力注塑塑料
- 引脚镀层：Sn/Pb焊料或100%亚光Sn（RoHS合规）
- MSL等级：MSL3
- 封装标记：375 XXXX（4位批次号）
