物料型号：HMC376LP3 / HMC376LP3E
器件简介：
HMC376LP3和HMC376LP3E是基于GaAs PHEMT工艺的低噪声放大器，适用于700至1000 MHz频率范围内的GSM和CDMA基站前端接收器。该放大器优化后具有0.7 dB的噪声系数、15 dB的增益和从单一+5V电源输出的+36 dBm的三阶截断点。
引脚分配：
- RFIN(2)：射频输入，与地之间有47 nH电感匹配至50欧姆。
- GND(3, 6, 10)：与封装底部一起必须连接到射频/直流地。
- Res(8)：通过选择外部偏置电阻来设置直流电流。
- RFOUT(11)：交流耦合，从0.7至1.0 GHz匹配至50欧姆。
- Vdd(15)：电源电压，需要配置扼流电感和旁路电容。
参数特性：
- 增益：12.5至14.5 dB
- 噪声系数：0.7至1.0 dB
- 输出三阶截断点：+36 dBm
- 供电电流：73 mA
功能详解：
放大器具有外部可调节的供电电流，允许设计者根据每个应用调整LNA的线性性能。
应用信息：
适用于蜂窝/3G基础设施、基站和中继器、CDMA、W-CDMA和TD-SCDMA、专用陆地移动无线电、GSM/GPRS和EDGE、UHF重新分配应用。
封装信息：
- HMC376LP3：低应力注塑塑料封装，Sn/Pb焊料，MSL1等级。
- HMC376LP3E：符合RoHS标准的低应力注塑塑料封装，100%亚光Sn焊料，MSL1等级。
绝对最大额定值：
- 漏极偏置电压(Vdd)：+8.0 Vdc
- 射频输入功率(RFIN)(Vs= +5.0 Vdc)：+15 dBm
- 通道温度：150°C
- 连续Pdiss(T= 85°C)：0.769W
- 热阻(通道到地托盘)：84.5°C/W
- 存储温度：-65至+150°C
- 工作温度：-40至+85°C
