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AD8402ARUZ100

AD8402ARUZ100

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

    TSSOP14_5X4.4MM

  • 描述:

    IC DGT POT 100KOHM 256TP 14TSSOP

  • 数据手册
  • 价格&库存
AD8402ARUZ100 数据手册
1/2/4通道 数字电位计 AD8400/AD8402/AD8403 特性 功能框图 256位可变电阻器件 AD8403 VDD 1 kΩ、10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 8-BIT 8 LATCH DAC SELECT DGND CK RS 1 2 功耗(关断模式):小于5 μA 三线式SPI兼容型串行数据输入 8-BIT LATCH 3 A1, A0 4 更新数据加载速率:10 MHz 10-BIT SERIAL LATCH 通过汽车应用认证 SDI SHDN 8 RDAC2 CK RS 2 2.7 V至5.5 V单电源供电 RDAC1 8 8-BIT LATCH D SHDN 8 RDAC3 CK RS SHDN CK Q RS 应用 CLK 机械电位计的替代产品 8-BIT 8 LATCH CS 可编程滤波器、延迟、时间常数 RDAC4 CK RS SHDN RS SHDN A1 W1 B1 AGND1 A2 W2 B2 AGND2 A3 W3 B3 AGND3 A4 W4 B4 AGND4 01092-001 可替代1个、2个或4个电位计 音量控制、平移 SDO 线路阻抗匹配 图1 电源调整 概述 100 AD8400/AD8402/AD8403分别是单通道/双通道/四通道、 计或可变电阻相同的电子调整功能。AD8400内置一个可变 电阻,采用紧凑的SOIC-8封装。AD8402内置两个独立的 可 变 电 阻 , 采 用 节 省 空 间 的 SOIC-14表 面 贴 装 封 装 。 AD8403内置四个独立的可变电阻,提供24引脚PDIP、 SOIC和TSSOP三种封装。各器件均内置一个带游标触点的 固定电阻,该游标触点在载入控制串行输入寄存器的数字 RWA RWA(D), RWB(D) (% of Nominal RAB) 256位、数字控制可变电阻(VR)器件1,可实现与机械电位 RWB 75 50 25 一端点之间的电阻值,随传输至VR锁存器中的数字码呈线 性变化。在A端与游标或B端与游标之间,各可变电阻提供 一个完全可编程电阻值。A至B固定端接电阻(1 kΩ、10 kΩ、 0 0 64 128 CODE (Decimal) 192 255 01092-002 码所确定的数字码分接该固定电阻值。游标与固定电阻任 图2. RWA 和RWB 与代码的关系 50 kΩ或100 kΩ)的通道间匹配容差为±1%,标称温度系数 为500 ppm/°C。借助独特的开关电路,可将传统开关电阻 设计中固有的高脉冲干扰降至最低,从而避免任何先合后 开或先开后合操作。 (第3页续) 1 数字电位计、VR和RDAC这些术语可以互换使用。 Rev. E Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 © 2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性,请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 AD8400/AD8402/AD8403 目录 特性.................................................................................................... 1 ESD警告..................................................................................... 11 应用.................................................................................................... 1 引脚配置和功能描述 ................................................................... 12 概述.................................................................................................... 1 典型性能参数 ................................................................................ 14 功能框图 ........................................................................................... 1 测试电路 ......................................................................................... 19 修订历史 ........................................................................................... 2 工作原理 ......................................................................................... 20 技术规格 ........................................................................................... 4 可变电阻编程 ........................................................................... 20 电气特性—10 kΩ版本 .............................................................. 4 电位计分压器编程 .................................................................. 21 电气特性—50 kΩ和100 kΩ版本 ............................................. 6 数字接口.................................................................................... 21 电气特性—1 kΩ版本 ................................................................ 8 应用.................................................................................................. 24 电气特性—所有版本 .............................................................. 10 有源滤波器 ............................................................................... 24 时序图 ........................................................................................ 10 外形尺寸 ......................................................................................... 26 绝对最大额定值............................................................................ 11 订购指南.................................................................................... 30 串行数据字格式....................................................................... 11 汽车应用级产品....................................................................... 31 修订历史 2010年7月—修订版D至修订版E 2001年11月—修订版B至修订版C 更改特性部分 .................................................................................. 1 新增图形 ........................................................................................... 1 更改IAB连续电流参数(表5) ......................................................... 11 编辑技术规格部分 ......................................................................... 2 更新外形尺寸部分 ....................................................................... 26 编辑绝对最大额定值部分 ............................................................ 6 更改订购指南部分 ....................................................................... 30 编辑TPC 1、8、12、16、20、24、35 ....................................... 9 增加汽车应用产品部分............................................................... 31 编辑可变电阻编程部分............................................................... 13 2005年10月—修订版C至修订版D 格式更新 .....................................................................................通篇 更改特性部分 .................................................................................. 1 更改表1 ............................................................................................. 4 更改表2 ............................................................................................. 6 更改表3 ............................................................................................. 8 更改表5 ........................................................................................... 11 增加图36 ......................................................................................... 18 更换图37 ......................................................................................... 19 更改工作原理部分 ....................................................................... 20 更改应用部分 ................................................................................ 24 更新外形尺寸部分 ....................................................................... 26 更改订购指南部分 ....................................................................... 28 Rev. E | Page 2 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 概述 (续第1页) 每个VR均有各自的VR锁存器,用来保存其编程电阻值。 AD8400提供SOIC-8表贴封装。AD8402提供表贴(SOIC-14) 这些VR锁存器由一个SPI兼容型串行至并行移位寄存器更 和14引脚PDIP两种封装。AD8403提供窄体24引脚PDIP和 新,该移位寄存器从一个标准三线式串行输入数字接口加 24引脚表贴封装。AD8402/AD8403还提供1.1 mm薄TSSOP- 载数据。由10个数据位构成的数据字传输至串行输入寄存 14/TSSOP-24封装,适合PCMCIA应用。所有器件的保证工 器。 作温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。 该数据字经过解码,前2位确定需要载入的VR锁存器地 址,后8位是数据。利用串行寄存器相对端的串行数据输 出引脚,就可以简单的菊花链形式将多个VR连接,而无需 额外的外部解码逻辑。 复位(RS)引脚通过将80H载入VR锁存器来迫使游标移到中 间电平。SHDN引脚则迫使A端的电阻变为端到端开路状 态,并使游标与B端短路,从而实现毫瓦级功耗的关断状 态。当SHDN回到逻辑高电平时,先前的锁存器设置将使 游标处于关断前的电阻值设置。数字接口在关断期间仍有 效,以便更改代码,当器件脱离关断状态时,游标将处于 新的位置。 Rev. E | Page 3 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 技术规格 电气特性—10 kΩ版本 除非另有说明,VDD = 3 V ± 10%或5 V ± 10%,VA = VDD,VB = 0 V,−40°C ≤ TA ≤ +125°C。 表1. 参数 符号 条件 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL RWB,VA = 无连接 电阻非线性2 R-INL RWB,VA = 无连接 标称电阻3 RAB TA = 25°C,型号: AD840XYY10 电阻温度系数 ∆R AB/∆T VAB = VDD,游标 = 无连接 游标电阻 RW VDD = 5V, IW = VDD/RAB RW VDD = 3V, IW = VDD/RAB 标称电阻匹配 ∆R/R AB CH 1至CH 2、CH 3或CH 4,VAB = VDD,TA = 25°C 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻) 分辨率 N 积分非线性4 INL 差分非线性4 DNL VDD = 5 V DNL VDD = 3 V, TA = 25°C DNL VDD = 3 V, TA = −40°C 至 +85°C 分压器温度系数 ∆V W/∆T 代码 = 80 H 满量程误差 VWFSE 代码 = FF H 零电平误差 VWZSE 代码 = 00 H 电阻端 电压范围5 VA, B, W 电容6 Ax、电容Bx CA, B f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 电容6 Wx CW f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 关断电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 数字输入和输出 输入逻辑高电平 VIH VDD = 5 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 5 V 输入逻辑高电平 VIH VDD = 3 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 3 V 输出逻辑高电平 VOH RL = 2.2 kΩ 或 VDD 输出逻辑低电平 VOL IOL = 1.6 mA, VDD = 5 V 输入电流 IIL VIN = 0 V 或 5 V, VDD = 5 V 输入电容6 CIL 电源 电源电压范围 VDD 范围 电源电流(CMOS) IDD VIH = VDD 或 VIL = 0 V 电源电流(TTL)8 IDD VIH = 2.4 V 或 0.8 V, VDD = 5.5 V 功耗(CMOS)9 PDISS VIH = VDD 或 VIL = 0 V, VDD = 5.5 V 电源灵敏度 PSS VDD = 5 V ± 10% PSS VDD = 3 V ± 10% Rev. E | Page 4 of 32 最小值 典型值1 最大值 单位 −1 −2 8 ±1/4 ±1/2 10 500 50 200 0.2 8 −2 −1 −1 −1.5 −4 0 ±1/2 ±1/4 ±1/4 ±1/2 15 −2.8 1.3 0 +1 +2 12 100 1 +2 +1 +1 +1.5 0 2 VDD 75 120 0.01 100 5 200 2.4 0.8 2.1 0.6 VDD − 0.1 0.4 ±1 5 2.7 0.01 0.9 0.0002 0.006 5.5 5 4 27.5 0.001 0.03 LSB LSB kΩ ppm/°C Ω Ω % Bits LSB LSB LSB LSB ppm/°C LSB LSB V pF pF µA Ω V V V V V V µA pF V µA mA µW %/% %/% AD8400/AD8402/AD8403 参数 动态特性6, 10 -3 dB带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声电压 串扰11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 符号 条件 最小值 BW_10 K THDW tS eNWB CT R = 10 kΩ VA = 1 V rms + 2 V dc, VB = 2 V dc, f = 1 kHz VA = VDD, VB = 0 V, ±1% 误差带 RWB = 5 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 VA = VDD, VB = 0 V 典型值1 最大值 单位 600 0.003 2 9 −65 kHz % µs nV/√Hz dB 典型规格表示25°C和VDD = 5 V时的平均读数。 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶 跃变化。器件保证单调性。参见图38所示的测试电路。对于10 kΩ版本,VDD = 3 V时,IW = 50 μA;VDD = 5 V时,IW = 400 μA。 VAB = VDD,游标(VW) = 无连接。 与电压输出DAC类似,将RDAC配置为电位计分压器,在VW位置测得INL和DNL。VA = VDD和VB = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值,保证单调工作条件。参见 图37所示的测试电路。 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 通过设计保证,但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 当输入逻辑电平为2.4 V时,电源电流的消耗变成最差,这是CMOS逻辑的标准特性。IDD与逻辑电压的关系参见图28。 PDISS可通过(IDD × VDD) 计算。CMOS逻辑电平输入导致功耗最小。 所有动态特性均采用VDD = 5 V。 在一个VW引脚上测量,相邻VW引脚发生满量程电压变化。 Rev. E | Page 5 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—50 kΩ和100 kΩ版本 除非另有说明,VDD = 3 V ± 10%或5 V ± 10%,VA = VDD,VB = 0 V,−40°C ≤ TA ≤ +125°C。 表2. 参数 符号 条件 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL RWB, VA = 无连接 电阻非线性2 R-INL RWB, VA = 无连接 标称电阻3 RAB TA = 25°C, 型号: AD840XYY50 RAB TA = 25°C, 型号: AD840XYY100 电阻温度系数 ∆R AB/∆T VAB = VDD, 游标 = 无连接 游标电阻 RW VDD = 5V, IW = VDD/RAB RW VDD = 3V, IW = VDD/RAB 标称电阻匹配 ∆R/R AB CH 1 至 CH 2, CH 3, 或 CH 4, VAB = VDD, TA = 25°C 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻) 分辨率 N 积分非线性4 INL 差分非线性4 DNL VDD = 5 V DNL VDD = 3 V, TA = 25°C DNL VDD = 3 V, TA = −40°C 至 +85°C 分压器温度系数 ∆V W/∆T 代码 = 80 H 满量程误差 VWFSE 代码 = FF H 零电平误差 VWZSE 代码 = 00 H 电阻端 电压范围5 VA, VB, VW 电容6 Ax、Bx CA, CB f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 电容6 Wx CW f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 关断电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 数字输入和输出 输入逻辑高电平 VIH VDD = 5 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 5 V 输入逻辑高电平 VIH VDD = 3 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 3 V 输出逻辑高电平 VOH RL = 2.2 kΩ 或 VDD 输出逻辑低电平 VOL IOL = 1.6 mA, VDD = 5 V 输入电流 IIL VIN = 0 V 或 5 V, VDD = 5 V 输入电容6 CIL 电源 电源电压范围 VDD 范围 电源电流(CMOS) IDD VIH = VDD 或 VIL = 0 V 电源电流(TTL)8 IDD VIH = 2.4 V 或 0.8 V, VDD = 5.5 V 功耗(CMOS)9 PDISS VIH = VDD 或 VIL = 0 V, VDD = 5.5 V 电源灵敏度 PSS VDD = 5 V ± 10% PSS VDD = 3 V ± 10% Rev. E | Page 6 of 32 最小值 典型值1 最大值 单位 −1 −2 35 70 ±1/4 ±1/2 50 100 500 50 200 0.2 8 −4 −1 −1 −1.5 −1 0 ±1 ±1/4 ±1/4 ±1/2 15 −0.25 +0.1 0 +1 +2 65 130 100 1 +4 +1 +1 +1.5 0 +1 VDD 15 80 0.01 100 5 200 2.4 0.8 2.1 0.6 VDD − 0.1 0.4 ±1 5 2.7 0.01 0.9 0.0002 0.006 5.5 5 4 27.5 0.001 0.03 LSB LSB kΩ kΩ ppm/°C Ω Ω % Bits LSB LSB LSB LSB ppm/°C LSB LSB V pF pF µA Ω V V V V V V µA pF V µA mA µW %/% %/% AD8400/AD8402/AD8403 参数 动态特性6, 10 -3 dB带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声电压 串扰11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 符号 BW_50 K BW_100 K THDW tS_50 K tS_100 K eNWB_50 K eNWB_100 K CT 条件 最小值 R = 50 kΩ R = 100 kΩ VA = 1 V rms + 2 V dc, VB = 2 V dc, f = 1 kHz VA = VDD, VB = 0 V, ±1% 误差带 VA = VDD, VB = 0 V, ±1% 误差带 RWB = 25 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 RWB = 50 kΩ, f = 1 kHz, RS = 0 VA = VDD, VB = 0 V 典型值1 最大值 单位 125 71 0.003 9 18 20 29 −65 kHz kHz % µs µs nV/√Hz nV/√Hz dB 典型规格表示25°C和VDD = 5 V时的平均读数。 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃 变化。器件保证单调性。参见图38所示的测试电路。对于50 kΩ和100 kΩ版本,VDD = 3 V或5 V时,IW = VDD/R。 VAB = VDD,游标(VW) = 无连接。 与电压输出DAC类似,将RDAC配置为电位计分压器,在VW位置测得INL和DNL。VA = VDD和VB = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值,保证单调工作条件。参 见图37所示的测试电路。 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 通过设计保证,但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 当输入逻辑电平为2.4 V时,电源电流的消耗变成最差,这是CMOS逻辑的标准特性。IDD与逻辑电压的关系参见图28。 PDISS可通过(IDD × VDD) 计算。逻辑电平输入导致功耗最小。 所有动态特性均采用VDD = 5 V。 在一个VW引脚上测量,相邻VW引脚发生满量程电压变化。 Rev. E | Page 7 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—1 kΩ版本 除非另有说明,VDD = 3 V ± 10%或5 V ± 10%,VA = VDD,VB = 0 V,−40°C ≤ TA ≤ +125°C。 表3. 参数 符号 条件 直流特性-变阻器模式(规格适用于所有可变电阻) 电阻差分非线性2 R-DNL RWB, VA = 无连接 电阻非线性2 R-INL RWB, VA = 无连接 标称电阻3 RAB TA = 25°C, 型号: AD840XYY1 电阻温度系数 ∆R AB/∆T VAB = VDD, 游标 = 无连接 游标电阻 RW VDD = 5V, IW = VDD/RAB RW VDD = 3V, IW = VDD/RAB 标称电阻匹配 ∆R/R AB CH 1 至 CH 2, VAB = VDD, TA = 25°C 直流特性-电位计分压器模式(规格适用于所有可变电阻) 分辨率 N 积分非线性4 INL 差分非线性4 DNL VDD = 5 V DNL VDD = 3 V, TA = 25°C 分压器温度系数 ∆V W/∆T 代码 = 80H 满量程误差 VWFSE 代码 = FF H 零电平误差 VWZSE 代码 = 00 H 电阻端 电压范围5 VA, VB, VW 电容6 Ax、Bx CA, CB f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 电容6 Wx CW f = 1 MHz,针对GND测量,代码 = 80H 关断电源电流7 IA_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0 关断游标电阻 RW_SD VA = VDD, VB = 0 V, SHDN = 0, VDD = 5 V 数字输入和输出 输入逻辑高电平 VIH VDD = 5 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 5 V 输入逻辑高电平 VIH VDD = 3 V 输入逻辑低电平 VIL VDD = 3 V 输出逻辑高电平 VOH RL = 2.2 kΩ 或 VDD 输出逻辑低电平 VOL IOL = 1.6 mA, VDD = 5 V 输入电流 IIL VIN = 0 V 或 5 V, VDD = 5 V 输入电容6 CIL 电源 电源电压范围 VDD 范围 电源电流(CMOS) IDD VIH = VDD 或 VIL = 0 V 8 电源电流(TTL) IDD VIH = 2.4 V 或 0.8 V, VDD = 5.5 V 功耗(CMOS)9 PDISS VIH = VDD 或 VIL = 0 V, VDD = 5.5 V 电源灵敏度 PSS ∆V DD = 5 V ± 10% PSS ∆V DD = 3 V ± 10% Rev. E | Page 8 of 32 最小值 典型值1 最大值 单位 −5 −4 0.8 −1 ±1.5 1.2 700 53 200 0.75 8 −6 −4 −5 −20 0 ±2 −1.5 −2 25 −12 6 0 +3 +4 1.6 100 2 +6 +2 +5 0 10 VDD 75 120 0.01 50 5 100 2.4 0.8 2.1 0.6 VDD − 0.1 0.4 ±1 5 2.7 0.01 0.9 0.0035 0.05 5.5 5 4 27.5 0.008 0.13 LSB LSB kΩ ppm/°C Ω Ω % Bits LSB LSB LSB ppm/°C LSB LSB V pF pF µA Ω V V V V V V µA pF V µA mA µW %/% %/% AD8400/AD8402/AD8403 参数 动态特性6, 10 -3 dB带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声电压 串扰11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 符号 条件 BW_1 K THDW tS eNWB CT R = 1 kΩ VA = 1 V rms + 2 V dc, VB = 2 V dc, f = 1 kHz VA = VDD, VB = 0 V, ±1% 误差带 RWB = 500 Ω, f = 1 kHz, RS = 0 VA = VDD, VB = 0 V 最小值 典型值1 最大值 单位 5,000 0.015 0.5 3 −65 kHz % µs nV/√Hz dB 典型规格表示25°C和VDD = 5 V时的平均读数。 电阻位置非线性误差(R-INL)是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃 变化。参见图38所示的测试电路。对于1 kΩ版本,VDD = 3 V时,IW = 500 μA;VDD = 5 V时,IW = 2.5 mA。 VAB = VDD,游标(VW) = 无连接。 与电压输出DAC类似,将RDAC配置为电位计分压器,在VW位置测得INL和DNL。VA = VDD和VB = 0 V。最大±1 LSB的DNL规格限值,保证单调工作条件。参 见图37所示的测试电路。 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有极性限制。 通过设计保证,但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 对Ax端进行测量。关断模式下所有Ax端处于开路状态。 当输入逻辑电平为2.4 V时,电源电流的消耗变成最差,这是CMOS逻辑的标准特性。IDD与逻辑电压的关系参见图28。 PDISS可通过(IDD × VDD) 计算。逻辑电平输入导致功耗最小。 所有动态特性均采用VDD = 5 V。 在一个VW引脚上测量,相邻VW引脚发生满量程电压变化。 Rev. E | Page 9 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 电气特性—所有版本 除非另有说明,VDD = 3 V ± 10%或5 V ± 10%,VA = VDD,VB = 0 V,−40°C ≤ TA ≤ +125°C。 表4. 参数 开关特性2, 3 输入时钟脉冲宽度 数据建立时间 数据保持时间 CLK至SDO传播延迟4 CS 建立时间 CS 高电平脉冲宽度 复位脉冲宽度 CLK下降到CS上升保持时间 CS 上升到时钟上升建立时间 1 2 3 4 符号 条件 最小值 典型值1 最大值 单位 tCH, tCL tDS tDH tPD tCSS tCSW tRS tCSH tCS1 时钟高电平或低电平 10 5 5 1 10 10 50 0 10 ns ns ns ns ns ns ns ns ns RL = 1 kΩ 或 5 V, C L ≤ 20 pF 25 典型规格表示25°C和VDD = 5 V时的平均读数。 通过设计保证,但未经生产测试。电阻端电容是在对被测端施加2.5 V偏置电压下测得。其余电阻端保持开路。 测得值位置见时序图(图3)。所有输入控制电压均指定tR = tF = 1 ns(10%到90%的VDD)并从1.6V电平起开始计时。开关特性利用VDD = 3 V或5 V进行测量。为避 免输入时钟错误,应保持最低1 V/μs的输入逻辑压摆率。 传播延迟取决于VDD、RL和CL的值(参见应用部分)。 时序图 1 CLK A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0 1 0 VOUT DAC REGISTER LOAD 1 0 VDD 01092-003 CS 1 RS 0V SDO (DATA OUT) 1 Ax OR Dx tDS 1 0 A'x OR D'x CS tPD_MAX tCH 0 1 tDH A'x OR D'x tPD_MIN 1 CLK Ax OR Dx 0 tCSS tCS1 tCL tCSH tCSW 0 ±1% ±1% ERROR BAND 01092-004 tS VDD VOUT 0V 0 VDD VDD/2 tS ±1% ±1% ERROR BAND 图5. 复位时序图 图3. 时序图 SDI (DATA IN) VOUT tRS 图4. 详细时序图 Rev. E | Page 10 of 32 01092-005 SDI AD8400/AD8402/AD8403 绝对最大额定值 除非另有说明,TA = 25°C。 表5. 参数 VDD 至 GND VA, VB, VW 至 GND 最大电流 IWB, IWA 脉冲 IWB 连续 (R WB ≤ 1 kΩ, A 开路)1 IWA 连续 (R WA ≤ 1 kΩ, B 开路)1 IAB 连续 (R AB = 1 kΩ/10 kΩ/ 50 kΩ/100 kΩ)1 数字输入和输出电压至GND 工作温度范围 最大结温(TJMAX) 存储温度 引脚温度(焊接,10秒) 封装功耗 热阻(θJA) SOIC (R-8) PDIP (N-14) PDIP (N-24) SOIC (R-14) SOIC (R-24) TSSOP-14 (RU-14) TSSOP-24 (RU-24) 1 注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 额定值 −0.3 V, +8 V 0 V, VDD 坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它 ±20 mA ±5 mA ±5 mA ±2.1 mA/±2.1 mA/ 器件的可靠性。 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断器件 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 串行数据字格式 表6. ADDR B9 B8 A1 A0 MSB LSB 29 28 0 V, 7 V −40°C 至 +125°C 150°C −65°C 至 +150°C 300°C (TJ max − TA)/θJA B7 D7 MSB 27 B6 D6 B5 D5 DATA B4 B3 D4 D3 158°C/W 83°C/W 63°C/W 120°C/W 70°C/W 180°C/W 143°C/W 最大端电流受以下几个方面限制:给定电阻条件下可在A、B和W端的任 意两端之间施加的最大电压、开关的最大电流处理能力以及封装的最大 功耗;VDD = 5 V。 ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。静电电荷很容易在人体和测试设备上累积,可高达4000 V,并可能在没有察 觉的情况下放电。尽管本产品具有专用ESD保护电路,但在遇到高能量静电放电时,可能会发生永久 性器件损坏。因此,建议采取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. E | Page 11 of 32 B2 D2 B1 D1 B0 D0 LSB 20 AD8400/AD8402/AD8403 8 A1 2 AD8400 7 W1 CS 3 TOP VIEW (Not to Scale) 6 VDD SDI 4 5 CLK 图6. AD8400引脚配置 AGND B2 1 14 2 13 3 AD8402 W2 4 TOP VIEW (Not to Scale) DGND 5 10 SHDN 6 9 A2 CS 7 12 11 8 B1 AGND2 1 24 B1 A1 B2 2 23 A1 W1 A2 3 22 W1 W2 4 21 AGND1 AGND4 5 20 B3 B4 6 19 A3 A4 7 18 W3 W4 8 17 AGND3 DGND 9 16 VDD SHDN 10 15 RS CS 11 14 CLK SDI 12 13 SDO VDD RS CLK SDI 图7. AD8402引脚配置 01092-007 1 01092-006 B1 GND AD8403 TOP VIEW (Not to Scale) 图8. AD8403引脚配置 表7. AD8400引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 引脚名称 B1 GND CS 4 5 6 7 8 SDI CLK VDD W1 A1 描述 B端RDAC。 地。 片选输入,低电平有效。当CS回到高电平时,串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码, 并载入目标DAC寄存器。 串行数据输入。 串行时钟输入,正边沿触发。 正电源。额定工作电压:3 V和5 V。 游标RDAC,Addr = 002。 A端RDAC。 表8. AD8402引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 引脚名称 AGND B2 A2 W2 DGND SHDN CS 8 9 10 11 12 13 14 SDI CLK RS VDD W1 A1 B1 1 描述 模拟地1。 B端RDAC 2。 A端RDAC 2。 游标RDAC 2,Addr = 012。 数字地1。 A端开路。关断控制可变电阻1和可变电阻2。 片选输入,低电平有效。当CS回到高电平时,串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码, 并载入目标DAC寄存器。 串行数据输入。 串行时钟输入,正边沿触发。 低电平有效复位至中间电平。RDAC寄存器设置为80H。 正电源。额定工作电压:3 V和5 V。 游标RDAC 1,Addr = 002。 A端RDAC 1。 B端RDAC 1。 所有AGND引脚必须连接到DGND。 Rev. E | Page 12 of 32 01092-008 引脚配置和功能描述 AD8400/AD8402/AD8403 表9. AD8403引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 引脚名称 AGND2 B2 A2 W2 AGND4 B4 A4 W4 DGND SHDN CS 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 SDI SDO CLK RS VDD AGND3 W3 A3 B3 AGND1 W1 A1 B1 1 描述 模拟地2。1 B端RDAC 2。 A端RDAC 2。 游标RDAC 2,Addr = 012。 模拟地4。1 B端RDAC 4。 A端RDAC 4。 游标RDAC 4,Addr = 112。 数字地1。 低电平输入有效。A端开路。关断控制可变电阻1至可变电阻4。 片选输入,低电平有效。当CS回到高电平时,串行输入寄存器中的数据基于地址位进行解码, 并载入目标DAC寄存器。 串行数据输入。 串行数据输出。开漏晶体管需要上拉电阻。 串行时钟输入,正边沿触发。 低电平有效复位至中间电平。RDAC寄存器设置为80H。 正电源。额定工作电压:3 V和5 V。 模拟地3。1 游标RDAC 3,Addr = 102。 A端RDAC 3。 B端RDAC 3。 模拟地1。1 游标RDAC 1,Addr = 002。 A端RDAC 1。 B端RDAC 1。 所有AGND引脚必须连接到DGND。 Rev. E | Page 13 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 典型性能参数 10 60 SS = 1205 UNITS VDD = 4.5V TA = 25°C  VDD = 3V OR 5V RAB = 10kΩ 48 FREQUENCY 6 4 0 32 12 RWA 64 96 128 160 192 24 224 256 CODE (Decimal) 0 40.0 42.5 45.0 47.5 50.0 52.5 55.0 57.5 60.0 62.5 65.0 WIPER RESISTANCE (Ω) 图12. 10 kΩ游标-触点-电阻直方图 图9. 游标到端端接电阻与代码的关系 5 1.0 80H VDD = 5V INL NONLINEARITY ERROR (LSB) FFH 4 20H 3 CODE = 10H 2 1 05H 0 1 2 3 0.5 TA = +25°C TA = –40°C 0 –0.5 4 5 6 7 IWB CURRENT (mA) –1.0 0 32 64 96 128 160 192 224 256 DIGITAL INPUT CODE (Decimal) 图13. 电位计分压器非线性误差与代码的关系 图10. 电阻线性与传导电流的关系 60 1.0 VDD = 5V 48 0.5 SS = 184 UNITS VDD = 4.5V TA = 25°C FREQUENCY TA = +85°C 0 TA = –40°C 36 24 TA = +25°C –0.5 –1.0 0 32 64 96 128 160 192 224 DIGITAL INPUT CODE (Decimal) 256 0 35 37 39 41 43 45 47 49 51 WIPER RESISTANCE (Ω) 图14. 50 kΩ游标-触点-电阻直方图 图11.电阻步进位置非线性误差与代码的关系 Rev. E | Page 14 of 32 53 55 01092-014 12 01092-011 R-INL ERROR (LSB) TA = +85°C TA = 25°C VDD = 5V 01092-010 VWB VOLTAGE (V) 40H 0 01092-012 0 RWB 36 01092-013 2 01092-009 RESISTANCE (kΩ) 8 AD8400/AD8402/AD8403 RHEOSTAT MODE TEMPCO (ppm/°C) 48 FREQUENCY 700 SS = 184 UNITS VDD = 4.5V TA = 25°C 36 24 0 40.0 42.5 45.0 47.5 50.0 52.5 55.0 57.5 60.0 62.5 65.0 WIPER RESISTANCE (Ω) 500 400 300 200 100 0 –100 01092-015 12 VDD = 5V TA = –40°C/+85°C VA = NO CONNECT RWB MEASURED 600 0 32 64 96 128 160 192 224 256 CODE (Decimal) 图15. 100 kΩ游标-触点-电阻直方图 01092-018 60 图18. ΔRWB /ΔT变阻器模式温度系数 10 20mV 8 RW (20mV/DIV) 6 RWB (WIPER-TO-END) CODE = 80H 4 CS (5V/DIV) 2 5V 0 25 50 75 100 125 TEMPERATURE (°C) TIME 500ns/DIV 图19. 半量程时的一位步进变化(代码7FH 至80H ) 图16. 标称电阻与温度的关系 6 60 50 CODE = FF 0 80 –6 40 –12 GAIN (dB) 40 30 20 20 –18 10 –24 08 –30 04 –36 10 –42 0 –48 –54 0 32 64 96 128 160 192 CODE (Decimal) 224 256 02 01 TA = 25°C 10 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 图20. 10 kΩ增益、频率与代码的关系(见图43) 图17. ΔVWB /ΔT电位计模式温度系数 Rev. E | Page 15 of 32 1M 01092-020 VDD = 5V TA = –40°C/+85°C VA = 2V VB = 0V 01092-017 POTENTIOMETER MODE TEMPCO (ppm/°C) 70 –10 500ns 01092-019 RAB = 10kΩ 0 –25 –75 –50 01092-016 NOMINAL RESISTANCE (k Ω) RAB (END-TO-END) AD8400/AD8402/AD8403 10 0.75 0.50 1 AVERAGE + 2 SIGMA 0.25 THD + NOISE (%) ∆RWB RESISTANCE (%) FILTER = 22kHz VDD = 5V TA = 25°C CODE = 80H VDD = 5V SS = 158 UNITS AVERAGE 0 –0.25 AVERAGE – 2 SIGMA 0.1 0.01 0 100 200 300 400 500 600 HOURS OF OPERATION AT 150°C 0.001 01092-021 –0.75 10 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 图21. 老化加速的长期漂移 01092-024 –0.50 图24. 总谐波失真加噪声与频率的关系(见图41和图42) 45.25µs 2V OUTPUT VOUT (50mV/DIV) INPUT TIME 200ns/DIV 图25. 数字馈通与时间的关系 图22. 大信号建立时间 6 CODE = FFH 0 80H –12 GAIN (dB) 40H –18 20H –24 10H –30 08H –36 10k 100k FREQUENCY (Hz) 08H –30 04H 02H 01H –48 01H 1k 10H –24 –42 02H –48 20H –18 –36 04H –42 40H –12 1M 01092-023 GAIN (dB) 80H –6 –6 –54 CODE = FFH 0 –54 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 图26. 100 kΩ增益、频率与代码的关系 图23. 50 kΩ增益、频率与代码的关系 Rev. E | Page 16 of 32 1M 01092-026 6 200ns 01092-025 TIME 500µs/DIV 50mV 01092-022 5µs 5V 12 CODE = 80H VDD = 5V TA = 25°C NORMALIZED GAIN FLATNESS (0.1dB/DIV) 6 f–3dB = 700kHz, R = 10k Ω 0 –6 GAIN (dB) R = 10kΩ R = 50kΩ f–3dB = 71kHz, R = 100k Ω –12 f–3dB = 125kHz, R = 50k Ω –18 –24 –30 10 100 1k VIN = 100mV rms VDD = 5V RL = 1MΩ –36 10k 100k 1M FREQUENCY (Hz) –42 1k 10k 图30. -3 dB带宽 图27. 归一化增益平坦度与频率的关系(见图43) 10 1200 VDD = 5V 0.1 2 3 4 5 400 DIGITAL INPUT VOLTAGE (V) C D 1k 100k 1M 10M 图31. 电源电流与时钟频率的关系 160 VDD = +5V DC ±1V p-p AC TA = 25°C CODE = 80H CL = 10pF VA = 4V, VB = 0V TA = 25°C 140 VDD = 2.7V 120 RON (Ω) 100 40 80 VDD = 5.5V 60 20 40 0 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M 图29. 电源抑制比与频率的关系(见图40) 0 0 1 2 3 4 5 VBIAS (V) 图32. AD8403增量游标导通电阻与VDD 的关系(见图39) Rev. E | Page 17 of 32 6 01092-032 20 01092-029 PSRR (dB) 60 10k FREQUENCY (Hz) 图28. 电源电流与数字输入电压的关系 80 B A 0 01092-028 1 600 200 VDD = 3V 0 800 01092-031 IDD – SUPPLY CURRENT (µA) IDD – SUPPLY CURRENT (mA) 1000 1 TA = 25°C A: VDD = 5.5V CODE = 55H B: VDD = 3.3V CODE = 55H C: VDD = 5.5V CODE = FFH D: VDD = 3.3V CODE = FFH TA = 25°C 0.01 1M 100k FREQUENCY (Hz) 01092-030 R = 100kΩ 01092-027 X AD8400/AD8402/AD8403 AD8400/AD8402/AD8403 LOGIC INPUT VOLTAGE = 0, VDD –10 IDD – SUPPLY CURRENT (µA) –20 0 –45 –90 VDD = 5V  TA = 25°C 0.1 VDD = 5.5V 0.01 WIPER SET AT HALF-SCALE 80H 400k 1M 2M 4M 6M 10M FREQUENCY (Hz) 0.001 –55 –35 –15 65 85 105 125 6 VDD = 5V RAB = 1kΩ THEORETICAL IWB_MAX (mA) 5 10 –15 5 25 45 65 TEMPERATURE (°C) 85 105 125 01092-034 IA SHUTDOWN CURRENT (nA) 45 图35. 电源电流与温度的关系 100 –35 25 TEMPERATURE (°C) 图33. 1 kΩ增益和相位与频率的关系 1 –55 5 01092-035 200k 01092-033 100k VDD = 3.3V VA = VB = OPEN TA = 25°C 4 3 2 RAB = 10kΩ 1 RAB = 50kΩ 0 RAB = 100kΩ 0 32 64 96 128 160 CODE (Decimal) 图36. IWB_MAX 与代码的关系 图34. 关断电流与温度的关系 Rev. E | Page 18 of 32 192 224 256 01092-057 PHASE (Degrees) GAIN (dB) 1 0 AD8400/AD8402/AD8403 测试电路 ~ B VMS 5V W VIN 2.5V DC 图37. 电位计分压器非线性误差(INL、DNL) 图41. 反相可编程增益 5V NO CONNECT IW VIN 01092-037 VMS 图42. 同相可编程增益 A VW W IW = VDD/RNOMINAL VIN RW = [VMS1 – VMS2]/IW 01092-038 VMS1 DUT 图43. 增益与频率的关系 RSW = DUT W A V+ = VDD ± 10% VMS PSRR (dB) = 20LOG PSS (%/%) = ∆VMS% ∆VDD% B ∆V ( ∆VMS ) 0.1V ISW CODE = H + ISW – 0.1V DD 01092-039 W VOUT OP42 B –15V VA B +15V W 2.5V 图39. 游标电阻 ~ ~ OFFSET GND B V+ B DUT 2.5V DUT VDD W A 图38. 电阻位置非线性误差 (可变电阻器操作;R-INL,R-DNL) VMS2 ~ OFFSET GND 01092-041 B VOUT OP279 01092-042 DUT A W A VOUT OP279 OFFSET GND VBIAS 图40. 电源灵敏度(PSS、PSRR) A = NC 图44. 增量导通电阻 Rev. E | Page 19 of 32 01092-043 V+ V+ = VDD 1LSB = V+/256 W 01092-036 A B DUT 01092-040 A DUT AD8400/AD8402/AD8403 工作原理 AD8400/AD8402/AD8403分别是单通道/双通道/四通道、 可变电阻编程 256位、数字控制可变电阻(VR)器件。更改VR编程设置是 变阻器操作 通过将10位串行数据字送入SDI(串行数据输入)引脚来实 现。此数据字由2个地址位(MSB优先)和8个数据位(也是 MSB优 先 )组 成 。 表 6给 出 了 串 行 寄 存 器 数 据 字 格 式 。 AD8400/AD8402/AD8403具有如下的地址分配,由ADDR 解码器解码,确定接收位B7至B0中的串行寄存器数据的 VR锁存器的位置。 A端和B端间VR (RDAC)的标称电阻可以为1 kΩ、10 kΩ、 50 kΩ和100 kΩ。产品型号的最后一位决定标称电阻值:10 kΩ = 10;100 kΩ = 100。VR的标称电阻(RAB)有256个触点可 供游标端访问,由此产生的电阻可以在游标端和B端上测 量(RWB),或者在游标端和A端上测量(RWA)。载入RDAC锁 存器的8位数据字经过解码,用于选择256种可能的设置之 一。游标的第一个连接开始于B端,对应数据00H。此B端 单通道AD8400要求A1 = A0 = 0。双通道AD8402要求A1 = 0。 连接具有50 Ω的游标触点电阻。第二个连接(对于10 kΩ器 VR设置可以随机更改,一次一个。对于AD8403,工作频 件)是第一个抽头点,位于89 Ω = [RAB (标称电阻) + RW = 39 率为10 MHz的串行时钟使它能在不到4 μs (10 × 4 × 100 ns) Ω + 50 Ω]处,对应数据01H。第三个连接是下一个抽头点, 的时间内加载所有4个VR。确切的时序要求参见图3、图4 代表78 Ω+ 50 Ω = 128 Ω,对应数据02H。随着每个LSB数据 和图5。 值的增加,游标沿电阻梯向上移动,直至最后一个抽头点 AD8400/AD8402/AD8403没有上电复位到中间电平的功 位置,电阻达10,011Ω。注意,游标并不直接连接到B端, 能,因此上电时游标可以处于任意随机位置。然而, 哪怕是数据00H。图45给出了RDAC等效电路的简化图。 AD8402/AD8403可以通过置位RS引脚复位到中间电平,从 AD8400内置一个RDAC,AD8402内置两个独立的RDACs, 而简化上电时的初始条件。这两款器件均具有关断电源 AD8403内置四个独立的RDACs。确定Wx端和Bx端间的数 SHDN引脚,用于将VR置于零功耗状态,其中Ax端开路, 字编程输出电阻的通用传递函数是 游标Wx连接到Bx端,使得功耗仅为VR中的漏电流。在关 断模式下,VR锁存器设置得以保持,当器件回到工作模式 时,VR设置恢复以前的电阻值。数字接口在关断模式下仍 其中D为载入8位RDAC#锁存器的数据(十进制),RAB为标称 有效,但SDO停用。关断期间可以更改寄存器中的代码, 端到端电阻。 当器件脱离关断状态时,游标将处于新的位置。 例如,当A端开路或连接到游标W时,如下RDAC锁存器代 RS SHDN D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 码将产生如下的RWB(针对10 kΩ版本): Ax 表10. D(十进制) 255 128 1 0 RS RS Wx RWB (Ω) 10,011 5,050 89 50 输出状态 满量程 中间电平(RS = 0条件) 1 LSB 零电平(游标触点电阻) 请注意:在零电平条件下,存在50 Ω的有限游标电阻。此 状态下要将W端和B端之间的电流流动限制在5 mA以下,以 RDAC LATCH AND DECODER RS Bx RS = RNOMINAL/256 01092-044 免性能下降或内部开关触点损坏。 图45. AD8402/AD8403等效VR (RDAC)电路 Rev. E | Page 20 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 像机械电位计一样,RDAC也是对称的。游标W和A端间的 的操作精度。这种情况下,输出电压取决于内部电阻的比 电阻也产生一个数字可控互补电阻R WA 。使用这些端子 例,而不是绝对值,因此温漂性能改善到15 ppm/°C。 时,可以将B端连接到游标或悬空。RWA开始时为最大值, 当游标位置设置较低时,电位分压器的温度系数会提高, 随着载入RDAC锁存器的数据增大而减小。此RWA的通用传 因为CMOS开关导通电阻此时会成为B端到游标W总电阻的 递函数是 相当可观的一部分。电位器温漂性能与代码设置的关系参 见图17。 其中D为载入8位RDAC#锁存器的数据,RAB为标称端到端 电阻。 例如,当B端开路或连接到游标W时,如下RDAC锁存器代 码将产生如下的RWA(针对10 kΩ版本): 行输入控制接口。三路输入分别是时钟(CLK)、片选(CS) 和串行数据输入(SDI)。正边沿敏感型CLK输入需要干净的 效果,应使用快于1 V/μs的逻辑转换。标准逻辑系列非常合 输出状态 满量程 中间电平(RS = 0条件) 1 LSB 零电平 适。如果使用机械开关进行产品评估,应通过触发器或其 它合适的途径去抖。图46、图47和图48中的框图详细显示 了内部数字电路。当CS变为低电平有效时,在每个正时钟 沿将数据载入10位串行寄存器(见表12)。 通道间RAB典型分布的匹配度在±1%以内。然而,器件间 CS 匹配度依工艺批次而定,变化幅度为±20%。温度系数(即 CLK VDD EN RAB随温度的变化)为500 ppm/°C。 ADDR DEC A1 A0 在10%到100%的调整范围内,游标到末端电阻的温度系数 D0 W1 RDAC LATCH NO. 1 B1 D7 具有最佳的性能,内部游标触点开关不会产生显著的温度 10-BIT SER REG 相关误差。图18显示了R WB 温度系数的性能与代码的关 SDI AD8400 DI D0 8 大。 01092-045 系。在代码低于32的情况下使用电位计时,温度系数较 A1 D7 GND 电位计分压器编程 图46. AD8400框图 电压输出操作 数字电位计很容易产生与施加于给定端的输入电压成比例 AD8402 CS 的输出电压。 CLK D7 EN 例如,将A端接至5 V,并将B端接至地后,游标处产生输出 电压,从0 V开始至5V以下1 LSB。每个LSB等于经过256位 分辨率的电位分压器分压的A端与B端间的电压。针对A端 D7 10-BIT SER REG 和B端间施加的任何给定输入电压,确定相对于地的输出 电压的通用公式为 ADDR DEC A1 A0 SDI DI D7 D0 D0 8 在分压器模式下使用数字电位计,可提高整个温度范围内 D0 A1 RDAC LATCH NO. 1 R B1 A4 RDAC LATCH NO. 2 R RS 图47. AD8402框图 Rev. E | Page 21 of 32 W1 W4 B4 SHDN DGND VDD AGND 01092-046 RWA (Ω) 89 5,050 10,011 10,050 AD8400/AD8402/AD8403内置一个标准SPI兼容型3线式串 转换,以免将错误数据送入串行输入寄存器。为获得最佳 表11. D(十进制) 255 128 1 0 数字接口 AD8400/AD8402/AD8403 CS CLK D7 EN DO SDO ADDR DEC A1 A0 D7 D0 RDAC LATCH NO. 1 R VDD 如果两个AD8403 RDAC以菊花链连接,则需要20位地址和 A1 数据,格式参见表6。关断期间(SHDN = 逻辑低电平),SDO W1 输出引脚进入关断(逻辑高电平)状态,使上拉电阻不产生 B1 功耗。SDO等效输出电路见图50。 技术规格表中的数据建立和保持时间决定数据有效时间要 求。当CS变为高电平时,输入串行寄存器的数据字的最后 SER REG AD8403 10位被保持。在CS变为高电平的同时,地址解码器选通, 两个(AD8402)或四个(AD8403)正边沿触发RDAC锁存器中 A4 D0 8 D0 AGND RS 表13. 地址解码表 B4 SHDN DGND 的一个使能。参见图49和表13。 W4 RDAC LATCH NO. 4 R A1 0 0 1 1 图48. AD8403框图 A0 0 1 0 1 AD8403 表12. 输入逻辑控制真值表1 CLK CS RS SHDN 寄存器活动 L P L L H H H H 无SR效应;使能SDO引脚 从SDI引脚移入一位。 先前输入的第10位 从SDO引脚移出。 基于A1、A0解码结果 将SR数据载入RDAC锁存器(表13) 无操作 将所有RDAC锁存器 设置到中间电平, 游标居中,SDO锁存器清零 将所有RDAC锁存器锁存为80H 所有电阻A端开路, W连接到B, 关闭SDO输出晶体管 X P H H X X H X H L H H X X H H P H H L 1 锁存器解码 RDAC#1 RDAC#2 RDAC#3(仅限AD8403) RDAC#4(仅限AD8403) CS ADDR DECODE RDAC 1 RDAC 2 RDAC 4 CLK SERIAL REGISTER SDI 01092-048 D7 图 49. 等效输入控制逻辑 目标RDAC锁存器加载串行数据字的最后8位,完成一次 RDAC更新。对于AD8403,要更改所有4个VR设置,必须 输入4个独立的10位数据字。 SHDN CS SDI P = 正边沿,X = 无关,SR = 移位寄存器 SDO SERIAL REGISTER D Q CK RS CLK 串行数据输出(SDO)引脚(仅AD8403有,AD8400和AD8402 RS 无)内置一个开漏N沟道FET,需要一个上拉电阻将数据传 图50. AD8403的SDO输出详细原理图 输到下一个包的SDI引脚。该上拉电阻的终端电压可以大 于AD8403 SDO输出器件的VDD电源(但小于最大8 V的VDD)。 例如,AD8403可以工作在VDD = 3.3 V,与下一器件接口的 上拉电阻可以设置为5 V。这样,单条处理器串行数据线就 可以通过菊花链连接多个RDAC。使用上拉电阻串联下一 器件的SDI引脚时,需要延长时钟周期。为使数据传输成 功,必须考虑器件之间菊花链节点SDO至SDI的容性负 载。使用菊花链时,CS应保持低电平,直到每个包的所有 01092-049 DI 01092-047 SDI 所有数字引脚受串联电阻和并联齐纳ESD结构的保护,如 图51所示。此结构适用于数字引脚CS、SDI、SDO、RS、 SHDN和CLK。数字输入ESD保护支持混合电源应用,即利 用5 V CMOS逻辑驱动采用3 V电源供电的AD8400、AD8402 或AD8403。模拟引脚A、引脚B和引脚W受一个20 Ω串联电 阻和并联齐纳二极管的保护(见图52)。 位都已输入各自的串行寄存器,并且地址和数据位处于正 确的解码位置。 Rev. E | Page 22 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 1kΩ 列表I. RDAC的宏模型网络列表 LOGIC 01092-050 DIGITAL PINS .PARAM DW=255, RDAC=10E3 *.SUBCKT DPOT (A,W,) * CA A 0 {DW/256*90.4E-12+30E-12} RAW A W {(1-DW/256)*RDAC+50} CW W 0 120E-12 RBW W B {DW/256*RDAC+50} CB B 0 {(1-DW/256)*90.4E-12+30E-12} * .ENDS DPOT 图51. 等效ESD保护电路 20Ω 01092-051 A, B, W 图52. 等效ESD保护电路(模拟引脚) 在使用偏移地和轨到轨放大器OP279的反相运算放大器电 路中,总谐波失真加噪声(THD + N)测得为0.003%,如图41 RDAC 10kΩ A CA 所示。热噪声主要是约翰逊噪声,对于10 kΩ版本和f = 1 B CW 120pF kHz,典型值为9 nV/√Hz。对于100 kΩ器件,热噪声为29 CB nV/√Hz。通道间串扰在f = 100 kHz时小于−65 dB。为实现此 隔离度,封装上提供的用来隔离各RDAC的额外接地引脚 CA = 90.4pF (DW/256) + 30pF CB = 90.4pF [1 – (DW/256)] + 30pF 01092-052 必须连接到电路地。AGND和DGND引脚应处于相同电 W 位。封装中未使用的电位计应接地。电源抑制性能典型值 为−35 dB(10 kHz时)。在高精度应用中,必须采取措施将电 图53. RDAC电路仿真模型(RDAC = 10 kΩ) 源纹波降至最低。 RDAC的交流特性主要取决于内部寄生电容和外部容性负 载。用作电位分压器时,AD8403AN10(10 kΩ电阻)的−3 dB 带宽在半量程下测得为600 kHz。图30给出了10 kΩ、50 kΩ 和100 kΩ三种可用电阻版本的大信号波特图。1 kΩ版本的 增益平坦度与频率的关系图可用来预测滤波器应用的性能 (见图33)。寄生仿真模型已被开发出来,如图53所示。列 表I为10 kΩ RDAC的宏模型网络列表。 Rev. E | Page 23 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 应用 利用数字电位计(RDAC),可以将许多应用中的机械电位计 256 替换为与其一致的解决方案,从而缩小尺寸并且免受恶劣 224 DIGITAL CODE (Decimal) 环境中可能遇到的振动、冲击、触点开路等问题的影响。 数字电位计的一大优势是可编程功能,可以将任何设置保 存在系统存储器中供以后调用。 RDAC的两种主要配置是电位分压器(基本3端应用)和变阻 器(2端配置),电路连接如图37和图38所示。 为使AD8400/AD8402/AD8403正常工作,必须满足一些边 192 160 128 96 64 AD8400/AD8402/AD8403工作的GND至VDD范围内。对于 0 0.1 1 10 INVERTING GAIN (V/V) 标准电位分压器应用,可以直接使用游标输出。对于低电 阻 负 载 , 应 利 用 合 适 的 轨 到 轨 运 算 放 大 器 (如 OP291或 01092-053 32 界条件。首先,所有模拟信号必须处于用来使单电源 图54. 反相可编程增益图 OP279)缓冲游标输出。其次,针对交流信号和双极性直流 调整应用,一般需要一个虚拟地。无论使用何种方法来创 有源滤波器 建虚拟地,结果必须是为所有连接的负载提供必要的吸电 状态可变有源滤波器是用于实现低通、高通或带通滤波器 流和源电流,包括足够的旁路电容。图41显示AD8402的一 的标准电路之一。数字电位计支持对滤波器输出的频率、 个通道连接在一个反相可编程增益放大器电路中。虚拟地 增益和Q进行全面编程。图55显示一个使用2.5 V虚拟地的滤 设置为2.5 V,因此电路输出相对于虚拟地的范围为±2.5 V。 为实现最宽的输出摆幅,需要使用轨到轨放大器。将游标 波器电路,它具有±2.5 VP输入和输出摆幅。RDAC2和RDAC3 分别设置LP、HP和BP的截止频率和中心频率。这些可变 从中间电平复位位置(80H)调整到A端(代码FFH)时,电路的 电阻器应利用相同的数据进行编程(像组合电位计一样), 电压增益以连续的较大增量提高。另一方面,将游标调整 以便保持最佳的电路Q。图56显示在带通输出端测得的滤 到B端(代码00H)时,信号逐渐衰减。图54显示100:1电压增 益范围(V/V)的游标设置。注意在0 dB (1 V/V)周围有±10 dB 的伪对数增益。此电路主要用于0.14 V/V至4 V/V范围内的 增益调整;超过此范围时,步长变得非常大,驱动电路的 频率范围为2 kHz至20 kHz。带通输出端的滤波器增益响应 如图57所示。中心频率为2 kHz时,增益可在RDAC1决定的 −20 dB至+20 dB范围内调整。电路Q由RDAC4调整。欲了解 有关状态可变有源滤波器的详细信息,请参阅ADI公司的 应用笔记AN-318。 10kΩ RDAC4 10kΩ B VIN 0.01µF 0.01µF B RDAC1 A1 A2 B RDAC2 A3 LOWPASS B RDAC3 OP279 ×2 A4 BANDPASS HIGHPASS 图55. 可编程状态可变有源滤波器 Rev. E | Page 24 of 32 01092-054 电阻可能会成为增益公式中的一个重要项。 波器响应,它是RDAC2和RDAC3设置的函数,产生的中心 AD8400/AD8402/AD8403 –0.16 40 –19.01 20.0000 k 20 0 0 AMPLITUDE (dB) 20 –20 –40 –60 –20 –40 20 100 1k 10k FREQUENCY (Hz) 100k 200k –80 20 图56. 编程中心频率带通响应 100 1k 10k FREQUENCY (Hz) 图57. 编程幅度带通响应 Rev. E | Page 25 of 32 100k 200k 01092-056 –80 2.00000 k –60 01092-055 AMPLITUDE (dB) 40 AD8400/AD8402/AD8403 外形尺寸 5.00 (0.1968) 4.80 (0.1890) 5 1 4 1.27 (0.0500) BSC 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0040) 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2284) 1.75 (0.0688) 1.35 (0.0532) 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) COPLANARITY 0.10 SEATING PLANE 0.50 (0.0196) 0.25 (0.0099) 45° 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 012407-A 8 4.00 (0.1574) 3.80 (0.1497) 图58. 8引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-8) 图示尺寸单位:mm和(inch) 0.775 (19.69) 0.750 (19.05) 0.735 (18.67) 14 8 1 7 0.280 (7.11) 0.250 (6.35) 0.240 (6.10) 0.325 (8.26) 0.310 (7.87) 0.300 (7.62) 0.100 (2.54) BSC 0.210 (5.33) MAX 0.060 (1.52) MAX 0.015 (0.38) MIN 0.150 (3.81) 0.130 (3.30) 0.110 (2.79) SEATING PLANE 0.015 (0.38) GAUGE PLANE 0.005 (0.13) MIN 0.430 (10.92) MAX 0.014 (0.36) 0.010 (0.25) 0.008 (0.20) 0.070 (1.78) 0.050 (1.27) 0.045 (1.14) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-001 CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF INCH EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. CORNER LEADS MAY BE CONFIGURED AS WHOLE OR HALF LEADS. 图59. 14引脚塑料双列直插式封装[PDIP] 窄体(N-14) 图示尺寸单位:inch和(mm) Rev. E | Page 26 of 32 070606-A 0.022 (0.56) 0.018 (0.46) 0.014 (0.36) 0.195 (4.95) 0.130 (3.30) 0.115 (2.92) AD8400/AD8402/AD8403 8.75 (0.3445) 8.55 (0.3366) 4.00 (0.1575) 3.80 (0.1496) 8 14 1 7 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2283) 1.27 (0.0500) BSC 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0039) COPLANARITY 0.10 0.50 (0.0197) 0.25 (0.0098) 1.75 (0.0689) 1.35 (0.0531) SEATING PLANE 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 45° 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) 060606-A COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AB CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 图60. 14引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-14) 图示尺寸单位:mm和(inch) 5.10 5.00 4.90 14 8 4.50 4.40 4.30 6.40 BSC 1 7 PIN 1 0.65 BSC 0.15 0.05 COPLANARITY 0.10 1.20 MAX 0.30 0.19 0.20 0.09 SEATING PLANE 8° 0° COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1 图61. 14引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP] (RU-14) 尺寸单位:mm Rev. E | Page 27 of 32 0.75 0.60 0.45 061908-A 1.05 1.00 0.80 AD8400/AD8402/AD8403 1.280 (32.51) 1.250 (31.75) 1.230 (31.24) 24 13 1 0.280 (7.11) 0.250 (6.35) 0.240 (6.10) 12 0.325 (8.26) 0.310 (7.87) 0.300 (7.62) 0.100 (2.54) BSC 0.060 (1.52) MAX 0.210 (5.33) MAX 0.015 (0.38) MIN 0.150 (3.81) 0.130 (3.30) 0.115 (2.92) 0.022 (0.56) 0.018 (0.46) 0.014 (0.36) 0.195 (4.95) 0.130 (3.30) 0.115 (2.92) 0.015 (0.38) GAUGE PLANE SEATING PLANE 0.430 (10.92) MAX 0.005 (0.13) MIN 0.014 (0.36) 0.010 (0.25) 0.008 (0.20) 0.070 (1.78) 0.060 (1.52) 0.045 (1.14) 071006-A COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-001 CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF INCH EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. CORNER LEADS MAY BE CONFIGURED AS WHOLE OR HALF LEADS. 图62. 24引脚塑料双列直插式封装[PDIP] 窄体(N-24-1) 图示尺寸单位:inch和(mm) 15.60 (0.6142) 15.20 (0.5984) 24 13 7.60 (0.2992) 7.40 (0.2913) 12 2.65 (0.1043) 2.35 (0.0925) 0.30 (0.0118) 0.10 (0.0039) COPLANARITY 0.10 10.65 (0.4193) 10.00 (0.3937) 1.27 (0.0500) BSC 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) SEATING PLANE 0.75 (0.0295) 45° 0.25 (0.0098) 8° 0° 0.33 (0.0130) 0.20 (0.0079) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-013-AD CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 图63. 24引脚标准小型封装[SOIC_W] 宽体(RW-24) 图示尺寸单位:mm和(inch) Rev. E | Page 28 of 32 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) 06-07-2006-A 1 AD8400/AD8402/AD8403 7.90 7.80 7.70 24 13 4.50 4.40 4.30 1 12 6.40 BSC PIN 1 0.15 0.05 0.65 BSC 0.30 0.19 0.10 COPLANARITY 1.20 MAX SEATING PLANE 0.20 0.09 8° 0° COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AD 图64. 24引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP] (RU-24) 尺寸单位:mm Rev. E | Page 29 of 32 0.75 0.60 0.45 AD8400/AD8402/AD8403 订购指南 型号1, 2, 3 AD8400AR10 AD8400AR10-REEL AD8400ARZ10 AD8400ARZ10-REEL AD8400AR50 AD8400AR50-REEL AD8400ARZ50 AD8400ARZ50-REEL AD8400AR100 AD8400AR100-REEL AD8400ARZ100 AD8400ARZ100-REEL AD8400AR1 AD8400AR1-REEL AD8400ARZ1 AD8400ARZ1-REEL AD8402AN10 AD8402ANZ10 AD8402AR10 AD8402AR10-REEL AD8402ARU10 AD8402ARU10-REEL AD8402ARUZ10 AD8402ARUZ10-REEL AD8402ARZ10 AD8402ARZ10-REEL AD8402AR50 AD8402AR50-REEL AD8402ARU50 AD8402ARU50-REEL AD8402ARUZ50 AD8402ARUZ50-REEL AD8402ARZ50 AD8402ARZ50-REEL AD8402AR100 AD8402AR100-REEL AD8402ARU100 AD8402ARU100-REEL AD8402ARUZ100 AD8402ARUZ100-REEL AD8402ARZ100 AD8402ARZ100-REEL AD8402AR1 AD8402AR1-REEL AD8402ARU1 AD8402ARUZ1 AD8402ARUZ1-REEL AD8402ARZ1 AD8402ARZ1-REEL 通道数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 端到端 RAB (kΩ) 10 10 10 10 50 50 50 50 100 100 100 100 1 1 1 1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 50 50 50 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 100 100 1 1 1 1 1 1 1 温度范围(°C) −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 封装描述 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 14引脚 PDIP 14引脚 PDIP 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 TSSOP 14引脚 SOIC_N 14引脚 SOIC_N Rev. E | Page 30 of 32 封装选项 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 N-14 N-14 R-14 R-14 RU-14 RU-14 RU-14 RU-14 R-14 R-14 R-14 R-14 RU-14 RU-14 RU-14 RU-14 R-14 R-14 R-14 R-14 RU-14 RU-14 RU-14 RU-14 R-14 R-14 R-14 R-14 RU-14 RU-14 RU-14 R-14 R-14 订购数量 98 2,500 98 2,500 98 2,500 98 2,500 98 2,500 98 2,500 98 2,500 98 2,500 25 25 56 2,500 96 2,500 96 2,500 96 2,500 56 2,500 96 2,500 96 2,500 96 2,500 56 2,500 96 2,500 96 2,500 96 2,500 56 2,500 96 96 2,500 56 2,500 标识信息 AD8400A10 AD8400A10 AD8400A10 AD8400A10 AD8400A50 AD8400A50 AD8400A50 AD8400A50 AD8400AC AD8400AC AD8400AC AD8400AC AD8400A1 AD8400A1 AD8400A1 AD8400A1 AD8402A10 AD8402A10 AD8402A10 AD8402A10 8402A10 8402A10 8402A10 8402A10 AD8402A10 AD8402A10 AD8402A50 AD8402A50 8402A50 8402A50 8402A50 8402A50 AD8402A50 AD8402A50 AD8402AC AD8402AC 8402A-C 8402A-C 8402A-C 8402A-C AD8402AC AD8402AC AD8402A1 AD8402A1 8402A1 AD8402A1 AD8402A1 AD8402A1 AD8402A1 AD8400/AD8402/AD8403 型号1, 2, 3 AD8403AN10 AD8403AR10 AD8403AR10-REEL AD8403ARU10 AD8403ARU10-REEL AD8403ARUZ10 AD8403ARUZ10-REEL AD8403ARZ10 AD8403ARZ10-REEL AD8403AN50 AD8403AR50 AD8403AR50-REEL AD8403ARU50 AD8403ARUZ50 AD8403ARUZ50-REEL AD8403ARZ50 AD8403ARZ50-REEL AD8403AR100 AD8403AR100-REEL AD8403ARU100 AD8403ARU100-REEL AD8403ARUZ100 AD8403ARUZ100-REEL AD8403ARZ100 AD8403ARZ100-REEL AD8403AR1 AD8403AR1-REEL AD8403ARU1 AD8403ARU1-REEL AD8403ARUZ1 AD8403ARUZ1-REEL AD8403ARZ1 AD8403ARZ1-REEL AD8403WARZ50-REEL EVAL-AD8403SDZ 1 2 3 通道数 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 端到端 RAB (kΩ) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 50 50 50 50 50 50 50 100 100 100 100 100 100 100 100 1 1 1 1 1 1 1 1 50 温度范围(°C) −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 −40 至 +125 封装描述 24引脚 PDIP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 PDIP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 TSSOP 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 24引脚 SOIC_W 评估板 封装选项 N-24-1 RW-24 RW-24 RU-24 RU-24 RU-24 RU-24 RW-24 RW-24 N-24-1 RW-24 RW-24 RU-24 RU-24 RU-24 RW-24 RW-24 RW-24 RW-24 RU-24 RU-24 RU-24 RU-24 RW-24 RW-24 RW-24 RW-24 RU-24 RU-24 RU-24 RU-24 RW-24 RW-24 RW-24 订购数量 15 31 1,000 63 2,500 63 2,500 63 2,500 15 31 1,000 63 2,500 2,500 63 2,500 31 1,000 63 2,500 63 2,500 63 2,500 31 1,000 63 2,500 63 2,500 63 2,500 2,500 标识信息 AD8403A10 AD8403A10 AD8403A10 8403A10 8403A10 8403A10 8403A10 AD8403A10 AD8403A10 AD8403A50 AD8403A50 AD8403A50 8403A50 8403A50 8403A50 AD8403A50 AD8403A50 AD8403A100 AD8403A100 8403A100 8403A100 8403A100 8403A100 AD8403A100 AD8403A100 AD8403A1 AD8403A1 8403A1 8403A1 8403A1 8403A1 AD8403A1 AD8403A1 非无铅器件的日期代码格式为YWW或YYWW,无铅器件的日期代码格式为#YWW,其中Y/YY表示生产年份,WW表示工作周。例如,在2005年第30工作周 制造的非无铅器件的日期代码为530或0530,而无铅器件的日期代码则为#530。 Z = 符合RoHS标准的器件。 W = 通过汽车应用认证。 汽车应用级产品 AD8403W生产工艺受到严格控制,以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意,车用型号的技术规格可能不同于 商用型号;因此,设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品才能用于汽车应用。欲 了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告,请联系当地ADI客户代表。 Rev. E | Page 31 of 32 AD8400/AD8402/AD8403 注释 © 2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D01092sc-0-7/10(E) Rev. E | Page 32 of 32
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