高压防闩锁型四通道
SPST开关
ADG5212/ADG5213
产品特性
功能框图
防闩锁
S1
IN1
5 pF关断漏极电容
D1
0.07 pC电荷注入
低泄漏:0.2 nA(最大值,85°C)
S2
IN2
D2
D2
ADG5212
9 V至40 V单电源供电
ADG5213
S3
IN3
S3
IN3
D3
额定电源电压范围:±15V、±20V、+12V、+36V
模拟信号范围:VSS至VDD
D1
S2
IN2
±9 V至±22 V双电源供电
最大额定电源电压:48 V
S1
IN1
D3
S4
IN4
S4
IN4
D4
应用
自动测试设备
SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
D4
09767-001
3 pF关断源极电容
图1.
数据采集
仪器仪表
航空电子
音频和视频开关
通信系统
概述
产品特色
ADG5212/ADG5213内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。
ADG5212开关的导通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5213
有两个开关的数字控制逻辑与ADG5212相似,其它两个开关的
控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相
同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,高
至电源电压的信号电平被阻止。
1. 沟槽隔离可防止闩锁。
电介质沟槽将P沟道与N沟道晶体管分开,保证即使在
严重过压状况下,也不会发生闩锁现象。
2. 超低电容,电荷注入低于1 pC。
3. 双电源供电。
对于双极性模拟信号应用,ADG5212/ADG5213可以采
用高达±22 V的双电源供电。
4. 单电源供电。
对于单极性模拟信号应用,ADG5212/ADG5213可以采
用高达40 V的单轨电源供电。
5. 3 V逻辑兼容数字输入。
VINH = 2.0 V,VINL = 0.8 V。
6. 无需VL逻辑电源。
ADG5212和ADG5213没有VL引脚。在整个工作电压范围内,数
字输入与3 V逻辑输入兼容。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性,因而是要求低毛刺和
快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较
快的开关速度及高信号带宽,使这些器件适合视频信号切换应用。
Rev. 0
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ADG5212/ADG5213
目录
特性.................................................................................................... 1
每通道连续电流,Sx或Dx ...................................................... 7
应用.................................................................................................... 1
绝对最大额定值.............................................................................. 8
功能框图 ........................................................................................... 1
ESD警告....................................................................................... 8
概述.................................................................................................... 1
引脚配置和功能描述 ..................................................................... 9
产品特色 ........................................................................................... 1
典型工作性能 ................................................................................ 10
修订历史 ........................................................................................... 2
测试电路 ......................................................................................... 14
技术规格 ........................................................................................... 3
术语.................................................................................................. 16
±15 V双电源 ............................................................................... 3
沟槽隔离 ......................................................................................... 17
±20 V双电源 ............................................................................... 4
应用信息 ......................................................................................... 18
12 V单电源.................................................................................. 5
外形尺寸 ......................................................................................... 19
36 V单电源.................................................................................. 6
订购指南.................................................................................... 19
修订历史
2011年4月—修订版0:初始版
Rev. 0 | Page 2 of 20
ADG5212/ADG5213
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明,VDD = +15 V ± 10%,VSS = −15 V ± 10%,GND = 0 V
表1.
参数
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
160
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
200
2
8
38
50
−40°C 至 +85°C
−40°C 至 +125°C
单位
VDD至VSS
V(最大值)
Ω(典型值)
250
280
9
10
65
70
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
0.01
0.1
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.02
0.2
0.2
0.4
0.25
0.9
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD
(仅ADG5213)
0.4
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
175
210
140
170
40
255
280
195
215
20
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
dB(典型值)
通道间串扰
−105
dB(典型值)
-3 dB带宽
插入损耗
435
−6.8
MHz(典型值)
dB(典型值)
3
5
8
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
VDD/VSS
通过设计保证,但未经生产测试。
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VS = ±10 V,VD = 10 V;
参见图23
VS = VD = ±10 V;参见图26
VS1 = VS2 = 10 V;参见图29
VS = 0 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF;
参见图31
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图25
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图27
R = 50 Ω,CL = 5 pF;参见图28
L
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图28
VS = 0 V,f = 1 MHz
VS = 0 V,f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
数字输入 = 0 V或VDD
−105
1
±9/±22
VS = ±10 V,VD = 10 V;
参见图23
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 10 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 10 V;参见图30
RL = 300 Ω, CL= 35 pF
关断隔离
ISS
VDD = +16.5 V,VSS = −16.5 V
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
70
VS = ±10 V,IS = −1 mA
VIN = VGND或VDD
0.07
45
55
0.001
VS = ±10 V,IS = −1 mA;
参见图24
VDD = +13.5 V,VSS = −13.5 V
VS = ±10 V,IS = −1 mA
V(最小值)
V(最大值)
μA(典型值)
μA(最大值)
pF(典型值)
电荷注入QINJ
CS (Off)
CD (Off)
CD (On)和CS (On)
电源要求
IDD
1
nA(典型值)
测试条件/注释
μA(典型值)
μA(最大值)
μA(典型值)
μA(最大值)
V,最小值/最大值
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
ADG5212/ADG5213
±20 V双电源
除非另有说明,VDD = +20 V ± 10%,VSS = -20 V ± 10%,GND = 0 V。
表2.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹
配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
−40°C 至 +85°C
140
−40°C 至 +125°C
单位
VDD至VSS
V(最大值)
Ω(典型值)
230
Ω(最大值)
Ω(典型值)
160
1.5
200
8
33
45
9
10
55
60
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
0.01
0.1
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.02
0.2
0.2
0.4
0.25
0.9
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD
(仅ADG5213)
nA(典型值)
0.4
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
155
195
145
165
35
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
235
255
185
210
20
nA(最大值)
nA(典型值)
VS = ±15 V,IS = −1 mA;
参见图24
VDD = +18 V,VSS = −18 V
VS = ±15 V,IS = −1 mA
VS = ±15 V,IS = −1 mA
VDD = +22 V,VSS = −22 V
VS = ±15 V,VD = 15 V;
参见图23
VS = ±15 V,VD = 15 V;
参见图23
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
VS = VD = ±15 V;参见图26
V(最小值)
V(最大值)
μA(典型值)
μA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或VDD
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
电荷注入QINJ
−0.5
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−105
dB(典型值)
通道间串扰
−105
dB(典型值)
-3 dB带宽
460
MHz(典型值)
插入损耗
−6
dB(典型值)
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
2.8
4.8
8
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
Rev. 0 | Page 4 of 20
测试条件/注释
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 10 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 10 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V;参见图29
VS = 0 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF;
参见图31
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图25
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图27
RL = 50 Ω,CL = 5 pF;
参见图28
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图28
VS = 0 V,f = 1 MHz
VS = 0 V,f = 1 MHz
VS = 0 V,f = 1 MHz
ADG5212/ADG5213
参数
电源要求
IDD
ISS
25°C
−40°C 至 +85°C
单位
测试条件/注释
VDD = +22 V,VSS =−22 V
50
70
0.001
110
1
±9/±22
VDD/VSS
1
−40°C 至 +125°C
μA(典型值)
数字输入 = 0 V或VDD
μA(最大值)
μA(典型值)
数字输入 = 0 V或VDD
μA(最大值)
V,最小值/最大值 GND = 0 V
通过设计保证,但未经生产测试。
12 V单电源
除非另有说明,VDD = 12 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V。
表3.
参数
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
350
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
500
4
20
160
280
−40°C 至 +85°C
−40°C 至 +125°C
单位
0 V至VDD
V(最大值)
Ω(典型值)
610
700
21
22
335
370
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
0.01
0.1
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.02
0.2
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
0.2
0.25
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD
(仅ADG5213)
nA(典型值)
0.4
0.4
nA(最大值)
nA(典型值)
VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA;
参见图24
VDD = 10.8 V,VSS = 0 V
VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA
VS = 0 V至10 V,IS = −1 mA
VDD = 13.2 V,VSS = 0 V
VS = 1 V/10 V,VD = 10 V/1 V;
参见图23
VS = 1 V/10 V,VD = 10 V/1 V;
参见图23
VS = VD = 1 V/10 V;
参见图26
0.9
nA(最大值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
μA(典型值)
μA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或VDD
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 8 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 8 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 8 V;参见图29
VS = 6 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF;
参见图31
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图25
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图27
RL = 50 Ω,CL = 5 pF;
参见图28
0.002
±0.1
3
235
290
165
205
85
nA(最大值)
nA(典型值)
测试条件/注释
360
410
235
260
50
电荷注入QINJ
−0.5
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−105
dB(典型值)
通道间串扰
−105
dB(典型值)
−3 dB带宽
340
MHz(典型值)
Rev. 0 | Page 5 of 20
ADG5212/ADG5213
参数
插入损耗
CS(Off)
CD (Off)
CD (On)和CS (On)
电源要求
IDD
25°C
−11
−40°C 至 +85°C
−40°C 至 +125°C
单位
测试条件/注释
dB(典型值)
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图28
VS = 6 V,f = 1 MHz
VS = 6 V,f = 1 MHz
VS = 6 V,f = 1 MHz
3.5
5.5
9
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
40
μA(典型值)
μA(最大值)
V,最小值/最大值
65
9/40
VDD
VDD = 13.2 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V,VSS = 0 V
1 通过设计保证,但未经生产测试。
36 V单电源
除非另有说明,VDD = 36 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V。
表4.
参数
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
150
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
170
1.6
8
35
50
−40°C 至 +85°C
−40°C 至 +125°C
单位
0 V至VDD
V(最大值)
Ω(典型值)
215
245
9
10
60
65
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
0.01
0.1
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.02
0.2
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
0.2
0.25
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD
(仅ADG5213)
nA(典型值)
0.4
0.4
nA(最大值)
nA(典型值)
VS = 0 V至30 V,IS = −1 mA;
参见图24
VDD = 32.4 V,VSS = 0 V
VS = 0 V至30 V,IS =−1 mA
VS = 0 V至30 V,IS =−1 mA
VDD = 39.6 V,VSS = 0 V
VS = 1 V/30 V,VD = 30 V/1 V;
参见图23
VS = 1 V/30 V,VD = 30 V/1 V
参见图23
VS = VD = 1 V/30 V;
参见图26
0.9
nA(最大值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
μA(典型值)
μA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或VDD
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 18 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS = 18 V;参见图30
RL = 300 Ω,CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 18 V;参见图29
VS = 18 V,RS = 0 Ω,CL = 1 nF;
参见图31
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图25
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图27
0.002
±0.1
3
190
230
175
215
45
nA(最大值)
nA(典型值)
测试条件/注释
255
265
230
245
25
电荷注入QINJ
−0.5
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−105
dB(典型值)
通道间串扰
−105
dB(典型值)
Rev. 0 | Page 6 of 20
ADG5212/ADG5213
−3 dB带宽
25°C
410
插入损耗
−6.8
dB(典型值)
3
5
8
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
参数
CS (Off)
CD (Off)
CD
,
电源要求
IDD
(On)
S
−40°C 至 +85°C
80
100
单位
测试条件/注释
MHz(典型值)
RL = 50 Ω,CL = 5 pF;
参见图28
RL = 50 Ω,CL = 5 pF,f = 1 MHz;
参见图28
VS = 18 V,f = 1 MHz
VS = 18 V,f = 1 MHz
VS = 18 V,f = 1 MHz
VDD = 39.6 V
数字输入 = 0 V或VDD
μA(典型值)
μA(最大值)
V,最小值/最大值
130
9/40
VDD
1
−40°C 至 +125°C
GND = 0 V,VSS = 0 V
通过设计保证,但未经生产测试。
每通道连续电流,Sx或Dx
表5.
参数
连续电流,Sx或Dx
VDD = +15 V,VSS = −15 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = +20 V,VSS = −20 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 12 V,VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 36 V,VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
25°C
85°C
125°C
单位
18
32
10
15
5
6
mA(最大值)
mA(最大值)
29
50
16
22
8
9
mA(最大值)
mA(最大值)
18
32
12
17
7
8
mA(最大值)
mA(最大值)
34
59
18
24
8
9
mA(最大值)
mA(最大值)
Rev. 0 | Page 7 of 20
ADG5212/ADG5213
绝对最大额定值
除非另有说明,TA = 25°C。
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
表6.
参数
VDD至VSS
VDD至GND
VDD至GND
模拟输入1
数字输入1
峰值电流,Sx或Dx引脚
连续电流,Sx或Dx2
温度
工作范围
存储范围
结温
热阻θJA
16引脚TSSOP(4层板)
16引脚LFCSP(4层板)
回流焊峰值温度,
无铅
1
2
额定值
48 V
− 0.3 V至+48 V
+0.3 V至− 48 V
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或30 mA,
以最先出现者为准
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或30 mA,
以最先出现者为准
60 mA(1 ms脉冲,最大10%占空比)
坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它
超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断器件
能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
数据 + 15%
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放
电。尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇
到高能量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采
取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功
能丧失。
− 40°C 至+125°C
− 65°C 至+150°C
150°C
112.6°C/W
30.4°C/W
260(+0/−5)°C
INx、Sx和Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定值为限。
参见表5。 .
Rev. 0 | Page 8 of 20
ADG5212/ADG5213
S1 1
VSS 2
TOP VIEW 12 NC
(Not to Scale)
S4 6
11 S3
GND 5
D3
IN4 8
9
IN3
NC = NO CONNECT
TOP VIEW
(Not to Scale)
D4 5
10
S4 4
09767-002
D4 7
GND 3
ADG5212/
ADG5213
图3. LFCSP引脚配置
表7. 引脚功能描述
引脚编号
LFCSP
15
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
EP
引脚名称
IN1
D1
S1
VSS
GND
S4
D4
IN4
IN3
D3
S3
NC
VDD
S2
D2
IN2
底焊盘
描述
逻辑控制输入。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
最低负电源电位。
地(0 V)参考。
源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
逻辑控制输入。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
不连接。这些引脚开路。
最高正电源电位。
源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
底焊盘。底焊盘内部连接。为提高焊接接头的可靠性
并实现最大散热效果,建议将焊盘焊接到基板VSS。
1
N/A表示不适用
表8. ADG5212真值表
ADG5212 INx
1
0
开关条件
开
关
表9. ADG5213真值表
ADG5213 INx
0
1
11 VDD
10 NC
9 S3
NOTES
1. EXPOSED PAD TIED TO SUBSTRATE, VSS.
2. NC = NO CONNECT.
图2. TSSOP引脚配置
TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
1
N/A
12 S2
S1、S4
关
开
S2、S3
开
关
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09767-003
VDD
ADG5212/
ADG5213
14 IN2
S2
13
VSS 4
13 D2
14
D3 8
D2
S1 3
15 IN1
IN2
15
IN3 7
16
D1 2
IN4 6
IN1 1
16 D1
引脚配置和功能描述
ADG5212/ADG5213
典型工作性能
160
TA = 25°C
140
VDD = +18V
VSS = –18V
ON RESISTANCE ( )
100
VDD = +20V
VSS = –20V
80
VDD = +22V
VSS = –22V
60
100
60
40
20
20
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
0
0
5
TA = 25°C
10
15
20
25
30
35
40
VS, VD (V)
图4. RON 与VS 、VD 的关系(双电源)
250
VDD = 39.6V
VSS = 0V
VDD = 36V
VSS = 0V
80
40
0
–25
VDD = 32.4V
VSS = 0V
120
09767-104
ON RESISTANCE ( )
120
TA = 25°C
140
09767-107
160
图7. RON 与VS 、VD 的关系(单电源)
250
VDD = +9V
VSS = –9V
200
VDD = +15V
VSS = –15V
200
ON RESISTANCE ( )
150
VDD = +13.2V
VSS = –13.2V
100
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = +25°C
100
50
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS, VD (V)
0
–15
09767-105
0
–20
500
TA = 25°C
450
160
ON RESISTANCE ( )
250
200
150
15
100
TA = +25°C
80
TA = –40°C
20
60
20
10 6
VS, VD (V)
12
4
14
09767-106
50
0
2
图6. RON 与VS 、VD 的关系(单电源)
TA = +85°C
120
40
8
10
TA = +125°C
140
100
0
5
180
VDD = 12V
VSS = 0V
VDD = 13.2V
VSS = 0V
300
0
200
VDD = 9V
VSS = 0V
350
–5
图8. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±15 V双电源)
VDD = 10.8V
VSS = 0V
400
–10
VS, VD (V)
图5. RON 与VS 、VD 的关系(双电源)
ON RESISTANCE ( )
TA = –40°C
09767-108
50
TA = +85°C
150
09767-109
ON RESISTANCE ( )
TA = +125°C
VDD = +20V
VSS = –20V
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
VS, VD (V)
图9. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±20 V双电源)
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ADG5212/ADG5213
100
400
TA = +125°C
340
TA = +85°C
50
LEAKAGE CURRENT (pA)
300
TA = +25°C
250
200
TA = –40°C
150
100
ID (OFF) – +
VDD = 12V
VSS = 0V
IS (OFF) – +
–50
ID (OFF) + –
–100
ID, IS (ON) – –
2
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = +15V/–15V
–200
0
40
LEAKAGE CURRENT (pA)
ON RESISTANCE ( )
TA = +125°C
150
TA = +85°C
TA = +25°C
100
TA = –40°C
50
10
15
20
25
30
35
ID (OFF) – +
0
VS, VD (V)
IS (OFF) – +
–40
–60
ID (OFF) + –
–80
–100
0
50
IS (OFF) + –
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
–40
–60
ID (OFF) + –
–100
ID, IS (ON) – –
50
75
100
125
ID, IS (ON) + +
125
ID (OFF) – +
100
TEMPERATURE (°C)
IS (OFF) – +
–50
–100
ID (OFF) + –
–150
ID, IS (ON) – –
–200
125
09767-112
VDD = +15V
–120
VSS = –15V
VBIAS = +10V/–10V
–140
0
25
75
0
LEAKAGE CURRENT (pA)
–20
50
图14. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
0
–80
25
TEMPERATURE (°C)
ID, IS (ON) + +
ID (OFF) – +
ID, IS (ON) – –
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
图11. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(36 V单电源)
20
IS (OFF) + –
–20
–140
09767-111
0
LEAKAGE CURRENT (pA)
125
ID, IS (ON) + +
–120
40
100
20
200
5
75
图13. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
VDD = 36V
VSS = 0V
0
50
TEMPERATURE (°C)
图10. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系
(12 V单电源)
250
25
09767-114
0
09767-110
0
ID, IS (ON) + +
0
–150
50
IS (OFF) + –
09767-115
ON RESISTANCE ( )
450
09767-113
500
图12. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/30V
–250
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
图15. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
Rev. 0 | Page 11 of 20
ADG5212/ADG5213
0
0
–20
–40
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–40
ACPSRR (dB)
OFF ISOLATION (dB)
TA = 25°C
VDD = +15V
–20 VSS = –15V
–60
–80
NO DECOUPLING CAPACITORS
–60
–80
–100
–100
–120
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
09767-120
100k
–120
1k
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
图16. 关断隔离与频率的关系(±15 V双电源)
09767-123
DECOUPLING CAPACITORS
–140
10k
图19. ACPSRR与频率的关系(±15 V双电源)
0
0
TA = 25°C
–2 VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
VDD = +15V
–20 VSS = –15V
–4
ATTENUATION (dB)
CROSSTALK (dB)
–40
–60
–80
–100
–6
–8
–10
–12
–14
–16
–120
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
–20
100k
09767-121
100k
1M
10M
图17. 串扰与频率的关系(±15 V双电源)
VDD = +20V
VSS = –20V
10
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
4
CAPACITANCE (pF)
SOURCE/DRAIN ON
VDD = +15V
VSS = –15V
3
2
1
VDD = +36V
VSS = 0V
0
VDD = +12V
VSS = 0V
–1
–2
–20
–10
0
10
20
VS (V)
8
6
DRAIN OFF
4
SOURCE OFF
2
30
40
09767-122
CHARGE INJECTION (pC)
5
图20. 带宽
12
TA = 25°C
SOURCE TO DRAIN
1G
0
–15
–10
–5
0
VS (V)
图21. 电容
图18. 电荷注入与源电压的关系
Rev. 0 | Page 12 of 20
5
10
15
09767-127
6
100M
FREQUENCY (Hz)
09767-125
–18
–140
10k
ADG5212/ADG5213
0
–20
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
TON (+12V)
TON (+36V)
TOFF (+36V)
TOFF (±20V)
TOFF (±15V)
–60
–80
TON (±15V)
TOFF (+12V)
TON (±20V)
–100
–120
–40
–20
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
100
120
09767-126
TIME (ns)
–40
图22. tON 、tOFF 时间与温度的关系
Rev. 0 | Page 13 of 20
ADG5212/ADG5213
测试电路
S
D
ID (OFF)
A
S
A
VS
09767-015
VD
VS
ID (ON)
D
VD
图26. 接通泄漏
图23. 关断泄漏
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
NETWORK
ANALYZER
VOUT
VDD
VSS
S1
RL
50
Dx
IDS
VS
V1
GND
D
RON = V1/IDS
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
图27. 通道间串扰
图24. 导通电阻
VDD
VDD
VSS
0.1µF
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
INx
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
Dx
RL
50
GND
图25. 关断隔离
VS
Dx
VOUT
OFF ISOLATION = 20 log
50
INx
VS
VIN
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
50
50
VIN
RL
50
GND
VOUT
VS
09767-020
0.1µF
VOUT
VS
09767-021
VS
09767-014
S
RL
50
S2
Rev. 0 | Page 14 of 20
OFF ISOLATION = 20 log
图28. 带宽
VOUT
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
09767-028
A
09767-016
IS (OFF)
ADG5212/ADG5213
VDD
VSS
VSS
D1
S2
D2
CL
35pF
RL
300
IN1,
IN2
RL
300
VOUT2
CL
35pF
VOUT1
VOUT2
ADG5213
50%
90%
90%
0V
90%
90%
0V
GND
tD
tD
图29. 先开后合时间延迟tD
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VIN
Sx
VS
ADG5212
50%
50%
VSS
VOUT
Dx
CL
35pF
RL
300
INx
90%
VOUT
90%
GND
tOFF
tON
09767-018
VDD
图30. 开关时间
RS
VS
VDD
VSS
VDD
VSS
S
D
VIN
VOUT
ADG5212
ON
OFF
CL
1nF
IN
VOUT
QINJ = CL × VOUT
GND
图31. 电荷注入
Rev. 0 | Page 15 of 20
VOUT
09767-019
VS2
VOUT1
50%
0V
09767-017
VDD
S1
VS1
VIN
0.1µF
0.1µF
ADG5212/ADG5213
术语
CD (On)和CS (On)
CD (On)和CS (On)表示开关接通时的电容,以地为参考进行
测量。
CIN
CIN表示数字输入电容。
IDD
IDD表示正电源电流。
ISS
ISS表示负电源电流。
VD和VS
VD和VS分别表示引脚Dx和引脚Sx上的模拟电压。
tON
t ON表 示 施 加 数 字 控 制 输 入 与 输 出 开 启 之 间 的 延 迟 时 间
(见图30)。
RON
RON表示引脚Dx与引脚Sx之间的电阻(欧姆)。
ΔRON
ΔRON表示任意两个通道的RON之差。
tOFF
t OFF 表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间
(见图30)。
RFLAT(ON)
RFLAT (ON)表示一种平坦度,定义为在额定模拟信号范围内
测得的导通电阻最大值与最小值之差。
tD
tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时,在两个开
关的80%点之间测得的关断时间。
IS (Off)
IS (Off)表示开关断开时的源极漏电流。
关断隔离
关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号。
ID (Off)
ID (Off)表示开关断开时的漏极漏电流。
电荷注入
电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺
脉冲。
ID (On)和IS (On)
ID (On)、IS (On)表示开关接通时的通道漏电流。
VINL
VINL表示逻辑0的最大输入电压。
串扰
串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的
无用信号。
VINH
VINH表示逻辑1的最小输入电压。
带宽
带宽指输出衰减3 dB的频率。
IINL和IINH
IINL和IINH表示数字输入的低输入电流和高输入电流。
开启响应
开启响应指开关接通时的频率响应。
CD (Off)
CD (Off)表示开关断开时的漏极电容,以地为参考进行
测量。
插入损耗
插入损耗指开关导通电阻引起的损耗。
CS (Off)
CS (Off)表示开关断开时的源极电容,以地为参考进行测量。
交流电源抑制比(ACPSRR)
交流电源抑制比(ACPSRR)表示输出信号的幅度与调制幅
度的比值,用于衡量器件避免将电源电压引脚上的噪声
和杂散信号耦合到开关输出端的能力。该器件的直流电
压由一个0.62 V p-p的正弦波调制。
Rev. 0 | Page 16 of 20
ADG5212/ADG5213
沟槽隔离
在ADG5212和ADG5213中,各CMOS开关的NMOS与PMOS
NMOS
PMOS
P WELL
N WELL
晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟槽)。因此,它与结隔离
式开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而彻底消除了
闩锁现象。
在结隔离中,PMOS和NMOS晶体管的N井和P井形成一个二
极管;在正常工作条件下,该二极管反向偏置。但在过压
条件下,该二极管可能变成正偏。两个晶体管形成一个硅
控整流器(SCR)型电路,导致电流被显著放大,进而引起闩
锁。而在沟槽隔离中则不存在该二极管,因此开关不会发
生闩锁。
TRENCH
HANDLE WAFER
图32. 沟槽隔离
Rev. 0 | Page 17 of 20
09767-022
BURIED OXIDE LAYER
ADG5212/ADG5213
应用信息
ADG52xx系列开关和多路复用器为易于发生闩锁现象的仪
器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环境提供
了稳定可靠的解决方案;闩锁是指一种可能导致器件故障
的不良高电流状态,它在关闭电源之前会持续存在。
ADG5212/ADG5213高压开关支持9 V至40 V的单电源供电和
±9 V至±22 V的双电源供电。
Rev. 0 | Page 18 of 20
ADG5212/ADG5213
外形尺寸
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.30
0.19
0.65
BSC
COPLANARITY
0.10
0.20
0.09
0.75
0.60
0.45
8°
0°
SEATING
PLANE
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
图33. 16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
(RU-16)
尺寸单位:mm
PIN 1
INDICATOR
4.10
4.00 SQ
3.90
0.35
0.30
0.25
0.65
BSC
16
13
PIN 1
INDICATOR
12
1
EXPOSED
PAD
2.70
2.60 SQ
2.50
4
9
0.80
0.75
0.70
0.45
0.40
0.35
BOTTOM VIEW
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.20 REF
SEATING
PLANE
5
8
0.20 MIN
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGC.
08-16-2010-C
TOP VIEW
图34. 16引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ]
4mmx4mm,超薄体
(CP-16-17)尺寸
单位:mm
订购指南
型号1
ADG5212BRUZ
ADG5212BRUZ-RL7
ADG5212BCPZ-RL7
ADG5213BRUZ
ADG5213BRUZ-RL7
ADG5213BCPZ-RL7
1
温度范围
− 40°C 至+125°C
− 40°C 至+125°C
− 40°C 至+125°C
− 40°C 至+125°C
− 40°C 至+125°C
− 40°C 至+125°C
封装描述
16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚 引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ]
16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚 超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚 引脚架构芯片级封装[LFCSP_VQ]
Z = RoHS兼容器件。
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封装选项
RU-16
RU-16
CP-16-17
RU-16
RU-16
CP-16-17
ADG5212/ADG5213
注释
©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D09767-0-4/11(0)
Rev. 0 | Page 20 of 20
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