故障保护和检测、10 Ω RON
四通道SPST开关
ADG5412F/ADG5413F
产品特性
功能框图
过压保护可达−55 V和+55 V
关断保护可达−55 V和+55 V
源极引脚有过压保护
低导通电阻:10 Ω
导通电阻平坦度:0.5 Ω
人体模型(HBM) ESD额定值:5.5 kV
所有条件下都具有防闩锁特性
无数字输入时处于已知状态
模拟信号范围:VSS至VDD
±5 V至±22 V双电源供电
8 V至44 V单电源供电
额定电源电压范围:±15 V、±20 V、+12 V和+36 V
ADG5412F
S1
D1
S2
D2
S3
D3
S4
D4
FF
IN1 IN2 IN3 IN4
NOTES
1. SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
12472-001
FAULT
DETECTION
+ SWITCH
DRIVER
图1. ADG5412F
应用
ADG5413F
S1
D1
S2
D2
S3
D3
S4
D4
FAULT
DETECTION
+ SWITCH
DRIVER
FF
IN1 IN2 IN3 IN4
NOTES
1. SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
12472-200
模拟输入/输出模块
过程控制/分布式控制系统
数据采集
仪器仪表
航空电子
自动测试设备
通信系统
继电器替代方案
图2. ADG5413F
概述
ADG5412F和 ADG5413F内 置 四 个 独 立 控 制 的 单 刀 单 掷
这些开关具有低导通电阻,并且导通电阻在相当大的信号
(SPST)开关。ADG5412F四个开关的接通条件是相关控制
范围内保持平坦,因此,对于要求出色线性度和低失真性
输入为逻辑1。ADG5413F有两个开关的接通条件是相关控
能的数据采集
制输入为逻辑1,另两个开关的控制逻辑则相反。当接通
方案。
时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可
产品特色
扩展至电源电压范围。在整个工作电压范围内,数字输入
1. 源极引脚具有过压保护功能,可以耐受高于供电轨,达
与3 V逻辑输入兼容。
和增益切换应用,这些器件堪称理想解决
到−55 V和+55 V的电压。
没有电源时,开关保持关断状态,开关输入处于高阻态。
正常工作条件下,如果任一Sx引脚上的模拟输入信号电平
2. 在未供电情况下,源极引脚的过压保护范围是−55 V
至+55 V
超过VDD或VSS,并且超出幅度达到阈值电压VT,则该开关
3. 过压检测提供数字输出,指示开关的工作状态。
关断。无论有无供电,相对于地达到+55 V或−55 V的输入
4. 沟道隔离可防止闩锁。
信号电平都会被阻塞。
5. 针对低导通电阻和导通电阻平坦度而优化。
6. ADG5412F/ADG5413F既可采用±5 V至±22 V的双电源
供电,也可采用8 V至44 V的单电源供电。
Rev. 0
Document Feedback
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no
responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other
rights of third parties that may result from its use. Speci cations subject to change without notice. No
license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices.
Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.
Tel: 781.329.4700
©2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
Technical Support
www.analog.com
ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性,请参考ADI提供
的最新英文版数据手册。
ADG5412F/ADG5413F
目录
产品特性 ...........................................................................................1
测试电路 ........................................................................................ 19
应用....................................................................................................1
术语................................................................................................. 23
功能框图 ...........................................................................................1
工作原理 ........................................................................................ 25
概述....................................................................................................1
开关架构 .................................................................................. 25
产品特色 ...........................................................................................1
故障保护 .................................................................................. 26
修订历史 ...........................................................................................2
应用信息 ........................................................................................ 27
规格....................................................................................................3
供电轨....................................................................................... 27
±15 V双电源 ...............................................................................3
电源时序保护.......................................................................... 27
±20 V双电源 ...............................................................................5
信号范围 .................................................................................. 27
12 V单电源..................................................................................7
低阻抗通道保护 ..................................................................... 27
36 V单电源..................................................................................9
高压电涌抑制.......................................................................... 27
每通道连续电流,Sx或Dx ................................................... 11
智能故障检测.......................................................................... 27
绝对最大额定值........................................................................... 12
大电压高频信号 ..................................................................... 27
ESD警告 ................................................................................... 12
外形尺寸 ........................................................................................ 28
引脚配置和功能描述 .................................................................. 13
订购指南 .................................................................................. 28
典型性能参数 ............................................................................... 14
修订历史
2014年7月—修订版0:初始版
Rev. 0 | Page 2 of 28
ADG5412F/ADG5413F
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明,VDD = 15 V ± 10%,VSS = −15 V ± 10%,GND = 0 V,CDECOUPLING = 0.1 µF。
表1.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断漏电流IS
漏极关断漏电流ID
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
+25°C
−40℃至
+85℃
−40℃至
+125℃
VDD 至 VSS
10
11.2
9.5
10.7
0.05
0.5
0.05
0.35
0.6
0.9
0.1
0.4
0.7
±0.1
±0.5
±0.1
±0.5
±0.3
±1.0
14
16.5
13.5
16
0.6
0.7
0.5
0.5
1.1
1.1
0.5
0.5
±4.0
±20
±4.0
±17
±1.4
±4
故障
源极漏电流IS
过压条件下
±78
±40
电源接地或浮空
漏极漏电流ID
过压条件下
±1.2
±4.0
±10
±11
±45
电源接地
电源浮空
±30
±10
±50
±10
±100
±10
数字输入/输出
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
输出高电压VOH
输出低电压VOL
2.0
0.8
±0.7
±1.2
5.0
2.0
0.8
Rev. 0 | Page 3 of 28
单位
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
测试条件/注释
VDD = 13.5 V, VSS = −13.5 V, 参见图31
VS = ±10 V, IS = −10 mA
VS = ±9 V, IS = −10 mA
VS = ±10 V, IS = −10 mA
VS = ±9 V, IS = −10 mA
VS = ±10 V, IS = −10 mA
VS = ±9 V, IS = −10 mA
参见图27
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V
nA(典型值) VS = ±10 V, VD = ∓10 V, 参见图32
nA(最大值)
nA(典型值) VS = ±10 V, VD = ∓10 V, 参见图32
nA(最大值)
nA(典型值) VS = VD = ±10 V, 参见图33
nA(最大值)
µA(典型值) VDD = 16.5 V, VSS = 16.5 V, GND = 0 V, VS =
±55 V, 参见图36
µA(典型值) VDD = 0 V或浮空,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,INx = 0 V或浮空,VS = ±55 V,
参见图37
nA(典型值) VDD = 16.5 V, VSS = 16.5 V, GND = 0 V, VS =
±55 V, 参见图36
nA(最大值)
nA(典型值) VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
INx = 0 V, 参见图37
nA(最大值)
µA(典型值) VDD = 浮空,VSS = 浮空,GND = 0 V,
VS = ±55 V,INx = 0 V,参见图37
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值) VIN = VGND或 VDD
µA(最大值)
pF(典型值)
V(最小值)
V(最大值)
ADG5412F/ADG5413F
参数
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD(仅ADG5413F)
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
中断标志响应时间tDIGRESP
中断标志恢复时间tDIGREC
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
总谐波失真加噪声(THD+N)
−3 dB带宽
插入损耗
CS (O )
CD (O )
CD (On), CS (On)
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD/VSS
1
+25°C
400
495
410
510
285
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
525
550
545
555
185
460
585
720
930
85
60
600
−680
−70
−90
0.0015
615
630
1050
1100
115
85
270
−0.72
13
12
24
0.9
1.2
0.4
0.55
0.5
0.65
1.2
1.6
0.8
1.0
0.5
1.0
1.3
0.6
0.7
1.8
1.1
1.8
±5
±22
通过设计保证,但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 4 of 28
单位
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
µs(典型值)
ns(典型值)
pC(典型值)
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
测试条件/注释
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V, 参见图45
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图40
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图41
CL = 10 pF, 参见图42
CL = 10 pF, 参见图43
CL = 10 pF, RPULLUP = 1 kΩ, 参见图44
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, 参见图47
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, 参见图34
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, 参见图35
RL = 10 kΩ, VS = 15 V p-p, f = 20 Hz 至
20 kHz, 参见图39
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图38
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, 参见图38
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = 16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V,
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
VS = ±55 V
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
GND = 0 V
V(最大值)
GND = 0 V
ADG5412F/ADG5413F
±20 V双电源
除非另有说明,VDD = 20 V ± 10%,VSS = -20 V ± 10%,GND = 0 V,CDECOUPLING = 0.1 µF。
表2.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT(ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断漏电流IS
漏极关断漏电流ID
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
+25°C
−40℃至
+85℃
−40℃至
+125℃
VDD至 VSS
10
11.5
9.5
11
0.05
0.35
0.05
0.35
1.0
1.4
0.1
0.4
0.7
±0.1
±0.5
±0.1
±0.5
±0.3
±1.0
14.5
16.5
14
16.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.5
1.5
0.5
0.5
VS = ±15 V, IS = −10 mA
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
VS = ±15 V, IS = −10 mA
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
±4.0
±17
±1.4
±4.0
±78
µA(典型值 )
±40
µA(典型值 )
±5.0
±1.0
±10
±1.0
电源接地
电源浮空
±30
±10
±50
±10
5.0
2.0
0.8
VS = ±13.5 V, IS = −10 mA
±20
漏极漏电流ID
过压条件下
数字输入电容CIN
输出高电压VOH
输出低电压VOL
VS = ±15 V, IS = −10 mA
±4.0
电源接地或浮空
0.7
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
测试条件/注释
VDD = 18 V, VSS = −18 V, 参见图31
参见图27
VDD = 22 V, VSS = −22 V
nA(典型值 ) VS = ±15 V, VD = ∓15 V, 参见图32
nA(最大值 )
nA(典型值 ) VS = ±15 V, VD = ∓15 V, 参见图32
nA(最大值 )
nA(典型值 ) VS = VD = ±15 V, 参见图33
nA(最大值 )
故障
源极漏电流IS
过压条件下
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
单位
nA(典型值)
±1.0
µA(最大值)
nA(典型值)
VDD = 22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V,
VS = ±55 V, 参见图36
VDD = 0 V或浮空,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,INx = 0 V或浮空,
VS = ±55 V,参见图37
VDD = +22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V,
VS = ±55 V, 参见图36
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS =
±55 V, INx = 0 V, 参见图37
±100
±10
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值 ) VIN = VGND or VDD
µA(最大值 )
pF(典型值 )
V(最小值)
V(最大值)
1.2
Rev. 0 | Page 5 of 28
VDD = 浮空,VSS = 浮空,GND = 0 V,
VS = ±55 V,INx = 0 V,参见图37
ADG5412F/ADG5413F
参数
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD(仅ADG5413F)
400
500
415
515
295
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
−90
总谐波失真加噪声(THD+N)
0.001
−3 dB带宽
插入损耗
270
−0.73
过载恢复时间tRECOVERY
中断标志响应时间tDIGRESP
中断标志恢复时间tDIGREC
CS (O )
CD (O )
CD (On), CS (On)
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD/VSS
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
530
555
550
565
200
370
480
840
1200
85
60
600
−640
−70
过压响应时间tRESPONSE
1
+25°C
500
515
1400
1700
115
85
12
11
23
0.9
1.2
0.4
0.55
0.5
0.65
1.2
1.6
0.8
1.0
0.5
1.0
1.3
0.6
0.7
1.8
1.1
1.8
±5
±22
通过设计保证,但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 6 of 28
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
µs(典型值)
ns(典型值)
pC(典型值)
dB(典型值)
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V, 参见图45
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图40
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图41
CL = 10 pF, 参见图42
CL = 10 pF, 参见图43
CL = 10 pF, RPULLUP = 1 kΩ, 参见图44
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, 参见图47
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图34
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图35
%(典型值)
RL = 10 kΩ, VS = 20 V p-p, f = 20 Hz至
20 kHz,参见图39
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图38
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图38
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = 22 V,VSS = -22 V,数字输入 = 0 V、
5 V或VDD
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
VS = ±55 V
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
GND = 0 V
V(最大值)
GND = 0 V
ADG5412F/ADG5413F
12 V单电源
除非另有说明,VDD = 12 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V,CDECOUPLING = 0.1 µF。
表3.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
漏极关断漏电流ID (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
+25°C
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
0 V至VDD
22
24.5
10
11.2
0.05
0.5
0.05
0.5
12.5
14.5
0.6
0.9
0.7
31
37
14
16.5
0.6
0.7
0.6
0.7
19
23
1.1
1.3
±0.1
单位
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
nA(典型值)
±0.5
±0.1
±4.0
±0.5
±0.3
±1.0
±4.0
±17
±1.4
±4.0
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±78
µA(典型值)
±40
µA(典型值)
故障
源极漏电流IS
过压条件下
电源接地或浮空
漏极漏电流ID
过压条件下
±1.2
±4.0
±10
±11
电源接地
电源浮空
±30
±10
±50
±10
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
0.7
数字输入电容CIN
输出高电压VOH
输出低电压VOL
5.0
2.0
0.8
±20
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(典型值)
±45
nA(最大值)
nA(典型值)
±100
±10
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
V(最小值)
V(最大值)
1.2
Rev. 0 | Page 7 of 28
测试条件/注释
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V, 参见图31
VS = 0 V至10 V, IS = −10 mA
VS = 3.5 V至8.5 V, IS = −10 mA
VS = 0 V至10 V, IS = −10 mA
VS = 3.5 V至8.5 V, IS = −10 mA
VS = 0 V至10 V, IS = −10 mA
Vs = 3.5 V至8.5 V, Is= −10 mA
参见图27
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
参见图32
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
参见图32
VS = VD = 1 V/10 V, 参见图33
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V, GND = 0 V,
VS = ±55 V, 参见图36
VDD = 0 V或浮空,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,INx = 0 V或浮空,
VS = ±55 V,参见图37
VDD = 13.2 V,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,VS = ±55 V,参见图36
VDD = 0 V,VSS = 0 V,GND = 0 V,
VS = ±55 V,INx = 0 V,参见图37
VDD = 浮空,VSS = 浮空,GND = 0 V,
VS = ±55 V,INx = 0 V,参见图37
VIN = VGND或VDD
ADG5412F/ADG5413F
参数
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD(仅ADG5413F)
+25°C
400
485
375
460
260
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
515
540
495
520
170
过压响应时间tRESPONSE
过载恢复时间tRECOVERY
中断标志响应时间tDIGRESP
中断标志恢复时间tDIGREC
电荷注入QINJ
−340
关断隔离
−65
通道间串扰
−90
总谐波失真加噪声(THD + N)
0.007
−3 dB 带宽
插入损耗
270
−0.74
CS (Off )
CD (Off )
CD (On), CS (On)
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD
1
560
660
640
800
85
60
600
700
720
865
960
115
85
16
15
25
0.9
1.2
0.4
0.55
0.5
0.65
1.3
0.6
0.7
单位
测试条件/注释
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
µs(典型值)
ns(典型值)
VS1 = VS2 = 8 V, 参见图45
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图40
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图41
CL = 10 pF, 参见图42
CL = 10 pF, 参见图43
CL = 10 pF, RPULLUP = 1 kΩ,
参见图44
pC(典型值) VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图47
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz
参见图34
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图35
%(典型值)
RL = 10 kΩ, VS = 6 V p-p, f = 20 Hz
至20 kHz, 参见图39
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图38
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz
参见图38
pF(典型值) VS = 6 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 6 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 6 V, f = 1 MHz
VDD = 13.2 V,VSS = 0 V
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
VS = ±55 V
1.2
1.6
0.8
1.0
0.5
1.0
1.8
1.1
1.8
8
44
通过设计保证,但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 8 of 28
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
数字输入 = 5 V
VS = ±55 V, VD = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
ADG5412F/ADG5413F
36 V单电源
除非另有说明,VDD = 36 V ± 10%,VSS = 0 V,GND = 0 V,CDECOUPLING = 0.1 µF。
表4.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
阈值电压VT
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
漏极关断漏电流ID (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
+25°C
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
0 V至V DD
22
24.5
10
11
0.05
0.5
0.05
0.35
12.5
14.5
0.1
0.4
0.7
±0.1
±0.5
±0.1
±0.5
±0.3
±1.0
31
37
14
16.5
0.6
0.7
0.5
0.5
19
23
0.5
0.5
VS = 0 V至30 V, IS = −10 mA
VS = 4.5 V至28 V, IS = −10 mA
VS = 0 V至30 V, IS = −10 mA
VS = 4.5 V至28 V, IS = −10 mA
参见图27
VDD =39.6 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V, 参见图32
±4.0
±17
±1.4
±4.0
±78
µA(典型值)
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V, GND = 0 V,
VS = +55 V, −40 V, 参见图36
±40
µA(典型值)
VDD = 0 V或浮空,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,INx = 0 V或浮空,
VS = +55 V、−40 V,参见图37
nA(典型值)
VDD = 39.6 V,VSS = 0 V或浮空,
GND = 0 V,VS = +55 V、−40 V,
参见图36
±1.2
±4.0
±10
±11
电源接地
电源浮空
±30
±10
±50
±10
5.0
2.0
0.8
VS = 4.5 V至28 V, IS = −10 mA
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
漏极漏电流ID
过压条件下
数字输入电容CIN
输出高电压VOH
输出低电压VOL
VS = 0 V至30 V, IS = −10 mA
±20
电源接地或浮空
0.7
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
V(典型值)
测试条件/注释
VDD = 32.4 V, VSS = 0 V, 参见图31
±4.0
故障
源极漏电流IS
过压条件下
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
单位
±45
nA(最大值)
nA(典型值)
±100
±10
nA(最大值)
µA(典型值)
2.0
0.8
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
V(最小值)
V(最大值)
1.2
Rev. 0 | Page 9 of 28
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V, 参见图32
VS = VD = 1 V/30 V, 参见图33
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS =
+55 V, −40 V, INx = 0 V, 参见图37
VDD = 浮空,VSS = 浮空,
GND = 0 V,VS = +55 V、
−40 V,INx = 0 V,参见图37
VIN = VGND或V DD
ADG5412F/ADG5413F
参数
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD(仅ADG5413F)
400
490
375
460
285
电荷注入QINJ
关断隔离
−70
通道间串扰
−90
总谐波失真加噪声(THD + N)
0.001
−3 dB带宽
插入损耗
270
−0.75
过载恢复时间tRECOVERY
中断标志响应时间tDIGRESP
中断标志恢复时间tDIGREC
CS (Off )
CD (Off )
CD (On), CS (On)
电源要求
正常模式
IDD
IGND
ISS
故障模式
IDD
IGND
ISS
VDD
−40°C至
+85°C
−40°C至
+125°C
520
545
485
510
195
250
350
1500
2000
85
60
600
−610
过压响应时间tRESPONSE
1
+25°C
360
375
2300
2700
115
85
12
11
23
0.9
1.2
0.4
0.55
0.5
0.65
1.2
1.6
0.8
1.0
0.5
1.0
1.3
0.6
0.7
1.8
1.1
1.8
8
44
通过设计保证,但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 10 of 28
单位
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
µs(典型值)
ns(典型值)
pC(典型值)
测试条件/注释
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V, 参见图46
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 18 V, 参见图45
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图40
RL = 1 kΩ, CL = 2 pF, 参见图41
CL = 10 pF, 参见图42
CL = 10 pF, 参见图43
CL = 10 pF, RPULLUP = 1 kΩ, 参见图44
VS = 18 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图47
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图34
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图35
%(典型值)
RL = 10 kΩ, VS = 18 V p-p, f = 20 Hz至
20 kHz, 参见图39
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图38
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz
参见图38
pF(典型值) VS = 18 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 18 V, f = 1 MHz
pF(典型值) VS = 18 V, f = 1 MHz
VDD = 39.6 V,VSS = 0 V,
数字输入 = 0 V、5 V或VDD
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
VS = +55 V, −40 V
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
mA(典型值)
mA(最大值)
V(最小值)
GND = 0 V
V(最大值)
GND = 0 V
ADG5412F/ADG5413F
每通道连续电流,Sx或Dx
表5.
参数
16引脚 TSSOP
θJA = 112.6°C/W
25°C
85°C
125°C
单位
测试条件/注释
83
64
59
48
39
29
mA(最大值)
mA(最大值)
VS = VSS + 4.5 V至VDD − 4.5 V
VS = VSS至VDD
Rev. 0 | Page 11 of 28
ADG5412F/ADG5413F
绝对最大额定值
除非另有说明,TA = 25°C。
注意,等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永
表6.
久性损坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任
参数
VDD至VSS
VDD至GND
VSS至GND
Sx引脚
Sx至VDD或VSS
VS至VD
Dx引脚1
数字输入
峰值电流,Sx或Dx引脚
连续电流,Sx或Dx引脚
数字输出
工作温度范围
存储温度范围
结温
热阻θJA
16引脚TSSOP,θJA热阻(4层板)
回流焊峰值温度,无铅
ESD (HBM: ANSI/ESD STM5.1-2007)
I/O端口至电源
I/O端口至I/O端口
所有其它引脚
1
2
额定值
48 V
−0.3 V至+48 V
−48 V至+0.3 V
−55 V至+55 V
80 V
80 V
VSS − 0.7 V至VDD + 0.7 V或
30 mA,以最先出现者为准
GND − 0.3 V至+48 V
288 mA(1 ms脉冲,
最大10%占空比)
数据2 + 15%
GND − 0.3 V至6 V或30 mA,
以最先出现者为准
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
150°C
何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推
断产品能否正常工作。长期在超出最大额定值条件下工作
会影响产品的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
112.6°C/W
依据JEDEC J-STD-020
5.5 kV
5.5 kV
5.5 kV
Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定值为限。
参见表5。
Rev. 0 | Page 12 of 28
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽
管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能量
ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采取适当的ESD
防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。
ADG5412F/ADG5413F
引脚配置和功能描述
IN1
1
16 IN2
D1
2
15 D2
VSS
4
GND
5
S4
6
D4
7
IN4
8
ADG5412F/
ADG5413F
TOP VIEW
(Not to Scale)
14 S2
13 VDD
12 FF
11 S3
10 D3
9
IN3
12472-002
S1 3
图3. 引脚配置
表7. 引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
引脚名称
IN1
D1
S1
VSS
GND
S4
D4
IN4
IN3
D3
S3
FF
13
14
15
16
VDD
S2
D2
IN2
说明
逻辑控制输入。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
最低负电源电位。
地(0 V)参考。
带过压保护的源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
逻辑控制输入。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
带过压保护的源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
故障标志数字输出。器件正常工作时,该引脚输出高电平;任一Sx输入发生故障时,
该引脚输出低电平。
最高正电源电位。
带过压保护的源极引脚。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚。该引脚可以是输入或输出。
逻辑控制输入。
表8. ADG5412F真值表
INx
1
0
开关条件(S1至S4)
开
关
表9. ADG5413F真值表
开关条件
INx
0
1
S1, S4
关
开
S2, S3
开
关
Rev. 0 | Page 13 of 28
ADG5412F/ADG5413F
典型性能参数
30
VDD = +13.5V
VSS = –13.5V
10
0
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
+125°C
15
+85°C
10
VDD = +15V
VSS = –15V
5
25
+25°C
–40°C
5
20
25
VS, VD (V)
0
–15
–9
–6
–3
0
3
6
9
40
VDD = +20V
VSS = –20V
35
30
VDD = 10.8V
VSS = 0V
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = 12V
VSS = 0V
15
10
VDD = 13.2V
VSS = 0V
5
25
20
+125°C
15
+85°C
10
+25°C
8
0
10 6
12
4
14
VS, VD (V)
12472-005
5
0
–40°C
0
–20
2
–15
–10
–5
0
5
10
40
VDD = 12V
VSS = 0V
35
ON RESISTANCE (Ω)
30
VDD = 32.4V
VSS = 0V
10
VDD = 39.6V
VSS = 0V
5
25
20
+125°C
15
+85°C
10
+25°C
–40°C
5
0
0
5
10
15
20
25
30
VS, VD (V)
35
40
12472-006
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = 36V
VSS = 0V
15
20
图8. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±20 V双电源)
TA = 25°C
20
15
VS, VD (V)
图5. RON 与VS 、VD 的关系(12 V单电源)
25
15
图7. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(±15 V双电源)
TA = 25°C
20
12
VS, VD (V)
图4. RON 与VS 、VD 的关系(双电源)
25
–12
12472-007
ON RESISTANCE (Ω)
15
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
12472-004
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = +18V
VSS = –18V
VDD = +15V
VSS = –15V
35
VDD = +20V
VSS = –20V
20
40
TA = 25°C
12472-008
VDD = +22V
VSS = –22V
图6. RON 与VS 、VD 的关系(36 V单电源)
0
0
2
4
6
8
10
VS, VD (V)
图9. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(12 V单电源)
Rev. 0 | Page 14 of 28
12
12472-009
25
ADG5412F/ADG5413F
40
1
VDD = 36V
VSS = 0V
35
0
20
+125°C
15
+85°C
10
+25°C
–40°C
5
0
4
8
12
16
20
–2
–3
–4
24
28
32
36
VS, VD (V)
–5
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = +10V/–10V
100
120
0
–2
–3
–4
–5
–6
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
–7
0
20
40
80
–4
–6
–8
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
60
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/30V
–2
100
120
TEMPERATURE (°C)
–10
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
20
40
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
12472-014
LEAKAGE CURRENT (nA)
–1
12472-011
LEAKAGE CURRENT (nA)
80
图13. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
0
图14. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
图11. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
5
2
0
VDD = +15V
VSS = –15V
0
–2
LEAKAGE CURRENT (nA)
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = +15V/–15V
–4
–6
–5
–10
–15
–8
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
20
40
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
12472-012
LEAKAGE CURRENT (nA)
60
2
2
1
–10
40
TEMPERATURE (°C)
图10. 不同温度下RON 与VS 、VD 的关系(36 V单电源)
–8
20
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
图12. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
–20
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
图15. 过压漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
Rev. 0 | Page 15 of 28
12472-015
0
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
–1
12472-013
LEAKAGE CURRENT (nA)
25
12472-010
ON RESISTANCE (Ω)
30
ADG5412F/ADG5413F
0
VDD = +20V
VSS = –20V
OFF ISOLATION (dB)
–20
–5
–10
–15
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
–20
–25
0
20
–40
–60
–80
–100
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–120
1k
12472-016
10k
0
1G
–2
CROSSTALK (dB)
–4
–6
–8
–10
VS = –30V
VS = –55V
VS = +30V
VS = +55V
–14
–16
0
20
–40
–60
–80
–100
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–120
10k
100
CHARGE INJECTION (pC)
–4
–6
–8
–10
VS = –38V
VS = –40V
VS = +38V
VS = +55V
0
20
1G
TA = 25°C
–100
VDD = 12V
VSS = 0V
–200
–300
–400
VDD = 36V
VSS = 0V
–500
–600
–700
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
12472-018
–14
100M
0
–2
–12
10M
图20. 串扰与频率的关系(±15 V双电源)
VDD = 12V
VSS = 0V
0
1M
FREQUENCY (Hz)
图17. 过压漏电流与温度的关系(12 V单电源)
2
100k
12472-020
–12
12472-017
LEAKAGE CURRENT (nA)
100M
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
LEAKAGE CURRENT (nA)
10M
图19. 关断隔离与频率的关系(±15 V双电源)
VDD = 12V
VSS = 0V
0
1M
FREQUENCY (Hz)
图16. 过压漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
2
100k
–800
0
5
10
15
20
25
30
35
VS (V)
图21. 电荷注入与源电压(VS )的关系(单电源)
图18. 过压漏电流与温度的关系(36 V单电源)
Rev. 0 | Page 16 of 28
40
12472-021
LEAKAGE CURRENT (nA)
0
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
12472-019
5
ADG5412F/ADG5413F
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–100
–1.0
–1.5
BANDWIDTH (dB)
–200
–300
–400
–500
–600
–800
–20
–15
–10
–5
5
10 0
15
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
VDD = +20V
VSS = –20V
–700
–4.5
20
VS (V)
–5.0
10k
12472-022
100k
1M
图22. 电荷注入与源电压(VS )的关系(双电源)
0
480
460
tON (+12V)
tON (±20V)
tOFF (±15V)
tON (+36V)
tOFF (+12V)
tOFF (±20V)
tON (±15V)
tOFF (+36V)
420
–60
TIME (ns)
–80
400
380
–100
360
–120
340
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
320
–40
12472-023
–140
10k
–20
40
60
80
100
120
100
120
图26. tON 、tOFF 时间与温度的关系
0.9
THRESHOLD VOLTAGE, VT (V)
LOAD = 10kΩ
TA = 25°C
0.015
VDD = 12V, VSS = 0V, VS = 6V p-p
0.010
VDD = 15V, VSS = –15V, VS = 15V p-p
0.005
20
TEMPERATURE (°C)
图23. ACPSRR与频率的关系(±15 V双电源)
0.020
0
12472-026
ACPSRR (dB)
1G
440
–40
VDD = 20V, VSS = –20V, VS = 20V p-p
0.8
0.7
0.6
VDD = 36V, VSS = 0V, VS = 18V p-p
0
0
5000
10000
15000
FREQUENCY (Hz)
20000
12472-024
THD + N (%)
100M
图25. 带宽与频率的关系
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
WITH DECOUPLING CAPACITORS
–20
10M
FREQUENCY (Hz)
图24. THD + N与频率的关系(±15 V双电源)
0.5
–40
–20
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
图27. 阈值电压(VT )与温度的关系
Rev. 0 | Page 17 of 28
12472-027
CHARGE INJECTION (pC)
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–0.5
0
12472-025
100
ADG5412F/ADG5413F
24
TA = 25°C
VDD = +10V
VSS = –10V
T
SOURCE
SIGNAL VOLTAGE (V p-p)
20
VDD
DRAIN
CH2 5.00V
M400ns
A CH2
T
–10.00ns
10.1V
0
DRAIN
VSS
–14.7V
12472-029
SOURCE
M400ns
A CH2
T
–10.00ns
10
图30. 大电压信号跟踪与频率的关系
1
CH2 5.00V
1
FREQUENCY (MHz)
图28. 漏极输出对正过压的响应
CH1 5.00V
CH3 5.00V
DISTORTIONLESS
OPERATING
REGION
8
4
12472-028
CH1 5.00V
CH3 5.00V
12
图29. 漏极输出对负过压的响应
Rev. 0 | Page 18 of 28
100
12472-030
2
16
ADG5412F/ADG5413F
测试电路
IDS
RON = V/IDS
ID (OFF)
Dx
VDD = VSS = GND = 0V
A
VD
RL
10kΩ
ID (ON)
NC = NO CONNECT
A
VD
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD
图33. 导通泄漏
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
VDD
VS
0.1µF
VDD
Dx
VIN
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
50Ω
50Ω
INx
RL
50Ω
GND
INSERTION LOSS = 20 log
VS
Dx
VIN
RL
50Ω
GND
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
图38. 带宽
OFF ISOLATION = 20 log
VOUT
VS
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD
图34. 关断隔离
AUDIO
PRECISION
VSS
RS
Sx
0.1µF
VDD
VSS
Dx
VIN
NETWORK
ANALYZER
S1
RL
50Ω
GND
Dx
图39. THD + N
S2
VS
GND
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
RL
10kΩ
VOUT
VOUT
VS
12472-045
RL
50Ω
VS
V p-p
INx
VSS
图35. 通道间串扰
Rev. 0 | Page 19 of 28
VOUT
12472-047
VDD
0.1µF
VOUT
VOUT
12472-044
0.1µF
50Ω
INx
VSS
12472-046
Dx
A
图37. 开关未供电泄漏
12472-033
Sx
ID
Dx
VS
图32. 关断泄漏
NC
Sx
A
12472-032
VS
IS
12472-035
Sx
RL
10kΩ
图36. 开关过压泄漏
图31. 导通电阻
A
A
|VS| > |VDD| OR |VSS|
Dx
IS (OFF)
ID
Dx
12472-031
Sx
VS
Sx
A
12472-034
IS
V
ADG5412F/ADG5413F
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1
VD
D1
CL*
2pF
VS
0V
ADG5412F/
ADG5413F
tRESPONSE
VDD – 0.9V
RL
1kΩ
S2 TO S4
OUTPUT
(VD)
12472-036
GND
0V
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
图40. 过压响应时间tRESPONSE
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
0V
VSS
S1
VD
D1
CL*
2pF
VS
ADG5412F/
ADG5413F
tRECOVERY
RL
1kΩ
S2 TO S4
OUTPUT
(VD)
1V
0V
12472-037
GND
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
图41. 过压恢复时间tRECOVERY
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1
D1
VS
0V
S2 TO S4
ADG5412F/
ADG5413F
tDIGRESP
FF
OUTPUT
(VFF)
GND
0.1VOUT
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
图42. 中断标志响应时间tDIGRESP
Rev. 0 | Page 20 of 28
12472-038
0V
CL*
12pF
ADG5412F/ADG5413F
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1
D1
VS
S2 TO S4
0V
ADG5412F/
ADG5413F
FF
tDIGREC
CL*
12pF
0.9VOUT
OUTPUT
(VFF)
0V
12472-039
GND
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
图43. 中断标志恢复时间tDIGREC
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
S1
VS
D1
S2 TO S4
0V
5V
ADG5412F/
ADG5413F
tDIGREC
RPULLUP
1kΩ
OUTPUT
FF
5V
CL*
12pF
3V
GND
0V
12472-040
OUTPUT
(VFF)
*INCLUDES TRACK CAPACITANCE
图44. 中断标志恢复时间tDIGREC (使用1 kΩ上拉电阻)
VSS
VDD
S1
VSS
D1
S2
VS2
D2
RL
300Ω
IN1,
IN2
VOUT2
RL
300Ω
CL
35pF
VOUT1
CL
35pF
VOUT1
VOUT2
ADG5413F
50%
0V
50%
90%
90%
0V
90%
90%
0V
GND
tD
tD
图45. 先开后合时间延迟tD
VDD
VSS
ADG5412F/
ADG5413F
0.1µF
0.1µF
VIN
VDD
Sx
VS
50%
50%
VSS
VOUT
Dx
RL
300Ω
INx
CL
35pF
90%
VOUT
10%
GND
tON
图46. 开关时间tON 和tOFF
Rev. 0 | Page 21 of 28
tOFF
12472-042
VS1
VIN
0.1µF
12472-041
VDD
0.1µF
ADG5412F/ADG5413F
RS
VS
VDD
VSS
VDD
VSS
Sx
Dx
0.1µF
VOUT
VIN
ADG5412F/
ADG5413F
OFF
ON
CL
1nF
INx
VOUT
GND
QINJ = CL × ΔV OUT
ΔVOUT
12472-043
0.1µF
图47. 电荷注入QINJ
Rev. 0 | Page 22 of 28
ADG5412F/ADG5413F
术语
tOFF
IDD
tOFF表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间(见
IDD表示正电源电流。
图46)。
ISS
tD
ISS表示负电源电流。
tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时,在两个
VD和VS
开关的90%点之间测得的关断时间。
VD和VS分别表示Dx引脚和Sx引脚上的模拟电压。
tDIGRESP
RON
tDIGRESP指FF引脚变为低电平(0.3 V)所需的时间,以源极引脚
RON表示Dx引脚与Sx引脚之间的电阻(欧姆)。
上的电压超过电源电压0.5 V为基准进行测量。
∆RON
tDIGREC
ΔRON表示任意两个通道的RON之差。
tDIGREC指FF引脚变回高电平所需的时间,以Sx引脚上的电压
RFLAT (ON)
RFLAT(ON)表示平坦度,定义为在额定模拟信号范围内测得的
降至电源电压加0.5 V以下为基准进行测量。
导通电阻最大值与最小值之差。
tRESPONSE
IS (Off)
源电压的90%之间的延迟时间。
tRESPONSE表示源极电压超过电源电压0.5 V与漏极电压降至电
IS (Off)表示开关断开时的源极漏电流。
tRECOVERY
ID (Off)
tRECOVERY表示Sx引脚上的过压降至电源电压加0.5 V以下与漏
ID (Off)表示开关断开时的漏极漏电流。
极电压从0 V升至电源电压的10%之间的延迟时间。
ID (On)和IS (On)
关断隔离
ID (On)和IS (On)表示开关接通时的通道漏电流。
关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号。
VINL
电荷注入
VINL表示逻辑0的最大输入电压。
电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺
VINH
脉冲。
VINH表示逻辑1的最小输入电压。
通道间串扰
IINL和IINH
串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的
IINL和IINH表示数字输入的最低和最高输入电流。
无用信号。
CD (Off)
−3 dB带宽
CD (Off)表示开关断开时的漏极电容,以地为参考进行测量。
带宽指输出衰减3 dB的频率。
CS (Off)
开启响应
CS (Off)表示开关断开时的源极电容,以地为参考进行测量。
开启响应指开关接通时的频率响应。
CD (On),CS (On)
插入损耗
CD(On)和CS(On)表示开关接通时的电容,以地为参考进行
插入损耗指开关导通电阻引起的损耗。
测量。
总谐波失真加噪声(THD + N)
CIN
THD + N表示信号的谐波幅度加噪声与基波的比值。
CIN表示数字输入电容。
tON
tON表示施加数字控制输入与输出开启之间的延迟时间(见
图46)。
Rev. 0 | Page 23 of 28
ADG5412F/ADG5413F
交流电源抑制比(ACPSRR)
VT
ACPSRR表示输出信号的幅度与调制幅度的比值,用于衡量
VT表示过压保护电路启动的电压阈值。参见图27
器件避免将电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开关
输出端的能力。该器件的直流电压由一个0.62 V p-p的正弦
波调制。
Rev. 0 | Page 24 of 28
ADG5412F/ADG5413F
工作原理
开关架构
过压期间,流入流出源极引脚的漏电流以数十μA为限,
ADG5412F/ADG5413F的 每 个 通 道 由 一 对 NDMOS和
而漏极引脚仅为数十nA。该限制可以防止开关和相连电
PDMOS晶体管并联而成。这种结构可在信号范围内提供
路发生过应力状况,并且限制从信号源吸取的电流。发生
出 色 的 性 能 。 当 输 入 信 号 电 压 介 于 V SS 和 V DD 之 间 时 ,
过压事件时,不受过压输入干扰的通道继续正常工作,不
ADG5412F /ADG5413F各通道用作标准开关。例如,导通
会产生额外的串扰。
电阻典型值为10 Ω,开关的断开或闭合通过相应的控制引
脚INx控制。
ESD性能
ADG5412F /ADG5413F具有5.5 kV的人体模型(HBM) ESD
利用其它内部电路,开关可以将源极引脚上的电压与VDD
额定值。
和VSS进行比较,从而检测过压输入。如果信号电压比电
漏极引脚具有ESD保护二极管,提供针对供电轨的保护;
源电压高出电压阈值VT,则认为该信号过压。阈值电压典
型值为0.7 V,但可能在0.8 V(在−40°C下工作时)至0.6 V(在
+125°C下工作时)范围内变动。VT变化与工作温度的关系
参见图27。
任何源极输入上能够施加的最大电压为+55 V或−55 V。当
器件由25 V或更大的单电源供电时,最大信号电平从−55 V
降至−40 V(VDD = 40 V时),以便保持最大额定值80 V。当
开关断开时,通道的工艺结构可以承受80 V电压。无论电
源存在与否,这些过压限值均适用。
ESD
PROTECTION
ESD保护功能,允许信号电压达到±55 V而无论电源电压水
平如何。开关通道概览参见图48。
沟道隔离
在 ADG5412F和 ADG5413F中 , 各 开 关 的 NDMOS与
PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟道)。因此,它
与结隔离式开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而消
除了所有情况下的闩锁现象。这些器件通过了持续1秒的
±500 mA JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。
VDD
ESD
DIODE
Sx
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
Dx
SWITCH
DRIVER
ESD
DIODE
VSS
AND
12472-048
FAULT
DETECTOR
INx
这些引脚的电压不可超过电源电压。源极引脚具有专项
图48. 开关通道和控制功能
源极引脚上检测到过压条件时,无论处于何种数字逻辑状
态INx,开关都会自动断开。源极和漏极引脚均变为高阻
上的电压跟随源极引脚上的电压,直到开关完全关断,漏
极电压通过负载放电。漏极上的最大电压由内部ESD二极
TRENCH
BURIED OXIDE LAYER
管限制,并且输出电压的放电速率取决于引脚上的负载。
HANDLE WAFER
ADG5412F /ADG5413F是引脚兼容器件,源极和漏极引脚
图49. 沟道隔离
均具有过压保护功能。
Rev. 0 | Page 25 of 28
12472-049
态,确保无电流通过开关。在图28中可以看到,漏极引脚
ADG5412F/ADG5413F
故障保护
+22V
0V
–22V
VDD
GND
VSS
当源极输入电压比VDD或VSS高出VT时,开关关断,或者,
如果器件未供电,开关将保持关断状态。开关输入将保持
高阻态,与数字输入状态或负载电阻无关,输出充当虚拟
S1
+22V
开路。无论是否供电,只要源极和电源引脚之间达到80 V限
�55V
值,就会阻塞最高+55 V和−55 V的信号电平。
+55V
ADG5413F
D1
S2
D2
S3
D3
S4
D4
上电保护
• VDD至VSS ≥ 8 V
• 输入信号介于VSS − VT和VDD + VT之间
5V
• 数字逻辑控制输入INx开启
FF
IN1 IN2 IN3 IN4
0V
12472-050
FAULT
DETECTION
+ SWITCH
DRIVER
开关处于接通状态必须满足以下三个条件:
图50. 过压条件下多路复用器配置中的ADG5413F
当开关接通时,最高达到供电轨的信号电平可以通过。
当模拟输入比VDD或VSS高出阈值电压VT时,开关关断。绝
断电保护
对输入电压限值是−55 V和+55 V,同时源极引脚和供电轨之
没有电源时,开关保持关断状态,开关输入处于高阻态。
间需要保持80 V限值。开关将一直处于关断状态,直到源极
这种状态可确保没有电流流动,防止开关或下游电路受
引脚上的电压回到VDD与VSS之间。
损。开关输出为虚拟开路。
采用±15 V双电源供电时,故障响应时间(tRESPONSE)典型值为
无论VDD和VSS电源是0 V还是浮空,开关均保持关断状态。
460 ns,故障恢复时间(tRECOVERY)为720 ns。这些时间会因电
为确保正常工作,GND基准必须始终存在。在未供电条件
源电压和输出负载条件不同而改变。
下,高达±55 V的信号电平会被阻塞。
任一源极输入电压超过±55 V时,可能会损坏器件上的ESD
数字输入保护
保护电路。
无电源时,ADG5412F和ADG5413F可以容忍器件上存在数
开关通道上的最大应力为80 V,因此,当器件用于多路复用
配置中,并且一个通道接通而另一个通道发生故障时,用
无论数字逻辑信号处于何种状态。
数字输入受到最高44 V的正过压故障保护。数字输入未提供
户必须密切注意此限值。
负 过 压 保 护 。 数 字 输 入 上 存 在 ESD保 护 二 极 管 (连 接 到
例如,考虑器件用在图50所示的多路复用器配置中。
GND)。
• VDD/VSS = ±22 V,S1 = 22 V,所有开关接通
过压中断标志
• D1在外部与D2复用;因此,D1和D2 = 22 V
ADG5412F和ADG5413F源极输入上的电压受到连续监控,
• S2发生−55 V故障,S3发生+55 V故障
• S2与D1之间或S2与D2之间的电压 = +22 V − (−55 V) = +77 V
• S3与D3之间的电压 = 55 V− 0 V = 55 V
这些计算全都在器件规格范围内:源极输入故障最大值为
55 V,关断开关通道上的最大电压为80 V。
字输入信号。未向器件供电时,开关保证处于关断状态,
开关的状态由低电平有效数字输出引脚FF指示。
FF引脚上的电压指示是否有任何源极输入引脚发生故障。
当所有源极引脚都在正常工作范围内时,FF引脚的输出为
标称值3 V。若有任何源极引脚电压比电源电压高出VT,FF
输出就会降至0.8 V以下。
Rev. 0 | Page 26 of 28
ADG5412F/ADG5413F
应用信息
某些仪器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环
利 用 ADG5412F/ADG5413F, 设 计 人 员 可 以 消 除 这 些 电
境中可能存在过压信号,过压发生期间及之后,系统均必
阻,从而保持电路精度性能不变,同时又不损害对电路的
须保持工作状态,过压保护系列开关和多路复用器为这些
保护。
应用提供了稳定可靠的解决方案。
高压电涌抑制
供电轨
ADG5412F/ADG5413F并非针对极高电压应用而设计。晶体
为保证器件正常工作,需要0.1 µF去耦电容。
管的最大工作电压为80 V。在输入过压可能超过击穿电压的
ADG5412F和ADG5413F可以采用±5 V到±22 V的双极性电源
应用中,应使用瞬变电压抑制器(TVS)或类似产品。
供电。VDD和VSS上的电源不必对称,但VDD至VSS范围不得超
智能故障检测
过44 V。ADG5412F和ADG5413F也可以采用8 V到44 V的单
ADG5412F/ADG5413F的数字输出引脚FF可以与微处理器或
电源供电,此时VSS连接到GND。
控制系统接口,并用作中断标志。该特性可提供关于器件
这些器件的额定电源电压范围为±15 V、±20 V、+12 V
状态以及与之相连的系统的实时诊断信息。
和+36 V。
控制系统可以利用数字中断启动各种操作,例如:
电源时序保护
• 启动对过压故障源的探查
器件未供电时,开关通道保持断开,可以施加−55 V至+55 V
• 作为对过压的响应,关断关键系统
的信号而不会损坏器件。仅当连接电源,将一个适当的数
• 数据记录仪将这些事件中的数据标记为不可靠或不合
字控制信号置于INx引脚且信号处于正常工作范围内时,开
要求
关通道才会闭合。某些系统在电源电压可用之前就会将信
对于在启动期间较为敏感的系统,该标志的低电平有效工
号提供给源极引脚,对此,把ADG5412F/ADG5413F放在外
作模式可确保系统开始工作之前,ADG5412F/ADG5413F已
部连接器与敏感器件之间可提供保护。
上电,并且所有输入电压皆在正常工作范围以内。
信号范围
FF引脚为弱上拉,对于包含多个器件的较大模块,可以将
ADG5412F/ADG5413F开关的输入端具有过压检测电路,
多个信号合并为单一中断。
可将源极引脚上的电压与VDD和VSS进行比较。为保护下游
使用1 kΩ上拉电阻时,恢复时间tDIGREC可以从典型值60 µs缩
电路不受过压损害,应向ADG5412F/ADG5413F提供与目
标信号范围匹配的电压。这些低导通电阻开关允许高达供
短到600 ns。
电轨的信号以非常小的失真通过。比供电轨高出阈值电压
大电压高频信号
的信号会被阻塞。该信号模块可以保护开关器件及所有下
图30显示了ADG5412F/ADG5413F能够可靠传送的电压范围
游电路。
和频率。对于覆盖从VSS到VDD的全部信号范围的信号,频
率应低于3 MHz。如果要求的频率大于3 MHz,则应当相应
低阻抗通道保护
在对通道阻抗和过压信号均很敏感的信号链中,
地缩小信号范围,以确保信号完整性。
ADG5412F/ADG5413F可以用作保护元件。传统上利用串联
电阻来限制过压期间的电流,以便保护易受影响的器件。
这种串联电阻会影响信号链的性能,降低可以达到的精
度。必须权衡串联电阻的值:它既要足够高以保护敏感器
件,又要足够低以保证信号链的精度性能不受影响。
Rev. 0 | Page 27 of 28
ADG5412F/ADG5413F
外形尺寸
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.30
0.19
0.65
BSC
COPLANARITY
0.10
0.20
0.09
SEATING
PLANE
8°
0°
0.75
0.60
0.45
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
图51. 16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
(RU-16)
图示尺寸单位:mm
订购指南
型号1
ADG5412FBRUZ
ADG5412FBRUZ-RL7
ADG5413FBRUZ
ADG5413FBRUZ-RL7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
Z = 符合RoHS标准的器件。
©2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D12472sc-0-7/14(0)
Rev. 0 | Page 28 of 28
封装选项
RU-16
RU-16
RU-16
RU-16