高压防闩锁型双通道SPST开关
ADG5421/ADG5423
产品特性
功能框图
所有条件下都具有防闩锁特性
人体模型(HBM)ESD额定值：8 kV
低导通电阻：13.5 Ω
±9 V至±22 V双电源供电
9 V至40 V单电源供电
最大额定电源电压：48 V
额定电源电压范围：±15 V、±20 V、+12 V和+36 V
模拟信号范围：VDD至VSS
ADG5421
S1
IN1
D1
D2
IN2
SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 0 INPUT
11369-001
S2
图1. ADG5421
应用
高压信号路由
自动测试设备
模拟前端电路
精密数据采集系统
工业仪器仪表
放大器增益选择
继电器替代方案
ADG5423
S1
IN1
D1
D2
IN2
SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 0 INPUT
11369-002
S2
图2. ADG5423
概述
ADG5421/ADG5423是单芯片工业用互补金属氧化物半导
体(CMOS)模拟开关，内置两个独立的防闩锁单刀单掷
(SPST)开关。接通时，各开双向的导电性能相同，输入信
号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源
电压的信号电平被阻止。BothADG5421开关在逻辑1输入
时接通，ADG5423在逻辑1输入时一个开关接通，一个开
关断开。ADG5423为先开后合式开关，适合多路复用器
应用。
这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于低失
真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决
方案。防闩锁结构以及高ESD额定值使这些开关在恶劣环
境下具有更佳的稳定性。
Rev. 0
产品特色
1. 沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体
管分开，保证即使在严重过压状况下，也不会发生闩锁
现象。
2. 低导通电阻：13.5 Ω。
3. 双电源供电。对于双极性模拟信号应用，ADG5421/
ADG5423可以采用高达±22 V的双电源供电。
4. 单电源供电。对于单极性模拟信号应用，ADG5421/
ADG5423可以采用最高40 V的单电源供电。
5. 3 V逻辑兼容数字输入：VINH = 2.0 V，VINL = 0.8 V。
6. 无需VL逻辑电源。
7. 提供10引脚MSOP封装。
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ADG5421/ADG5423
目录
产品特性 ......................................................................................... 1
应用.................................................................................................. 1
功能框图 ......................................................................................... 1
概述.................................................................................................. 1
产品特色 ......................................................................................... 1
修订历史 ......................................................................................... 2
技术规格 ......................................................................................... 3
±15 V双电源 ............................................................................. 3
±20 V双电源 ............................................................................. 4
12 V单电源................................................................................ 5
36 V单电源................................................................................ 6
每通道连续电流，Sx或Dx .................................................... 7
绝对最大额定值............................................................................ 8
ESD警告..................................................................................... 8
引脚配置和功能描述 ................................................................... 9
典型性能参数 .............................................................................. 10
测试电路 ....................................................................................... 13
术语................................................................................................ 15
应用信息 ....................................................................................... 16
沟道隔离.................................................................................. 16
外形尺寸 ....................................................................................... 17
订购指南.................................................................................. 17
修订历史
2013年9月—修订版0：初始版
Rev. 0 | Page 2 of 20
ADG5421/ADG5423
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明，VDD = +15 V ± 10%，VSS = −15 V ± 10%，GND = 0 V。
表1.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
13.5
15
0.1
0.8
1.8
2.2
±0.05
±0.25
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
VDD至VSS
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
19
23
1.3
1.4
2.7
3.1
±1
±10
±1
±10
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±4
±20
nA(典型值)
nA(最大值)
2.0
0.8
0.002
±0.1
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
数字输入电容CIN
6
tOFF
先开后合时间延迟tD(仅ADG5423)
185
220
163
196
73
电荷注入QINJ
95
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−55
dB(典型值)
通道间串扰
−85
dB(典型值)
总谐波失真加噪声
0.01
%(典型值)
−3 dB带宽
插入损耗
250
−1
MHz(典型值)
dB(典型值)
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
12
13
44
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
45
55
0.001
µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值)
动态特性1
tON
电源要求
IDD
ISS
VDD/VSS
1
25°C
273
313
219
242
21
70
1
±9/±22
通过设计保证，但未经生产测试。
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测试条件/注释
VS = ±10 V，IS = −10 mA；参见图24
VDD = +13.5 V，VSS = −13.5 V
VS = ±10 V，IS = −10 mA
VS = ±10 V，IS = −10 mA
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V
VS = ±10 V，VD = 10 V；参见图23
VS = ±10 V，VD = 10 V；参见图23
VS = VD = ±10 V；参见图22
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V；参见图31
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；
参见图30
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图28
RL = 1 kΩ，15 V p-p，f = 20 Hz至kHz；
参见图26
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图27
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VDD = +16.5 V，VSS = −16.5 V
数字输入 = 0 V或VDD
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
ADG5421/ADG5423
±20 V双电源
除非另有说明，VDD = +20 V ± 10%，VSS = −20 V ± 10%，GND = 0 V。
表2.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
12.5
14
0.1
0.8
2.3
2.7
±0.05
±0.25
±0.05
±0.25
±0.1
±0.4
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
VDD至VSS
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
18
22
1.3
1.4
3.3
3.7
±1
±10
±1
±10
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
±4
±20
nA(典型值)
nA(最大值)
2.0
0.8
6
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
168
ns(典型值)
0.002
±0.1
先开后合时间延迟tD(仅ADG5423)
199
156
184
65
电荷注入QINJ
120
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−55
dB(典型值)
通道间串扰
−85
dB(典型值)
总谐波失真加噪声
0.01
%(典型值)
−3 dB带宽
插入损耗
250
−0.8
MHz(典型值)
dB(典型值)
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
11
12
44
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
50
70
0.001
µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值)
tOFF
电源要求
IDD
ISS
VDD/VSS
1
25°C
243
276
204
218
38
110
1
±9/±22
通过设计保证，但未经生产测试。
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测试条件/注释
VS = ±15 V，IS = −10 mA；参见图24
VDD = +18 V，VSS = −18 V
VS = ±15 V，IS = −10 mA
VS = ±15 V，IS = −10 mA
VDD = +22 V，VSS = −22 V
VS = ±15 V，VD = 15 V；参见图23
VS = ±15 V，VD = 15 V；参见图23
VS = VD = ±15 V；参见图22
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω，CL = 35 pF，VS = 10 V；
参见图29
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V；参见图31
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；
参见图30
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图28
RL = 1 kΩ，20 V p-p，f = 20 Hz至
20 kHz；参见图26
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图27
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VS = 0 V，f = 1 MHz
VDD = +22 V，VSS = −22 V
数字输入 = 0 V或VDD
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
ADG5421/ADG5423
12 V单电源
除非另有说明，VDD = 12 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表3.
参数
25°C
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
26
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
30
0.1
1
5.5
6.8
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
0 V to VDD
V
Ω(典型值)
38
44
1.5
1.6
8.3
12.3
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
±0.05
±0.25
±0.05
±1
漏极关断泄漏ID (Off)
±0.25
±0.1
±0.4
±1
±10
±4
±20
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
nA(典型值)
±10
2.0
0.8
0.002
±0.1
6
nA(最大值)
nA(典型值)
55
关断隔离
−55
dB(典型值)
通道间串扰
−85
dB(典型值)
总谐波失真加噪声
0.03
%(典型值)
−3 dB带宽
插入损耗
290
−1.7
MHz(典型值)
dB(典型值)
14
15
38
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
电源要求
IDD
VDD
295
78
40
50
65
9/40
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 5 of 20
VS = 1 V至10 V，VD = 10 V至1 V；
参见图23
VIN = VGND或VDD
电荷注入QINJ
273
VDD = +13.2 V，VSS = 0 V
VS = 1 V至10 V，VD = 10 V至1 V；
参见图23
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
先开后合时间延迟tD(仅ADG5423)
540
VS = 0 V至10 V，IS = −10 mA
VS = VD = 1 V至10 V；参见图22
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
470
VS = 0 V至10 V，IS = −10 mA；
参见图24
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
VS = 0 V至10 V，IS = −10 mA
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
295
370
192
235
142
tOFF
1
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
测试条件/注释
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值)
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 8 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 8 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 8 V；参见图31
VS = 6 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；
参见图30
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图28
RL = 1 kΩ，6 V p-p，f = 20 Hz至
20 kHz；参见图26
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图27
VS = 6 V，f = 1 MHz
VS = 6 V，f = 1 MHz
VS = 6 V，f = 1 MHz
VDD = 13.2 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V，VSS = 0 V
ADG5421/ADG5423
36 V单电源
除非另有说明，VDD = 36 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表4.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配∆RON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
14.5
16
0.1
0.8
3.5
4.3
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
0 V至VDD
V
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
20
24
1.3
1.4
5.5
6.5
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
±0.05
±0.25
±0.05
±1
漏极关断泄漏ID (Off)
±0.25
±0.1
±0.4
±1
±10
±4
±20
通道接通泄漏ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
tON
tOFF
先开后合时间延迟tD
(仅ADG5423)
nA(典型值)
±10
2.0
0.8
0.002
±0.1
6
181
210
170
192
66
245
280
205
220
37
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
总谐波失真加噪声
110
−55
−85
0.01
−3 dB带宽
插入损耗
260
−0.9
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
13
16
38
电源要求
IDD
VDD
1
80
100
130
9/40
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 6 of 20
nA(最大值)
nA(典型值)
测试条件/注释
VS = 0 V至30 V，IS = −10 mA；参见图24
VDD = 32.4 V，VSS = 0 V
VS = 0 V至30 V，IS = −10 mA
VS = 0 V至30 V，IS = −10 mA
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V
VS = 1 V至30 V，VD = 30 V至1 V；
参见图23
VS = 1 V至30 V，VD = 30 V至1 V；
参见图23
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
VS = VD = 1 V至30 V；参见图22
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或VDD
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 18 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
VS = 18 V；参见图29
RL = 300 Ω，CL = 35 pF
ns(最小值)
pC(典型值)
dB(典型值)
dB(典型值)
%(典型值)
VS1 = VS2 = 18 V；参见图31
VS = 18 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；参见图30
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图28
RL = 1 kΩ，18 V p-p，f = 20 Hz至20 kHz；
参见图26
MHz(典型值) RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
dB(典型值)
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；
参见图27
pF(典型值)
VS = 18 V，f = 1 MHz
pF(典型值)
VS = 18 V，f = 1 MHz
pF(典型值)
VS = 18 V，f = 1 MHz
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/
最大值)
VDD = 39.6 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V，VSS = 0 V
ADG5421/ADG5423
每通道连续电流，Sx或Dx
表5.
参数
连续电流，Sx或Dx
VDD = +15 V，VSS = −15 V
VDD = +20 V，VSS = −20 V
VDD = 12 V，VSS = 0 V
VDD = 36 V，VSS = 0 V
25°C
85°C
125°C
单位
84
89
67
87
58
60
47
59
39
41
32
40
mA(最大值)
mA(最大值)
mA(最大值)
mA(最大值)
测试条件/注释
MSOP (θJA = 133.1°C/W)
Rev. 0 | Page 7 of 20
ADG5421/ADG5423
绝对最大额定值
除非另有说明，TA = 25°C。
表6.
参数
VDD至VSS
VDD至GND
VSS至GND
模拟输入1
数字输入1
峰值电流，Sx或Dx引脚
连续电流，Sx或Dx2
温度范围
工作温度
存储
结温
热阻θJA
10引脚 MSOP(4层板)
回流焊峰值
温度，无铅
人体模型(HBM)ESD
1
2
额定值
48 V
−0.3 V至+48 V
+0.3 V至−48 V
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
300 mA(1 ms脉冲，最大10%
占空比)
数据 + 15%
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性
损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器
件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影
响器件的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
150°C
133.1°C/W
依据JEDEC J-STD-020
8 kV
INx、Sx和Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定
值为限。
参见表5。
Rev. 0 | Page 8 of 20
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽
管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量
ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD
防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
ADG5421/ADG5423
S1 1
10
D1
S2 2
9
D2
8
VSS
7
IN1
6
IN2
NC 3
GND 4
VDD 5
ADG5421/
ADG5423
TOP VIEW
(Not to Scale)
NOTES
1. NC = NO CONNECT. NOT INTERNALLY CONNECTED.
11369-003
引脚配置和功能描述
图3. 引脚配置
表7. 引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
S1
S2
NC
GND
VDD
IN2
IN1
VSS
D2
D1
说明
源极引脚1。该引脚可以是输入或输出。
源极引脚2。该引脚可以是输入或输出。
不连接。内部不连接。
地(0 V)参考。
最高正电源电位。
逻辑控制输入。
逻辑控制输入。
最低负电源电位。
漏极引脚2。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚1。该引脚可以是输入或输出。
表8. ADG5421真值表
INx
0
1
开关条件
关
开
表9. ADG5423真值表
INx
0
1
开关1条件
关
开
开关2条件
开
关
Rev. 0 | Page 9 of 20
ADG5421/ADG5423
典型性能参数
25
16
TA = 25°C
20
12
VDD = +11V
VSS = –11V
15
10
VDD = +13.5V
VSS = –13.5V
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
5
TA = 25°C
14
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = +10V
VSS = –10V
VDD = +9V
VSS = –9V
10
VDD = 32.4V
VSS = 0V
8
VDD = 39.6V
VSS = 0V
VDD = 36V
VSS = 0V
6
4
–14
–10
–6
–2
2
6
10
14
18
VS, VD (V)
0
11369-004
0
–18
0
5
15
20
25
30
35
40
45
VS, VD (V)
图4. 导通电阻与VS 、VD 的关系(双电源：±10 V、±15 V)
16
10
11369-007
2
图7. 导通电阻与VS 、VD 的关系(单电源：36 V)
25
TA = 25°C
14
ON RESISTANCE (Ω)
10
8
VDD = +22V
VSS = –22V
VDD = +20V
VSS = –20V
6
4
TA = +25°C
10
TA = –40°C
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
VDD = 10.8V
VSS = 0V
VDD = 9V
VSS = 0V
25
20
15
VDD = 13.2V
VSS = 0V
10
VDD = 12V
VSS = 0V
10
15
VDD = +20V
VSS = –20V
20
ON RESISTANCE (Ω)
30
5
图8. 不同温度下导通电阻与VS (VD )的关系(±15 V双电源)
25
VDD = 10V
VSS = 0V
0
VS, VD (V)
图5. 导通电阻与VS 、VD 的关系(双电源：±20 V)
TA = 25°C
–5
11369-008
–20
VDD = +15V
VSS = –15V
0
–15
–10
11369-005
0
–25
VDD = 11V
VSS = 0V
TA = +125°C
15
TA = +85°C
TA = +25°C
10
TA = –40°C
5
5
0
0
2
4
6
8
VS, VD (V)
10
12
14
0
–20
11369-006
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +85°C
5
2
35
TA = +125°C
15
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS, VD (V)
图6. 导通电阻与VS 、VD 的关系(单电源10 V、12 V)
图9. 不同温度下导通电阻与VS (VD )的关系(±20 V双电源)
Rev. 0 | Page 10 of 20
11369-009
ON RESISTANCE (Ω)
20
VDD = +18V
VSS = –18V
12
ADG5421/ADG5423
0.4
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = +15V/–15V
35
LEAKAGE CURRENT (nA)
TA = +25°C
15
TA = –40°C
10
ID, IS (ON) – –
–0.2
IS (OFF) – +
–0.4
5
VDD = 12V
VSS = 0V
0
2
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
–0.6
11369-010
0
0
ID (OFF) + –
0
0.4
LEAKAGE CURRENT (nA)
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +125°C
TA = +85°C
TA = +25°C
TA = –40°C
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VS, VD (V)
ID, IS (ON) – –
IS (OFF) + –
0.1
0
ID (OFF) – +
–0.2
IS (OFF) – +
ID (OFF) + –
0
0.4
LEAKAGE CURRENT (nA)
ID, IS (ON) – –
0
IS (OFF) – +
–0.4
ID (OFF) + –
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
100
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/30V
125
125
ID, IS (ON) + +
IS (OFF) + –
0
ID (OFF) – +
ID, IS (ON) – –
–0.2
IS (OFF) – +
–0.4
–0.6
11369-012
LEAKAGE CURRENT (nA)
IS (OFF) + –
ID (OFF) – +
–0.2
75
0.2
ID, IS (ON) + +
0.2
50
图14. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = +10V/–10V
0.4
25
TEMPERATURE (°C)
图11. 不同温度下导通电阻与VS (VD )的关系(36 V单电源)
0.6
125
ID, IS (ON) + +
0.2
–0.1
11369-011
0
100
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
0.3
20
10
75
图13. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
VDD = 36V
VSS = 0V
15
50
TEMPERATURE (°C)
图10. 不同温度下导通电阻与VS (VD )的关系(12 V单电源)
25
25
11369-014
20
ID (OFF) – +
ID (OFF) + –
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
图12. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
图15. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
Rev. 0 | Page 11 of 20
125
11369-015
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +85°C
25
IS (OFF) + –
0.2
TA = +125°C
30
ID, IS (ON) + +
11369-013
40
ADG5421/ADG5423
0
–10
0.05
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
0.04
–30
–40
THD + N (%)
OFF ISOLATION (dB)
–20
VDD = 12V, VSS = 0V, VS = 6V p-p
VDD = 36V, VSS = 0V, VS = 18V p-p
VDD = 15V, VSS = –15V, VS = 15V p-p
VDD = 20V, VSS = –20V, VS = 20V p-p
–50
–60
0.03
0.02
–70
–80
0.01
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
0
11369-016
10k
0
5
0
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
20
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–0.5
–1.0
INSERTION LOSS (dB)
CROSSTALK (dB)
15
图19. THD + N与频率的关系
图16. 关断隔离与频率的关系
–20
10
FREQUENCY (kHz)
11369-019
–90
–100
1k
–40
–60
–80
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–100
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
–5.0
1k
11369-017
–120
10k
10k
100k
图17. 串扰与频率的关系
100M
1G
400
VDD
VDD
VDD
VDD
= 15V,
= 20V,
= 12V,
= 36V,
VSS
VSS
VSS
VSS
= –15V
= –20V
= 0V
= 0V
350
300
200
VDD = 12V, VSS = 0V
VDD = 36V, VSS = 0V
VDD = 15V, VSS = –15V
VDD = 20V, VSS = –20V
TIME (ns)
250
150
200
150
100
100
50
–10
0
10
20
30
VS (V)
40
0
–40
–20
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
图18. 电荷注入与源电压(VS )的关系
图21. 转换时间与温度的关系
Rev. 0 | Page 12 of 20
100
120
11369-021
0
–20
50
11369-018
CHARGE INJECTION (pC)
10M
图20. 带宽
300
250
1M
FREQUENCY (Hz)
11369-020
–4.5
ADG5421/ADG5423
测试电路
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
50Ω
50Ω
INx
VS
Dx
NC = NO CONNECT
GND
A
VD
VOUT
OFF ISOLATION = 20 log
VOUT
VS
11369-025
Dx
RL
50Ω
11369-022
Sx
NC
VIN
ID (ON)
图25. 关断隔离
图22. 导通泄漏
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
AUDIO PRECISION
VSS
RS
Sx
VS
V p-p
INx
Dx
VS
A
RL
1kΩ
GND
VD
图26. 总谐波失真加噪声(THD + N)
图23. 关断泄漏
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
50Ω
INx
VS
Dx
V
VIN
VS
RON = V ÷ IDS
RL
50Ω
GND
Dx
IDS
11369-024
Sx
VOUT
11369-026
Dx
VIN
INSERTION LOSS = 20 log
图27. 带宽
图24. 导通电阻
Rev. 0 | Page 13 of 20
VOUT
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
11369-027
A
Sx
ID (OFF)
11369-023
IS (OFF)
ADG5421/ADG5423
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
NETWORK
ANALYZER
VOUT
VDD
VSS
S1
RL
50Ω
Dx
R
50Ω
S2
VS
GND
08487-028
VOUT
VS
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
图28. 通道间串扰
VDD
VSS
0.1µF
VDD
VSS
Sx
VS
VIN
ADG5421
50%
50%
VIN
ADG5423
50%
50%
VOUT
Dx
RL
300Ω
INx
CL
35pF
90%
VOUT
90%
GND
tOFF
tON
011369-029
0.1µF
图29. 开关时间tON 和tOFF
VSS
VDD
VSS
Sx
VS
VIN
ADG5421
ON
VOUT
Dx
CL
1nF
INx
VIN
OFF
ADG5423
VOUT
GND
QINJ = CL × ∆VOUT
∆VOUT
11369-030
RS
VDD
图30. 电荷注入
VDD
VSS
VS2
VSS
S1
D1
S2
D2
RL
300Ω
IN1,
IN2
CL
35pF
VOUT2
RL
300Ω
CL
35pF
VOUT1
VOUT1
VOUT2
ADG5423
50%
0V
80%
图31. 先开后合时间延迟
Rev. 0 | Page 14 of 20
80%
0V
80%
80%
0V
tD
GND
50%
tD
11369-031
VDD
VS1
VIN
0.1µF
0.1µF
ADG5421/ADG5423
术语
IDD
IDD表示正电源电流。
CIN
CIN表示数字输入电容。
ISS
ISS表示负电源电流。
tON
tON表示在数字输入的50%点和通电的90%点之间的延迟时间。
VD和VS
VD和VS分别表示引脚D和引脚S上的模拟电压。
tOFF
tOFF表示在数字输入的50%点和断电的90%点之间的延迟时间。
RON
RON表示引脚D与引脚S之间的电阻(欧姆)。
tD
tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时，在两个
开关的80%点之间测得的关断时间。
∆RON
ΔRON表示任意两个通道的RON之差。
关断隔离
关断隔离衡量通过断开通道耦合的无用信号。
RFLAT (ON)
RFLAT (ON)表示额定模拟信号范围内测得的导通电阻最大值与
最小值之差。
IS (Off)
IS (Off)表示开关断开时的源极漏电流。
电荷注入
电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺
脉冲。
串扰
串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的
无用信号。
ID (Off)
ID (Off)表示开关断开时的漏极漏电流。
带宽
带宽指输出从其直流电平衰减3 dB的频率。
ID (On)和IS (On)
ID (On)和IS (On)表示开关接通时的通道漏电流。
总谐波失真加噪声(THD + N)
表示信号的谐波幅度加噪声与基波的比值。
VINL
VINL表示逻辑0的最大输入电压。
VINH
VINH表示逻辑1的最小输入电压。
IINL和IINH
IINL和IINH表示数字输入的最低和最高输入电流。
CD (Off)
CD (Off)表示开关断开时的漏极电容，以地为参考进行测量。
CS (Off)
CS (Off)表示开关断开时的源极电容，以地为参考进行测量。
CD (On)，CS (On)
CD (On)和CS (On)表示开关接通时的电容，以地为参考进行
测量。
Rev. 0 | Page 15 of 20
ADG5421/ADG5423
应用信息
ADG54xx系列开关和多路复用器为易于发生闩锁现象的仪
器仪表、工业、航空航天应用和其它恶劣环境提供了稳定
可靠的解决方案；闩锁是指一种可能导致器件故障的不良
高电流状态，它在关闭电源之前会持续存在。ADG5421/
ADG5423高电压开关支持9 V至40 V的单电源供电和±9 V至
±22 V的双电源供电。ADG5421/ADG5423(及同一系列中的其
他器件)实现了8 kV人体模型ESD额定值，安全可靠，在某些
应用中无需采用单独的保护电路设计。
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
沟道隔离
在结隔离中，PMOS和NMOS晶体管的N井和P井形成一个
二极管；在正常工作条件下，该二极管反向偏置。但在过
压条件下，该二极管可能变成正偏。两个晶体管形成一个
硅控整流器(SCR)型电路，导致电流被显著放大，进而引
起闩锁。而在沟道隔离中则不存在该二极管，因此开关不
会发生闩锁。
Rev. 0 | Page 16 of 20
TRENCH
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
图32. 沟道隔离
11369-032
在ADG5421/ADG5423中，各CMOS开关的NMOS与PMOS
晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟道)。因此，它与结隔
离式开关不同，晶体管之间不存在寄生结，从而彻底消除
了闩锁现象。
ADG5421/ADG5423
外形尺寸
3.10
3.00
2.90
3.10
3.00
2.90
10
5.15
4.90
4.65
6
1
5
PIN 1
IDENTIFIER
0.50 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
0.30
0.15
6°
0°
0.23
0.13
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-BA
0.70
0.55
0.40
091709-A
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
图33. 10引脚超小型MSOP封装
(RM-10)
图示尺寸单位：mm
订购指南
型号1
ADG5421BRMZ
ADG5421BRMZ-RL7
ADG5423BRMZ
ADG5423BRMZ-RL7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
10引脚超小型封装[MSOP]
10引脚超小型封装[MSOP]
10引脚超小型封装[MSOP]
10引脚超小型封装[MSOP]
Z = 符合RoHS标准的器件。
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封装选项
RM-10
RM-10
RM-10
RM-10
标识
S47
S47
S3D
S3D
ADG5421/ADG5423
注释
Rev. 0 | Page 18 of 20
ADG5421/ADG5423
注释
Rev. 0 | Page 19 of 20
ADG5421/ADG5423
注释
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registered trademarks are the property of their respective owners.
D11369sc-0-9/13(0)
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