ADG636YRU-REEL7

ADG636YRU-REEL7

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

    TSSOP-14_5X4.4MM

  • 描述:

    DUAL SPDT SWITCH

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ADG636YRU-REEL7 数据手册
1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch ADG636 FEATURES FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM 1 pC charge injection ±2.7 V to ±5.5 V dual supply +2.7 V to +5.5 V single supply Automotive temperature range: −40°C to +125°C 100 pA (maximum at 25°C) leakage currents 85 Ω typical on resistance Rail-to-rail operation Fast switching times Typical power consumption (
ADG636YRU-REEL7
物料型号:ADG636

器件简介:ADG636是一款集成电路,包含两个可独立选择的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。每个开关在接通时,可以双向导通。

引脚分配:ADG636采用14引脚的薄型收缩型小外形封装(TSSOP),具体引脚功能如下: - A1和A0:数字输入(用于选择开关状态) - EN:使能端,高电平有效 - VDD:正电源 - VSS:负电源或在单电源操作时接地 - S1A、S1B、S2A、S2B:源极,可以是输入或输出 - D1、D2:漏极,可以是输入或输出 - NC:无电气连接

参数特性:包括但不限于: - 电荷注入:±1.5 pC(典型值) - 漏电流:最大0.25 nA(在85°C时) - 导通电阻:85 Ω(典型值) - 工作电源:双±2.7 V至±5.5 V或单+2.7 V至+5.5 V - 工作温度范围:-40°C至+125°C

功能详解:ADG636具有超低电荷注入和低漏电流特性,适用于精密信号路由。它还具有快速切换时间和低功耗特点。

应用信息:适用于自动测试设备、数据采集系统、电池供电仪器、通信系统、采样保持系统、远程供电设备、音视频信号路由、继电器替代和航空电子等领域。
ADG636YRU-REEL7 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“ADG636YRU-REEL7”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货
ADG636YRU-REEL7

    库存:744