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ADG859BRYZ-REEL

ADG859BRYZ-REEL

  • 厂商:

    AD(亚德诺)

  • 封装:

  • 描述:

    ADG859BRYZ-REEL - 1.3ohm CMOS, 1.8 V to 5.5 V Single SPDT Switch/2:1 MUX in SOT-66 Package - Analog ...

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ADG859BRYZ-REEL 数据手册
1.3 Ω CMOS, 1.8 V to 5.5 V Single SPDT Switch/2:1 MUX in SOT-66 Package ADG859 FEATURES 1.8 V to 5.5 V single supply Tiny 1.65 mm × 1.65 mm package Low on resistance: 1.3 Ω at 5 V supply High current-carrying capability 300 mA continuous current 500 mA peak current at 5 V Rail-to-rail operation Typical power consumption:
ADG859BRYZ-REEL
物料型号: - ADG859

器件简介: - ADG859是一款单刀双掷(SPDT)开关,工作电压范围为1.8V至5.5V。它设计用于提供低导通电阻(最大2.3Ω),并且在整个温度范围内(-40°C至+125°C)具有高电流承载能力,典型值为300mA在5V操作下的连续电流,峰值电流可达500mA。这些特性使得ADG859非常适合用于空间受限的应用场合,如手机、PDA和MP3播放器。

引脚分配: - ADG859采用6引脚SOT-66封装。

参数特性: - 导通电阻(RoN):在25°C时为1.3Ω,在-40°C至+85°C时为2.2Ω,在40°C至+125°C时为2.3Ω(最大值)。 - 导通电阻一致性(ARoN):在25°C时为0.01Ω,在-40°C至+85°C时为0.163Ω。 - 导通电阻平坦度(RFLAT):在25°C时为0.093Ω至0.45Ω,在-40°C至+85°C时为0.6Ω,在40°C至+125°C时为0.163Ω至0.65Ω。 - 关闭时漏电流(lIs (Off))和通道开启时漏电流(lo, Is (On)):±0.02nA(典型值)。 - 输入高电平电压(VINH)、输入低电平电压(ViNL)、输入电流(liNL或lINH)和数字输入电容(Cn):具体数值未在摘要中提供。 - 导通时间(toN):在25°C时为8ns(典型值),在-40°C至+85°C时为11ns(最大值)。 - 关闭时间(toFF):在25°C时为4.5ns(典型值),在-40°C至+85°C时为6.5ns(最大值)。 - 先断后接时间延迟(teaM):在25°C时为4ns(典型值)。 - 电荷注入(Charge Injection):±13pC(典型值)。 - 关闭时隔离度(Off Isolation):-78dB(典型值)。 - 通道间串扰(Channel-to-Channel Crosstalk):-78dB(典型值)。 - -3dB带宽:125MHz(典型值)。

功能详解: - ADG859是单片CMOS SPDT开关,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于空间受限的应用。每个开关在导通时双向导电性能良好,且具有先断后接的切换动作,防止在切换通道时产生瞬时短路。

应用信息: - 适用于手机、PDA、MP3播放器、电池供电系统、音视频信号路由、调制解调器、PCMCIA卡和硬盘等。
ADG859BRYZ-REEL 价格&库存

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