ADMV1013ACCZ

24 GHz至44 GHz、 宽带微波上变频器 ADMV1013 数据手册 产品特性 功能框图 宽带RF输入频率范围：24 GHz至44 GHz 2种上变频模式 从基带I/Q直接变频至RF 实数中频单边带上变频 LO输入频率范围：5.4 GHz至10.25 GHz LO四倍频器最高可达41 GHz 单端RF输出和IF输入均匹配到50 Ω LO输入可配置为100 Ω差分或50 Ω单端 100 Ω平衡基带输入 边带抑制和载波馈通优化 用于收发器功率控制的可变衰减器 可通过四线SPI接口配置 40引脚LGA封装 应用 点对点微波无线电 雷达、电子战系统 仪器仪表、自动测试设备(ATE) 图1. 概述 ADMV1013是一款宽带、微波上变频器，针对点到点微波无 至44 GHz，同时提供典型值优于26 dBc的无用边带抑制。 线电设计进行优化，工作射频(RF)范围为24 GHz至44 GHz。 可以通过SPI调整正交相位和混频器栅极电压，以实现最佳 该上变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从基带正 交(I/Q)输入信号直接变频为射频RF，也能够将复中频(IF) 单边带(SSB)上变频。可禁用基带I/Q输入路径，将0.8 GHz 至6.0 GHz范围内的任何调制复中频信号上变频为24 GHz Rev. B Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. 边带抑制和本振(LO)调零性能。此外，SPI接口可关断输出 包络检波器以便降低功耗。 ADMV1013上变频器采用40引脚基板栅格阵列(LGA)封装。 ADMV1013工作环境温度范围为−40°C至+85°C。 One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2018–2019 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com/cn ADI 中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI 不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考 ADI 提供的最 新英文版数据手册。 ADMV1013 数据手册 目录 产品特性 ...........................................................................................1 边带抑制优化............................................................................25 应用 ....................................................................................................1 载波馈通调零............................................................................26 功能框图 ...........................................................................................1 包络检波器 ................................................................................26 概述 ....................................................................................................1 关断和复位 ................................................................................26 修订历史 ...........................................................................................2 串行端口接口(SPI) ..................................................................26 技术规格 ...........................................................................................3 应用信息 .........................................................................................28 串行接口寄存器时序 ................................................................5 从低频进行基带正交调制......................................................28 绝对最大额定值 ..............................................................................6 不同四倍滤波器设置的性能 .................................................28 热阻 ...............................................................................................6 VVA温度补偿 ...........................................................................28 ESD警告 .......................................................................................6 差分与单端LO输入的性能比较............................................29 引脚配置和功能描述 .....................................................................7 固定输入频率时不同RF频率下的性能 ...............................30 典型性能参数 ..................................................................................9 I/Q模式中不同共模电压下的性能.......................................31 I/Q模式 .........................................................................................9 VCTRL1和VCTRL2独立工作 ................................................31 IF模式 .........................................................................................14 推荐焊盘图样............................................................................33 包络检波器性能 .......................................................................19 评估板信息 ................................................................................33 回波损耗和隔离 .......................................................................21 寄存器汇总 .....................................................................................34 M × N杂散性能.........................................................................24 寄存器详解 .....................................................................................35 工作原理 .........................................................................................25 外形尺寸 .........................................................................................39 启动时序 ....................................................................................25 订购指南 ....................................................................................39 基带正交调制（I/Q模式） ....................................................25 单边带上变频（IF模式） ......................................................25 LO输入路径 ...............................................................................25 修订历史 2019年9月—修订版A至修订版B 更改图58的标题 ............................................................................18 更改图1 .............................................................................................1 更改“回波损耗和隔离”部分 ..................................................21 更改图3和表5...................................................................................7 移动图70；重新排序 ...................................................................21 移动图72 .........................................................................................22 2019年4月—修订版0至修订版A 更改图1 .............................................................................................1 更改表1的频率范围参数 ...............................................................3 更改“热阻”部分..........................................................................6 更改图3 .............................................................................................7 更改表5 .............................................................................................8 更改图50的标题 ............................................................................16 Rev. B | Page 2 of 39 移动图77 .........................................................................................22 移动图80 .........................................................................................23 更改“M × N杂散性能”部分、“I/Q模式”部分和 “IF模式”部分.............................................................................24 更改“启动时序”部分 ...............................................................25 2018年12月—修订版0：初始版 ADMV1013 数据手册 技术规格 除非另有说明，IF和I/Q幅度 = −20 dBm，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。 IF模式下的测量条件是正交90°合路，寄存器0x03位7 = 1，IF输入频率(fIF) = 3.5 GHz。 除非另有说明，I/Q模式下的测量结果是I和Q通道的复合性能，共模电压(VCM) = 0 V，寄存器0x03位7 = 0，寄存器0x05位[6:0] = 0x051。 I/Q基带频率(fBB) = 100 MHz。 VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。 表1. 参数 频率范围 RF输出 LO输入 LO四倍频器 IF输入 基带(BB) I/Q输入 LO幅度范围 I/Q调制器性能 转换增益 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 电压可变衰减器(VVA)控制范围 单边带(SSB)噪声系数 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 输出三阶交调截点(IP3) 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 输出1 dB压缩点(P1dB) 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 边带抑制(SBR) 未校准 IF单边带上变频性能 转换增益 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz VVA控制范围 SSB噪声系数 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 输出OIP3 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz 输出P1dB 24 GHz至40 GHz 40 GHz至44 GHz SBR 未校准 已校准 测试条件/注释 最小值 24 5.4 21.6 0.8 DC −6 最大增益 fBB ≤ 3.5 GHz 6 GHz > fBB > 3.5 GHz 18 典型值 最大值 单位 0 44 10.25 41 6.0 6.0 +6 GHz GHz GHz GHz GHz dBm 23 21 19 35 dB 18 19 dB dB 20 23 22 dBm dBm 10 13 12 dBm dBm 32 dBc 18 12 14 35 dB 25 28 dB dB 20 23 22 dBm dBm 10 13 12 dBm dBm 26 36 dBc dBc dB dB 最大增益 最大增益 最大增益 24 GHz至44 GHz，最大增益 最大增益 fIF ≤ 3.5 GHz 6 GHz > fIF > 3.5 GHz 13 dB dB 最大增益 最大增益 最大增益 24 GHz至44 GHz，最大增益 校准使用LOAMP_PH_ADJ_Q_FINE和 LOAMP_PH_ADJ_I_FINE位 Rev. B | Page 3 of 39 ADMV1013 参数 包络检波器性能 输出电平 最小值 最大值 包络带宽 3 dB 10 dB 回波损耗 RF输出 LO输入 IF输入 BB输入 BB I/Q输入阻抗 泄漏 基波LO至RF 4 × LO至RF 5.4 GHz至6.8 GHz LO 6.8 GHz至10.25 GHz LO 5.4 GHz至10.25 GHz LO 数据手册 测试条件/注释 最小值 典型值 最大值 单位 实现最优性能 使用两个信号音测量，RF时的总功率 输出(POUT) = 10 dBm RF频率(fRF) = 28 GHz fRF = 28 GHz 50 Ω单端 100 Ω差分 50 Ω单端 100 Ω差分 −45 −20 dBm dBm 350 1 MHz GHz −8 −12 −12 −10 100 dB dB dB dB Ω −80 dBm −12 −20 −45 dBm dBm dBm −55 −70 −75 dBm dBm dBm 最大增益 未校准 未校准 使用MXER_OFF_ADJ_I_N、 MXER_OFF_ADJ_I_P、 MXER_OFF_ADJ_Q_N、 MXER_OFF_ADJ_Q_P位校准， VCTRL = 1800 mV，IF模式 5 × LO至RF 基波LO至IF 基波LO至I/Q 逻辑输入 输入电压范围 高电平，VINH 低电平，VINL 输入电流，IINH/IINL 输入电容，CIN 逻辑输出 输出电压范围 高电平，VOH 低电平，VOL 输出高电流，IOH 电源接口 VCC_DRV、VCC2_DRV、VCC_AMP2、VCC_ENV、 VCC_AMP1、VCC_BG2、VCC_MIXER、VCC_BG、 VCC_QUAD 3.3V电源电流 VCTRL = 1.8 V，无IF和I/Q或LO输入信号 DVDD、VCC_VVA 1.8 V电源电流 VCTRL = 1.8 V，无IF和I/Q或LO输入信号 总功耗 关断 Rev. B | Page 4 of 39 DVDD − 0.4 0 1.8 0.4 V V µA pF 1.8 0.4 500 V V µA 3.45 V 100 3 DVDD − 0.4 0 3.15 1.7 3.3 550 1.8 3 1.9 77 1.9 136 mA V mA W mW ADMV1013 数据手册 串行端口寄存器时序 表2. 参数 tSDI, SETUP tSDI, HOLD tSCLK, HIGH tSCLK, LOW tSCLK, SEN/SEN2_SETUP tSCLK, DOT tSCLK, DOV tSCLK, SEN/SEN2_INACTIVE tSEN/SEN2_INACTIVE 描述 数据至时钟建立时间 数据至时钟保持时间 时钟高电平持续时间 时钟低电平持续时间 时钟至SEN/SEN2 建立时间 最小值 10 10 40至60 40至60 30 典型值 最大值 单位 ns ns % % ns 10 10 时钟至数据输出转换时间 时钟至数据输出有效时间 时钟至SEN/SEN2无效 20 ns ns ns 无效SEN/SEN2（两次操作之间） 80 ns 时序图 图2. 串行端口寄存器时序图 Rev. B | Page 5 of 39 ADMV1013 数据手册 绝对最大额定值 如果列出的所有测试条件均与 JEDEC 规范类似，那么 θJA 和 表3. 参数 电源电压 VCC_DRV、VCC2_DRV、VCC_AMP2、 VCC_ENV、VCC_AMP1、VCC_BG2、 VCC_BG、VCC_MIXER DVDD、VCC_VVA IF输入功率 I/Q输入功率 LO输入功率 最高结温 最大功耗1 最大结温(TJ)下的寿命 工作壳温范围 存储温度范围 引脚温度（焊接，60秒） 湿气敏感度等级(MSL)额定值2 静电放电(ESD)敏感度 人体模型(HBM) 场感应元件充电模式(FICDM) 1 2 额定值 θJC 只能用来比较不同封装的热性能。要计算结温，可以使用 ѰJT 和 ѰJB 以及下式： 4.3 V TJ= (P × Ѱ JT) + TTOP 2.3 V 5 dBm 5 dBm 9 dBm 125°C 2.9 W 1 × 106小时 −40°C至+85°C −55°C至+125°C 260°C MSL3 (1) 其中： P 指芯片总功耗(W)。 Ѱ JT 指结至顶部热特性参数。 TTOP 指封装顶部温度(°C)，系在封装顶部中央测得。 TJ = (P × Ѱ JB) + TBOARD (2) 其中： P 指芯片总功耗(W)。 Ѱ JB 指结至板热特性值。 TBOARD 是指在封装最长边的中点，距离封装主体边缘不超 1250 V 750 V 过 1 mm 的位置测得的板温度(°C)。 如 JEDEC51-12 所述，当没有散热器时，必须使用公式 1 和 最大功耗是根据(TJ − 85°C)/θJC_TOP 计算得到的理论值。 基于 IPC/JEDEC J-STD-20 MSL 分类。 公式 2。增加散热器后，可以使用 θJC_TOP 来预估和计算结温。 注意，等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永久 表4. 热阻 性损坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任何 封装类型1 CC-40-5 其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能 够正常工作。长期在超出最大额定值条件下工作会影响产品 的可靠性。 1 2 3 热阻 4 热性能与印刷电路板(PCB)设计和工作环境直接相关。必须 慎重对待 PCB 散热设计。 θJA 是自然对流下的结至环境热阻，在 1 立方英尺的密封外罩 中测量。θJC 是结至外壳热阻。 5 6 θJA2 28 θJC_TOP3 13.8 θJB4 11.1 ΨJT5 6.4 ΨJB6 13.8 单位 °C/W 除非另有说明，表 4 给出的热阻值系基于 JEDEC 规范仿真而来，使用时必 须遵守 JESD51-12 的规定。 θJA 为自然对流 JEDEC 环境下的结至环境热阻。 θJC_TOP 为结至外壳（顶部）JEDEC 热阻。 θJB 为结至板 JEDEC 热阻。 ΨJT 为结至顶部 JEDEC 热特性参数。 ΨJB 为结至板 JEDEC 热特性参数。 ESD警告 ESD（静电放电）敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. B | Page 6 of 39 ADMV1013 数据手册 引脚配置和功能描述 图3.引脚配置 表5. 引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8、10、27、36、39 9 11 12、13、31 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24、30 25、26 28、29 引脚名称 RST DVDD SCLK SDI SDO BG_RBIAS2 VCC_DRV GND RF VCC2_DRV DNC VCC_VVA VCTRL1 VCTRL2 VCC_AMP2 SEN2 VCC_ENV VCC_AMP1 VENV_N VENV_P VCC_BG2 IF_Q、IF_I 描述 SPI复位。此引脚连接到逻辑高电平以便正常工作。SPI逻辑为1.8 V。 1.8 V SPI数字电源。 SPI时钟数字输入。 SPI串行数据输入。 SPI串行数据输出。 电压增益放大器(VGA)芯片带隙电路，外部高精度电阻。靠近此引脚并联一个1.1 kΩ高精度接地电阻。 RF驱动器的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 地。 RF输出。此引脚内部直流耦合到GND，并且匹配50 Ω单端电阻。 RF前置驱动器的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 不连接。请勿连接该引脚。 VVA控制电路的1.8 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 RF电压可变衰减器1 (VVA1)控制范围。此引脚串联一个1 kΩ电阻。 RF电压可变衰减器2 (VVA2)控制范围。此引脚串联一个1 kΩ电阻。 RF放大器2 (AMP2)的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 VGA芯片的SPI串行使能。此引脚连接到引脚40 (SEN)。 包络检波器的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 RF放大器1 (AMP1)的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 差分包络检波器负输出。 差分包络检波器正输出。 VGA芯片带隙电路的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 IF单端复输入。这些引脚内部交流耦合。IF模式下，引脚25 (Q_P)、引脚26 (Q_N)、引脚28 (I_P)和引脚 29 (I_N)必须保持浮空。 Q_N、Q_P 差分基带Q输入。这些引脚直流耦合。IF模式下请勿连接这些引脚。 I_P、I_N 差分基带I输入。这些引脚直流耦合。IF模式下请勿连接这些引脚。 Rev. B | Page 7 of 39 ADMV1013 引脚编号 32 33 34 35 37、38 引脚名称 VCC_MIXER VCC_BG BG_RBIAS1 VCC_QUAD LON、LOP 40 SEN EPAD 数据手册 描述 混频器的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 混频器芯片带隙电路的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 混频器芯片带隙电路，外部高精度电阻。靠近此引脚并联一个1.1 kΩ高精度接地电阻。 四倍频器的3.3 V电源。靠近此引脚放置100 pF、0.01 µF和10 µF电容。 差分本振的正负输入。此引脚内部直流耦合到地，并且匹配100 Ω差分或50 Ω单端电阻。如果以单端 方式使用LO，未使用的LO端口应端接50Ω接地阻抗。 混频器芯片的SPI串行使能。此引脚连接到引脚18 (SEN2)。 裸露焊盘。将exposed pad与低阻抗接地层相连。 Rev. B | Page 8 of 39 ADMV1013 数据手册 典型性能参数 I/Q模式 除非另有说明，I/Q幅度 = −20 dBm，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。除非另有说明，I/Q模式下的测量结果是 I和Q通道的合路性能，VCM = 0 V，寄存器0x03位7 = 0，寄存器0x05位[6:0] = 0x051。I/Q fBB = 100 MHz。 图4. 不同温度下三种不同增益设置的转换增益与RF频率(fRF)的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图7. 不同温度下转换增益与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fBB = 100 MHz 图5.不同电源电压下转换增益与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图8. 转换增益与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带） 图6. 不同LO输入下转换增益与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图9. 转换增益与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（下边带） Rev. B | Page 9 of 39 ADMV1013 数据手册 图10. 不同温度下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fBB = 100 MHz（上边带） 图13. 输出IP3与VCTRL的关系，RF幅度 = 每信号音−20 dBm， 20 MHz间距，fBB = 100 MHz， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带） 图11.不同电源电压下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fBB = 100 MHz（上边带） 图14. 输出IP3与基带频率的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， 最大增益，RF幅度 = 每信号音−20 dBm， 20 MHz间距（上边带和下边带） 图12. 不同LO输入下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fBB = 100 MHz（上边带） 图15. 输出IP3与总输入功率的关系，20 MHz间距， fBB = 100 MHz，fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带） Rev. B | Page 10 of 39 ADMV1013 数据手册 图16. 不同温度下最大增益时噪声系数与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图19. 不同温度下噪声系数与VCTRL的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， 图17. 不同电源电压下噪声系数与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图20. 噪声系数与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带） 图18. 不同LO输入下噪声系数与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图21. 噪声系数与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（下边带） Rev. B | Page 11 of 39 fBB = 100 MHz ADMV1013 数据手册 图22. 不同温度下最大增益时边带抑制与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图25. 不同温度下边带抑制与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fBB = 100 MHz 图23. 不同电源电压下边带抑制与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图26. 边带抑制与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带和下边带） 图24. 不同LO输入下边带抑制与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） Rev. B | Page 12 of 39 ADMV1013 数据手册 图27. 不同温度下最大增益时输出P1dB与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图30. 不同温度下输出P1dB与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fBB = 100 MHz 图28. 不同电源电压下输出P1dB与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图31. 输出P1dB与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带） 图29. 不同LO输入下输出P1dB与RF频率的关系， fBB = 100 MHz（上边带） 图32. 输出P1dB与基带频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（下边带） Rev. B | Page 13 of 39 ADMV1013 数据手册 IF模式 除非另有说明，IF幅度 = −20 dBm，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL 为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。IF模式下的测量条件是90°正交合路，寄存器0x03位7 = 1， fIF = 3.5 GHz。 图33. 不同温度下最大增益时转换增益与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图36. 最大增益时转换增益与IF频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带和下边带） 图34. 不同电源电压下最大增益时转换增益与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图37. 不同温度下转换增益与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fIF = 3.5 GHz（上边带） 图35. 不同LO输入下最大增益时转换增益与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图38. 不同温度下转换增益与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fIF = 3.5 GHz（下边带） Rev. B | Page 14 of 39 ADMV1013 数据手册 图39. 不同温度下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图42. 输出IP3与VCTRL的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图40. 不同电源电压下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图43. 输出IP3与IF频率的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， 最大增益，RF幅度 = 每信号音−20 dBm， 20 MHz间距（上边带和下边带） 图41. 不同LO输入下最大增益时输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图44. 输出IP3与总输入功率的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， 20 MHz间距，fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） Rev. B | Page 15 of 39 ADMV1013 数据手册 图45. 不同温度下最大增益时噪声系数与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图48. 最大增益时噪声系数与IF频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带和下边带） 图46. 不同电源电压下最大增益时噪声系数与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图49. 不同温度下噪声系数与VCTRL的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图47. 不同LO输入下最大增益时噪声系数与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图50. 不同温度下噪声系数与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fIF = 3.5 GHz（下边带） Rev. B | Page 16 of 39 ADMV1013 数据手册 图51. 不同温度下最大增益时输出P1dB与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图54. 最大增益时输出P1dB与IF频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带和下边带） 图52. 不同电源电压下最大增益时输出P1dB与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图55. 不同温度下输出P1dB与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fIF = 3.5 GHz（上边带） 图53. 不同LO输入下最大增益时输出P1dB与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图56. 不同温度下输出P1dB与VCTRL的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz，fIF = 3.5 GHz（下边带） Rev. B | Page 17 of 39 ADMV1013 数据手册 图57. 不同温度下最大增益时边带抑制与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz，未校准（上边带和下边带） 图60. 不同LO输入下最大增益时边带抑制与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） 图58. 不同温度下最大增益时边带抑制与RF频率的关系，fIF = 3.5 GHz， 25°C时校准（上边带）注意：校准使用LOAMP_PH_ADJ_Q_FINE和 LOAMP_PH_ADJ_I_FINE位 图61. 最大增益时边带抑制与IF频率的关系， fRF = 28 GHz和39 GHz（上边带和下边带） 图59. 不同电源电压下最大增益时边带抑制与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） Rev. B | Page 18 of 39 图62. 边带抑制与VCTRL的关系，fRF = 28 GHz和39 GHz， fIF = 3.5 GHz（上边带和下边带） ADMV1013 数据手册 包络检波器性能 除非另有说明，IF和I/Q幅度 = −20 dBm，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。 IF模式下的测量条件是90°合路，寄存器0x03位7 = 1，IF fIF = 3.5 GHz。 除非另有说明，I/Q模式下的测量结果是I和Q通道的合路性能，VCM = 0 V，寄存器0x03位7 = 0，寄存器0x05位[6:0] = 0x051。 I/Q fBB = 100 MHz。 VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。 使用寄存器0x03位5 = 1进行包络检波器测量。 图63. 不同输出功率水平下VENV_N/VENV_P Delta和包络POUT Delta与 RF频率的关系，包络频率 = 100 MHz，VCTRL = 1800 mV，TA = 25°C， LO = 0 dBm，IF = 2 GHz（上边带） 图64. 输出电平与归一化一次谐波失真(HD1)和归一化二次谐波失真(HD2) 的包络频率的关系，fRF = 28 GHz，LO = 0 dBm，25°C，HD1和HD2利用双音 测量，双音频率差等于包络频率，HD2归一化到50 MHz时的HD1电平 Rev. B | Page 19 of 39 图65. POUT和VENV_N/VENV_P Delta与POUT RF、POUT包络HD1、 POUT包络HD2、VENV_N/VENV_P Delta的总功率的关系， 利用两个信号音测量，100 MHz间隔，fRF = 28 GHz，VCTRL = 1800 mV ADMV1013 数据手册 图66. 不同总输入功率(PIN)水平下HD1 POUT包络和 VENV_N/VENV_P Delta与VCTRL的关系， 在28 GHz时利用两个输入信号音进行测量，100 MHz间隔 Rev. B | Page 20 of 39 图67. 不同温度下POUT包络与每信号音POUT RF的关系， fRF = 33 GHz，在3.5 GHz IF时利用两个信号音进行测量， 100 MHz间距，VCTRL = 1800 mV ADMV1013 数据手册 回波损耗和隔离 除非另有说明，IF和I/Q幅度 = −20 dBm，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V，TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。 IF模式下的测量条件是90°合路，寄存器0x03位7 = 1，fIF = 3.5 GHz。 除非另有说明，I/Q模式下的测量结果是I和Q通道的合路性能，VCM = 0 V，寄存器0x03位7 = 0，寄存器0x05位[6:0] = 0x051。 I/Q fBB = 100 MHz。 VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。 使用寄存器0x03位5 = 1进行包络检波器测量。 图68. 不同VCTRL电压下RF回波损耗与RF频率的关系 图70. IF回波损耗与IF频率的关系（非合路测量） 图69. LO回波损耗与LO频率的关系 图71. I/Q差分回波损耗与频率的关系 （无合路或巴伦下测量） Rev. B | Page 21 of 39 ADMV1013 数据手册 图72. 不同温度下4×LO、5×LO和1×LO的LO到RF泄漏 与LO频率的关系（未校准） 图75. 不同VCTRL设置下5×LO泄漏与LO频率的关系 （未校准） 图73. 不同VCTRL设置下1×LO泄漏与LO频率的关系 （未校准） 图76. 不同VCTRL设置下4×LO泄漏与LO频率的关系 （未校准） 图74. 不同温度下4× LO到RF泄漏与LO频率的关系（已校准）。注意：使用 MXER_OFF_ADJ_I_N、MXER_OFF_ADJ_I_P、MXER_OFF_ADJ_Q_N和 MXER_OFF_ADJ_Q_P位在TA = 25°C时于每个频率进行校准 图77. 不同VCTRL下4×LO至RF泄漏与LO频率的关系（已校准）。 注意：使用MXER_OFF_ADJ_I_N、MXER_OFF_ADJ_I_P、 MXER_OFF_ADJ_Q_N、MXER_OFF_ADJ_Q_P位在每个频率进行校准， Rev. B | Page 22 of 39 VCTRL = 1800 mV ADMV1013 数据手册 图78. 不同温度下I_N、I_P、Q_N和Q_P的LO泄漏与LO频率的关系 （无混合器下测量） 图79. 包络检波器差分回波损耗与频率的关系 Rev. B | Page 23 of 39 图80. 不同温度下IF_I和IF_Q端口的LO泄漏与LO频率的关系 （无混合器下测量） ADMV1013 数据手册 M × N杂散性能 IF模式 混频器杂散产物通过RF输出功率电平进行测量，用dBc表示。 fIF = 3.5 GHz (−20 dBm)，LO = 6.125 GHz (+6 dBm)，fRF = 28 GHz。 杂散频率通过下式计算： |(M × IF) + (N × LO) | (IF模式) |(M × IQ) + (N × LO) | (IQ模式) N/A表示不适用。杂散性能表中的空白单元指示该频率高于 50 GHz，未予测量。REF代表参考RF输出信号。 LO频率参考应用于ADMV1013的频率。IF和I/Q幅度 = −20 dBm。 除非另有说明，VCC_DRV = VCC2_DRV = VCC_AMP2 = M× IF 0 76 68 N/A 76 68 −2 −1 0 +1 +2 1 117 90 71 92 84 N × LO 3 4 109 77 77 23 26 9 18 REF 70 58 2 120 80 71 58 75 TA = 25°C，寄存器0x0A设置为0xE700。 M × IF 3.5 GHz。 能，VCM = 0 V，寄存器0x03位7 = 0，寄存器0x05位[6:0] = 0x051。 I/Q fBB = 100 MHz。 M × IF fBB = 100 MHz (−20 dBm)，LO = 6.975 GHz (+6 dBm)。 M × IQ −2 −1 0 +1 +2 0 93 93 N/A 93 93 1 105 95 80 96 107 2 103 85 72 74 86 5 109 65 61 41 89 6 89 53 35 37 91 7 108 110 73 84 83 fRF = 39 GHz。 M × IQ −2 −1 0 +1 +2 1 116 100 77 91 118 2 95 37 40 18 80 N × LO 3 116 62 63 36 99 1 132 95 69 89 114 2 109 76 44 24 93 N × LO 3 96 54 53 33 98 4 68 25 16 REF 75 5 99 57 52 58 6 107 83 −2 −1 0 +1 +2 0 82 65 N/A 82 65 1 140 120 82 94 120 2 115 91 75 60 107 N × LO 3 4 107 69 41 REF 52 23 70 26 111 93 5 99 47 49 75 115 6 97 46 56 7 95 fIF = 3.5 GHz (−20 dBm)，LO = 10.5 GHz (+6 dBm)， fBB = 100 MHz (−20 dBm)，LO = 9.725 GHz (+6 dBm)， 0 97 101 N/A 97 101 −2 −1 0 +1 +2 0 83 69 N/A 83 69 fRF = 28 GHz。 电压。除非另有说明，VCTRL =1800 mV。 N × LO 3 4 122 79 57 26 53 20 32 REF 91 57 8 45 44 30 fIF = 3.5 GHz (−20 dBm)，LO = 7.875 GHz (+6 dBm)， VCTRL1 = VCTRL2。VCTRL为VCTRL1和VCTRL2引脚的衰减 I/Q模式 7 84 53 20 61 75 fRF = 39 GHz。 VCC_BG = VCC_QUAD = 3.3 V，DVDD = VCC_VVA = 1.8 V， 除非另有说明，I/Q模式下的测量结果是I和Q通道的合路性 6 90 56 24 32 82 fIF = 3.5 GHz (−20 dBm)，LO = 8.875 GHz (+6 dBm)， VCC_ENV = VCC_AMP1 = VCC_BG2 = VCC_MIXER = IF模式下的测量条件是90°合路器，寄存器0x03位7 = 1，fIF = 5 92 46 34 24 80 4 89 26 20 REF 64 5 113 90 77 68 103 Rev. B | Page 24 of 39 fRF = 39 GHz。 M × IF −2 −1 0 +1 +2 0 96 80 N/A 97 79 1 122 85 83 95 113 N × LO 2 3 99 91 28 26 34 43 45 49 88 103 4 70 REF 16 41 102 5 94 64 ADMV1013 数据手册 工作原理 ADMV1013是一款宽带微波上变频器，针对工作射频(RF)范 此外，IF模式下的基带引脚（I_P、I_N、Q_P和Q_N）必须 围为24 GHz至44 GHz微波应用进行了性能优化。图1为器件 浮空以实现最佳性能。 的 功 能 框 图 。 ADMV1013 数 字 设 置 通 过 SPI 进 行 控 制 。 LO输入路径 ADMV1013有两种工作模式： • 基带正交调制（I/Q模式） • 单边带上变频（IF模式） LO输入路径在5.4 GHz至10.25 GHz的范围内工作，LO幅度范 围为−6 dBm至+6 dBm。LO有一个内部四倍频器(×4)和一个可 编程带通滤波器。LO带通滤波器可利用QUAD_ FILTERS位 启动时序 （寄存器0x09位[3:0]）进行编程。有关QUAD_FILTERS设置 要使用电压控制RF VVA1和RF VVA2，必须接通VCC_VVA 的更多信息，参见“不同四倍滤波器设置的性能”部分。 (1.8 V)电源。VCTRL1引脚和VCTRL2引脚控制RF VVA1和RF LO路径可以差分或单端方式工作。LOP和LON是LO路径的输 VVA2的增益。同样，要使用SPI控制，必须首先接通DVDD， 入。通过设置QUAD_SE_MODE位（寄存器0x09的位[9:6]）， 然后将RST引脚切换为逻辑低电平再切换为逻辑高电平，以 LO路径可以从差分操作切换为单端操作。欲了解更多信息， 执行硬复位。 参见“差分与单端LO输入的性能比较”部分。当LO以单端 ADMV1013 SPI设置要求在启动过程中更改默认设置，以实 方式使用时，未使用的LO输入引脚必须端接50Ω负载。 现最佳性能。 图81显示了LO路径的框图。 每次上电或复位后，寄存器0x0A设置为0xE700。 基带正交调制（I/Q模式） 在I/Q模式下，基带引脚（I_P、I_N、Q_P和Q_N）的输入阻 抗为100 Ω差分。这些输入可以加载一个直流耦合的100Ω差 分负载。I_P和I_N是差分基带I输入，Q_P和Q_N是差分基带 Q输入。这些输入可以在0 V至2.6 V的共模电压VCM下工作。 对于每个I和Q通道，基带I/Q端口可以在DC至6.0 GHz范围内 图81. LO路径框图 工作。 要将ADMV1013设置为I/Q模式，须将MIXER_IF_EN位（寄 将QUAD_PD位（寄存器0x03的位[13:11]）设置为0x0可使能 四倍频器。要关断四倍频器，须将这些位设置为0x7。 存器0x03位7）设置为0。 更改外部VCM时，内部混频器栅极电压也必须更改。要进行 边带抑制优化 此更改，须设置MIXER_VGATE位（寄存器0x05的位[6:0]）。 无用单边带信号会因为正交本振信号以及外部正交输入信 MIXER_VGATE值依据VCM而定，例如：对于0 V至1.8 V VCM， 号的误差上变频产生单边带泄露，与理想正交信号的偏差限 MIXER_VGATE = 23.89 VCM + 81；对于>1.8 V至2.6 V VCM， 制了单边带抑制的性能。 MIXER_VGATE = 23.75 VCM + 1.25。 ADMV1013在LO路径正交信号中提供大约25°的正交相位调 单边带上变频（IF模式） 整以抑制边带。这些调整通过LOAMP_PH_ADJ_I_FINE位 ADMV1013能够对0.8 GHz至6.0 GHz的任意IF输入进行上变 频，同时抑制不需要的边带，抑制性能通常优于26 dBc。IF 输入彼此正交，50Ω单端，内部直流耦合。IF_I和IF_Q是正 交IF输入。为了选择适当的边带，需要一个外部90°合路器。 （寄存器0x05的位[13:7]）和LOAMP_ PH_ADJ_Q_FINE位（寄 存器0x06的位[13:7]）进行。这些位用于抑制不需要的边带信 号。为了实现所需的边带抑制，可能有必要在内部和外部调 整正交输入之间的幅度差。 要将ADMV1013配置为IF模式，须将MIXER_IF_EN位（寄存 在I/Q模式下，建议通过外部收发器数模转换器(DAC)调整边 器1x03位7）设置为0。SPI启动和复位时，MIXER_IF_EN位 带抑制。 默认为IF模式。 Rev. B | Page 25 of 39 ADMV1013 数据手册 载波馈通调零 关断和复位 载波馈通源于内部混频器上的微小直流失调。在I/Q调制器中， ADMV1013的SPI允许用户关断器件电路，将功耗降低至典型 非零差分失调与LO混频，产生RF输出的载波馈通。除了此效 值77 mW。要关断整个芯片，须将BG_PD位（寄存器0x03位 应，LO输入端的部分信号功率直接耦合至RF输出端（这可能 10）设置为1。此外，电路的各个模块可以分别关断。要关断 是由于焊线间耦合或通过硅基板耦合所导致的）。RF输出端 四倍频器，须将QUAD_PD位（寄存器0x03的位[13:11]）设置 的净载波馈通是这两种效应产生的矢量组合作用在输出端 为0x7。要关断VGA，须将VGA_PD位（寄存器0x03位15）设 信号上的结果。 置为1。要关断混频器，须将MIXER_PD位（寄存器0x03位14） 在IF模式下，ADMV1013在LO路径中提供LO馈通失调校准。 设置为1。要关断检波器，须将DET_EN位（寄存器0x03位5） 这 些 调 整 通 过 MXER_OFF_ADJ_I_N 位 （ 寄 存 器 0x07 的 位 设置为0。 [8:2]）、MXER_OFF_ADJ_I_P位（寄存器0x07的位[15:9]）、 串行端口接口(SPI) MXER_OFF_ADJ_Q_N 位 （ 寄 存 器 0x08 的 位 [8:2] ） 和 MXER_OFF_ADJ_Q_P位（寄存器0x08的位[15:9]）进行，从 ADMV1013的SPI允许用户利用4线SPI端口配置器件的特定 功能或操作。该接口为用户提供额外的灵活性和定制能力。 而抑制不需要的LO信号。 SPI由四条控制线路组成：SCLK、SDI、SDO和低电平有效片 对于I/Q模式，LO馈通失调幅度和相位校准优化可以通过收 选线路SEN/SEN2。SEN和SEN2必须相连。 发器DAC在外部调整。 ADMV1013协议包括一个写/读位，其后是6个寄存器地址位、 包络检波器 16个数据位和一个奇偶校验位。地址和数据字段均按照MSB ADMV1013有一个包络检波器，其提供伪差分电压输出。包 优先方式组织，以LSB结尾。对于写操作，应将第一位设置 络检波器的输出引脚为VENV_P和VENV_N。ADMV1013开 为0。对于读操作，应将第一位设置为1。 启时，包络检波器处于关闭状态。要开启包络检波器，须将 写周期采样必须在上升沿执行。串行写入数据的16位以MSB DET_EN位（寄存器0x03位5）设置为1。包络检波器的差分 优先方式移入下边带。ADMV1013写周期的输入逻辑电平支 电压输出线性上升到检波器输入包络电压的平方。当输入双 持1.8 V接口。 音功率的范围为−20 dBm至0 dBm时，检波器的输出范围为 一个读周期最多移出16位串行读取数据，首先移出MSB。16 −45 dBm至−20 dBm。包络检波器具有350 MHz、3 dB包络带 宽和1 GHz、10 dB包络带宽。包络检波器位于ADMV1013的 VVA和输出驱动器之前。 位数据移出后，奇偶校验位移出。读周期的输出逻辑电平是 1.8 V。 奇偶校验位始终依照数据的方向。如果不使用奇偶校验，发 送端将发送零，而不是奇偶校验。奇偶校验为奇数，意味着 命令期间传输的1的总数（包括读/写位、地址位、数据位和 奇偶校验位）必须为奇数。 图82和图83分别显示了SPI写操作和读操作协议。 图82. SPI写操作时序图 Rev. B | Page 26 of 39 ADMV1013 数据手册 图83. SPI读操作时序图 Rev. B | Page 27 of 39 ADMV1013 数据手册 应用信息 从低频进行基带正交调制 图86显示了不同四倍滤波器设置下4xLO至RF泄漏与4xLO频 图84显示了低基带输入频率下的I/Q模式性能。测量条件为： 率的关系。 28 GHz，−10 dBm输入功率，VCM = 0 V，寄存器0x03的位7 = 0，0 dBm LO输入功率，TA = 25°C。 图86. 四种不同QUAD_FILTERS设置下4×LO至RF泄漏 与4×LO频率的关系 图84. 转换增益和边带抑制与基带频率的关系 VVA温度补偿 不同四倍滤波器设置的性能 图87显示了IF模式下两种不同寄存器0x0A设置（推荐设置 图85显示了IF模式中在不同QUAD_FILTERS设置下转换增益 RF频率的关系。“启动时序”部分给出的建议值可使转换增 与RF频率的关系，TA = 25°C，LO输入功率 = 0 dBm。 0xE700和更高增益设置）以及三种不同温度下的转换增益与 益随温度的变化最小。如果优先考虑提高转换增益，寄存器 0x0A可设置为0xFA00。但在该值下，转换增益随温度的变化 可能会增加2 dB。 图85. 四种不同QUAD_FILTERS设置下转换增益与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带） 图 87. 最大增益时不同温度和寄存器 0x0A 设置 （推荐设置和更高增益设置）下转换增益与 RF 频率的关系， fIF = 3.5 GHz Rev. B | Page 28 of 39 ADMV1013 数据手册 图88显示了IF模式下两种不同寄存器0x0A设置（推荐设置和 默认设置）以及三种不同温度下的转换增益与RF频率的关系。 与推荐设置相比，默认值提供的增益略小，增益随温度的变 化更大。 图90. 三种不同LO模式设置下输出IP3与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−20 dBm，20 MHz间距，fIF = 3.5 GHz（上边带） 图88. 最大增益时不同温度和寄存器0x0A设置 （默认和推荐寄存器0x0A设置）下转换增益与RF频率的关系， fIF = 2 GHz 差分与单端LO输入的性能比较 图89至图91显示了ADMV1013 LO输入以差分方式和以单端 方式工作的转换增益、输出IP3和边带抑制性能的比较。测量 条件为：0 dBm LO输入功率，IF模式，IF频率为3.5 GHz，上 边带，TA = 25°C。 图91. 三种不同LO模式设置下边带抑制与RF频率的关系， RF幅度 = 每信号音−30 dBm，20 MHz间距，fIF = 3.5 GHz（上边带） 图89. 三种不同LO模式设置下转换增益与RF频率的关系， fIF = 3.5 GHz（上边带） Rev. B | Page 29 of 39 ADMV1013 数据手册 图94和图95分别显示了I/Q模式中多种基带(BB)频率下上边带 固定输入频率时不同RF频率下的性能 ADMV1013四倍频器的工作频率为21.6 GHz至41 GHz。当使 LO = 0 dBm） 。 和下边带的转换增益与RF频率的关系 （TA = 25°C， 用下边带时，在四倍频器频率达到41 GHz之后，转换增益开 始滚降。如果使用上边带，当四倍频器频率为21.6 GHz时， 转换增益开始滚降。 图92和图93分别显示了IF模式中固定IF频率下上边带和下边 带的转换增益与RF频率的关系（TA = 25°C，LO = 0 dBm）。 图94. 多种基带频率设置下转换增益与RF频率的关系（上边带） 图92. 多种IF频率设置下转换增益与RF频率的关系（上边带） 图95. 多种基带频率设置下转换增益与RF频率的关系（下边带） 图93. 多种IF频率设置下转换增益与RF频率的关系（下边带） Rev. B | Page 30 of 39 ADMV1013 数据手册 I/Q模式中不同共模电压下的性能 VCTRL1和VCTRL2独立工作 图96、图97和图98显示了I/Q模式下不同共模电压下的性能。 “技术规格”部分和“典型性能参数”部分中显示的数据基 对于每种共模电压，混频器栅极电压根据“基带正交调制（I/Q 于VCTRL1和VCTRL2电压相等。如果VCTRL1和VCTRL2分 模式）”部分中给出的公式进行更改。 别使用，则可以获得更精细的增益调节。使用VCTRL1和 VCTRL2还能保持IP3或噪声系数性能，同时衰减RF输出。 图99、图102和图105分别显示了转换增益、输入IP3、噪声 系数与RF频率的关系（IF = 2 GHz，上边带，TA = 25°C时 LO = 0 dBm，VCTRL1等于VCTRL2）。 图100、图103和图106分别显示了转换增益、输入IP3、噪声 系数与RF频率的关系（IF = 2 GHz，上边带，TA = 25°C时LO = 0 dBm，VCTRL2保持最小衰减，改变VCTRL1）。 图101、图104和图107分别显示了转换增益、输入IP3、噪声 系数与RF频率的关系（IF = 2 GHz，上边带，TA = 25°C时LO = 0 dBm，VCTRL1保持最小衰减，改变VCTRL2）。 图96. I/Q模式中多种共模电压下的转换增益与RF频率的关系 （fBB = 100 MHz，LO = 0 dBm，TA = 25°C） 图99.不同VCTRL电压(VCTRL1 = VCTRL2)下转换增益与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图97. I/Q模式中多种共模电压下的输出IP3与RF频率的关系 （fBB = 100 MHz，LO = 0 dBm，TA = 25°C） 图100.不同VCTRL1电压(VCTRL2 = 1.8V)下转换增益与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图98. I/Q模式中多种共模电压下的输出P1dB与RF频率的关系 （fBB = 100 MHz，LO = 0 dBm，TA = 25°C） Rev. B | Page 31 of 39 ADMV1013 数据手册 图101. 不同VCTRL2电压(VCTRL1 = 1.8V)下转换增益与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图104. 不同VCTRL2电压(VCTRL1 = 1.8V)下输入IP3与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图102. 不同VCTRL电压(VCTRL1 = VCTRL2)下输入IP3与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图105. 不同VCTRL电压(VCTRL1 = VCTRL2)下噪声系数与RF频率的 关系，IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图103. 不同VCTRL1电压(VCTRL2 = 1.8V)下输入IP3与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 图106. 不同VCTRL1电压(VCTRL2 = 1.8V)下噪声系数与RF频率的关系， IF模式，IF频率 = 2 GHz，上边带 Rev. B | Page 32 of 39 ADMV1013 数据手册 图 107. 不同 VCTRL2 电压(VCTRL1 = 1.8V)下噪声系数与 RF 频率的关系， IF 模式，IF 频率 = 2 GHz，上边带 推荐焊盘图形 将 ADMV1013 下侧的裸露焊盘焊接至低热阻抗和电阻抗接 图 108. LGA 封装的评估板布局布线 地层。此焊盘通常焊接至评估板上阻焊层内的裸露开口。这 些接地通孔应连接至评估板上的所有其他接地层，以最大程 度地改善器件封装的散热性能。 评估板信息 有关ADMV1013评估板的更多信息，参见ADMV1013-EVALZ 用户指南。 Rev. B | Page 33 of 39 ADMV1013 数据手册 寄存器汇总 表6. 寄存器 （十六 进制） 00 01 寄存器 名称 位 SPI_CONTROL [15:8] [7:0] ALARM [15:8] 位14 位13 位7 PARITY_EN CHIP_ID PARITY_ERROR 位6 位5 SPI_SOFT_RESET RESERVED TOO_FEW_ ERRORS TOO_MANY_ ERRORS 02 ALARM_ MASKS 03 ENABLE 05 LO_AMP_I 06 LO_AMP_Q [15:8] [7:0] 07 OFFSET_ ADJUST_I [15:8] RESERVED PARITY_ERROR_ TOO_FEW_ERR MASK ORS_MASK RESERVED VGA_PD MIXER_PD MIXER_IF_EN RESERVED RESERVED LOAMP_PH_ADJ_I_ MIXER_VGATE FINE RESERVED LOAMP_PH_ADJ_ RESERVED Q_FINE MXER_OFF_ADJ_I_P 08 OFFSET_ ADJUST_Q [7:0] [15:8] MXER_OFF_ADJ_I_N MXER_OFF_ADJ_Q_P 09 QUAD [7:0] [15:8] MXER_OFF_ADJ_Q_N[5:0] RESERVED 0A [7:0] [15:8] 位15 [7:0] [15:8] [7:0] [15:8] [7:0] [7:0] VVA_TEMPER [15:8] ATURE_COMP [7:0] ENSATION 位12 位11 位10 位4 位3 位2 CHIP_ID REVISION ADDRESS_RANGE_ RESERVED ERROR 位9 位8 位1 位0 TOO_MANY_ ADDRESS_RANGE_ RESERVED ERRORS_MASK ERROR_MASK QUAD_PD DET_EN RESERVED LOAMP_PH_ADJ_I_FINE BG_PD RESERVED LOAMP_PH_ADJ_Q_FINE QUAD_SE_MODE RESERVED VVA_TEMPERATURE_COMPENSATION VVA_TEMPERATURE_COMPENSATION Rev. B | Page 34 of 39 MXER_OFF_ ADJ_I_N RESERVED MXER_OFF_ ADJ_Q_N RESERVED QUAD_SE_ MODE 复位 0x00A4 R/W R/W 0x0000 R 0xFFFF R/W 0x01D7 R/W 0x5051 R/W 0x5000 R/W 0xFFFC R/W 0xFFFC R/W 0x5700 R/W 0x0000 R/W QUAD_FILTERS ADMV1013 数据手册 寄存器详解 地址：0x00；复位：0x00A4；名称：SPI_CONTROL 表7. SPI_CONTROL位功能描述 位 15 14 [13:12] [11:4] [3:0] 位名称 PARITY_EN SPI_SOFT_RESET RESERVED CHIP_ID REVISION 设置 描述 使能写操作的奇偶校验 SPI软复位 保留 芯片ID 版本ID 复位 0x0 0x0 0x0 0xA 0x4 访问类型 R/W R/W R R R 描述 奇偶校验错误 错误太少 错误太多 地址范围错误 保留 复位 0x0 0x0 0x0 0x0 0x0 访问类型 R R R R R 描述 奇偶校验错误掩码 错误屏蔽太少掩码 错误屏蔽太多掩码 地址范围错误掩码 保留 复位 0x1 0x1 0x1 0x1 0xFFF 地址：0x01；复位：0x0000；名称：ALARM 表8. ALARM位功能描述 位 15 14 13 12 [11:0] 位名称 PARITY_ERROR TOO_FEW_ERRORS TOO_MANY_ERRORS ADDRESS_RANGE_ERROR RESERVED 设置 地址：0x02；复位：0xFFFF；名称：ALARM_MASKS 表9. ALARM_MASKS位功能描述 位 15 14 13 12 [11:0] 位名称 PARITY_ERROR_MASK TOO_FEW_ERRORS_MASK TOO_MANY_ERRORS_MASK ADDRESS_RANGE_ERROR_MASK RESERVED 设置 Rev. 0 | Page 35 of 14 访问类型 R/W R/W R/W R/W R ADMV1013 数据手册 地址：0x03；复位：0x01D7；名称：ENABLE 表10. ENABLE位功能描述 位 15 14 [13:11] 位名称 VGA_PD MIXER_PD QUAD_PD 10 [9:8] 7 6 5 [4:0] BG_PD RESERVED MIXER_IF_EN RESERVED DET_EN RESERVED 设置 描述 关断VGA电路 关断混频器电路 关断四倍频器 000 使能LO四倍频器电路 111 禁用LO四倍频器电路 关断发送器带隙 保留 使能IF模式 保留 使能包络检波器 保留 复位 0x0 0x0 0x0 访问类型 R/W R/W R/W 0x0 0x0 0x1 0x1 0x0 0x17 R/W R R/W R R/W R 地址：0x05；复位：0x5051；名称：LO_AMP_I 表11. LO_AMP_I位功能描述 位 [15:14] [13:7] [6:0] 位名称 设置 RESERVED LOAMP_PH_ADJ_I_FINE MIXER_VGATE 描述 保留。 混频器镜像抑制校准。 控制混频器栅极电压。对于0 V至1.8 V，MIXER_VGATE = 23.89×共模电压 + 81；对于1.8 V至2.6 V，MIXER_VGATE = 23.75×共模电压 + 1.25。 复位 0x1 0x20 0x51 访问类型 R R/W R/W 复位 0x1 0x20 0x0 访问类型 R R/W R 地址：0x06；复位：0x5000；名称：LO_AMP_Q 表12. LO_AMP_Q位功能描述 位 [15:14] [13:7] [6:0] 位名称 RESERVED LOAMP_PH_ADJ_Q_FINE RESERVED 设置 Rev. B | Page 36 of 39 描述 保留 混频器镜像抑制校准 保留 ADMV1013 数据手册 地址：0x07；复位：0xFFFC；名称：OFFSET_ADJUST_I 表13. OFFSET_ADJUST_I位功能描述 位 [15:9] [8:2] [1:0] 位名称 MXER_OFF_ADJ_I_P MXER_OFF_ADJ_I_N RESERVED 设置 描述 IF模式的LO馈通失调校准I为正 IF模式的LO馈通失调校准I为负 保留 复位 0x7F 0x7F 0x0 访问类型 R/W R/W R 地址：0x08；复位：0xFFFC；名称：OFFSET_ADJUST_Q 表14. OFFSET_ADJUST_Q位功能描述 位 [15:9] [8:2] [1:0] 位名称 MXER_OFF_ADJ_Q_P MXER_OFF_ADJ_Q_N RESERVED 设置 描述 IF模式的LO馈通失调校准Q为正 IF模式的LO馈通失调校准Q为负 保留 复位 0x7F 0x7F 0x0 访问类型 R/W R/W R 复位 0x15 0xC 访问类型 R R/W 0x0 0x0 R R/W 地址：0x09；复位：0x5700；名称：QUAD 表15. QUAD位功能描述 位 [15:10] [9:6] 位名称 RESERVED QUAD_SE_MODE 设置 0110 1001 1100 [5:4] [3:0] RESERVED QUAD_FILTERS 0000 0101 1010 1111 描述 保留。 切换差分/单端模式。 单端模式，禁用负端。 单端模式，禁用正端。 差分模式。 保留。 LO滤波器带宽选择。 LO频率带宽：8.62 GHz至10.25 GHz LO频率带宽：6.6 GHz至9.2 GHz LO频率带宽：5.4 GHz至8 GHz LO频率带宽：5.4 GHz至7 GHz Rev. 0 | Page 37 of 14 ADMV1013 数据手册 地址：0x0A；复位：0x0000；名称：VVA_TEMPERATURE_COMPENSATION 表16. VVA_TEMPERATURE_COMPENSATION位功能描述 位 位名称 设置 [15:0] VVA_TEMPERATURE_COMPENSATION 描述 复位 VVA温度补偿。更新VVA温度补偿时，必须禁用PARITY_EN。 0x0 启动时设置为0xE700。 Rev. B | Page 38 of 39 访问类型 R/W ADMV1013 数据手册 外形尺寸 图109. 40引脚栅格阵列封装[LGA] 6 mm × 6 mm本体、0.67 mm封装高度 (CC-40-5) 图示尺寸单位：mm 订购指南 型号1 ADMV1013ACCZ ADMV1013ACCZ-R7 ADMV1013-EVALZ 1 温度范围 −40°C至+85°C −40°C至+85°C 封装描述 40引脚栅格阵列封装[LGA] 40引脚栅格阵列封装[LGA] 评估板 Z = 符合RoHS标准的器件。 ©2018–2019 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D17267sc-0-9/19(B) Rev. B | Page 39 of 39 封装选项 CC-40-5 CC-40-5