ADP2323ACPZ-R7

双通道、3 A、20 V同步降压调节器， 集成高端MOSFET数据手册 ADP2323 产品特性 典型应用电路 RTOP1 CC1 CSS1 INTVCC MODE SCFG TRK2 TRK1 VDRV BST1 EN1 PVIN1 CBST1 VOUT1 L1 SW1 M1 COUT1 DL1 ADP2323 CDRV PGND GND PGOOD2 PGOOD1 SYNC DL2 RT SW2 RC2 RBOT2 CC2 BST2 PVIN2 EN2 SS2 FB2 ROSC COUT2 M2 CBST2 VOUT2 L2 VIN CSS2 CIN2 RTOP2 09357-001 CINT CIN1 SS1 COMP1 FB1 RC1 应用 通信基础设施 网络和服务器 工业和仪器仪表 医疗保健 中间供电轨转换 DC-DC负载点应用 VIN RBOT1 COMP2 输入电压：4.5 V至20 V 输出精度：±1% 集成典型值90 mΩ的高端MOSFET 灵活的输出配置 双路输出：3 A/3 A 单路交错式输出：6 A 可编程开关频率：250 kHz至1.2 MHz 外部同步输入，可编程相移，或内部时钟输出 可选PWM或PFM工作模式 小型电感的限流可调 外部补偿和软启动 启动后进入预充电输出 受ADIsimPower™设计工具支持 图1. 概述 ADP2323是一款功能全面的双通道降压DC-DC调节器，采 用电流模式架构。ADP2323集成两个高端功率MOSFET开 关和两个低端驱动器，可控制外部的N沟道MOSFET。采 用两个脉冲宽度调制(PWM)通道，提供3 A双路输出，或6 A 单路交错式输出。支持4.5 V至20 V输入电源电压范围，输 出电压可低至0.6 V。 入和电源良好输出提供可靠的电源时序。为提高系统可靠 性，器件还包括欠压闭锁(UVLO)、过压保护(OVP)、过流 保护(OCP)和热关断(TSD)等特性。 ADP2323在−40°C至+125°C的结温范围内工作，采用32引 脚LFCSP_WQ封装。 开关频率可设置，范围介于250 kHz至1.2 MHz之间，或与 外部时钟同步，将多轨应用的干扰降至最低。PWM双通 道180°错相工作，因此能降低输入电流纹波，并减小输入 电容的尺寸。 ADP2323可设置为轻载时以脉冲频率调制(PFM)模式工作 来获得更高效率，或在噪声敏感应用中以强制PWM模式 工作。外部补偿和软启动提供设计灵活性。独立的使能输 95 90 85 EFFICIENCY (%) 双向同步引脚可配置为60°、90°或120°相移，为实现堆叠 式多相功率解决方案提供了可能性。 100 80 75 70 65 VOUT = 5V VOUT = 3.3V 60 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 OUTPUT CURRENT (A) 09357-002 55 图2.效率与输出电流的关系(VIN = 12 V，fSW = 600 kHz) Rev. A Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 ©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADP2323 目录 特性.................................................................................................. 1 过压保护.................................................................................. 17 应用.................................................................................................. 1 欠压闭锁.................................................................................. 18 应用电路 ......................................................................................... 1 热关断 ...................................................................................... 18 概述.................................................................................................. 1 应用信息 ....................................................................................... 19 修订历史 ......................................................................................... 2 ADIsimPower设计工具 ........................................................ 19 功能框图 ......................................................................................... 3 输入电容选择 ......................................................................... 19 技术规格 ......................................................................................... 4 输出电压设置 ......................................................................... 19 绝对最大额定值............................................................................ 6 电压转换限制 ......................................................................... 19 热阻 ............................................................................................ 6 限流设置.................................................................................. 19 ESD警告..................................................................................... 6 电感选择.................................................................................. 20 引脚配置和功能描述 .................................................................. 7 输出电容选择 ......................................................................... 20 典型性能参数 ................................................................................ 9 低端功率器件选择 ................................................................ 21 工作原理 ....................................................................................... 15 编程欠压闭锁输入 ................................................................ 21 控制方案.................................................................................. 15 补偿器件设计 ......................................................................... 21 PWM模式................................................................................ 15 设计示例 ....................................................................................... 23 PFM模式.................................................................................. 15 输出电压设置 ......................................................................... 23 精密使能/关断 ....................................................................... 15 限流设置.................................................................................. 23 单独的输入电压..................................................................... 15 频率设置.................................................................................. 23 内部调节器(INTVCC).......................................................... 15 电感选择.................................................................................. 23 自举电路.................................................................................. 16 输出电容选择 ......................................................................... 23 低端驱动器 ............................................................................. 16 低端MOSFET选择 ................................................................. 24 振荡器 ...................................................................................... 16 补偿器件.................................................................................. 24 同步 .......................................................................................... 16 软启动时间编程..................................................................... 24 软启动 ...................................................................................... 16 输入电容选择 ......................................................................... 24 峰值限流和短路保护............................................................ 16 外部器件推荐 .............................................................................. 25 电压跟踪.................................................................................. 17 典型应用电路 .............................................................................. 26 并行操作.................................................................................. 17 外形尺寸 ....................................................................................... 31 电源良好.................................................................................. 17 订购指南.................................................................................. 31 修订历史 2012年6月—修订版0至修订版A 更改特性部分 ................................................................................ 1 增加“ADIsimPower设计工具”部分......................................... 19 2011年7月—修订版0：初始版 Rev. A | Page 2 of 32 ADP2323 功能框图 ADP2323 1.2V UVLO EN1_BUF + ACS1 – EN1 1µA 4µA SLOPE RAMP1 Σ COMP1 ISS1 0.6V SS1 I1MAX FB1 BOOST REGULATOR HICCUP MODE BST1 NFET1 + AMP1 + CMP1 – – – SKIP MODE THRESHOLD 0.7V + OCP – DRIVER + + TRK1 – + OVP + SW1 SKIP CMP1 CONTROL LOGIC AND MOSFET DRIVER WITH MODE_BUF ANTICROSS PROTECTION DRIVER DL1 ZERO CURRENT – CMP + + PGOOD1 I1MAX CURRENTLIMIT SELECTION EN1_BUF CLK1 SCFG VDRV PVIN1 MODE_BUF MODE EN2_BUF SLOPE RAMP1 INTVCC 5V REGULATOR OSCILLATOR CLK2 SYNC RT GND SLOPE RAMP2 UVLO 1.2V EN2_BUF 1µA 4µA SLOPE RAMP2 COMP2 Σ I2MAX PVIN2 + ACS2 – EN2 + OCP – BOOST REGULATOR HICCUP MODE BST2 NFET2 0.6V SS2 DRIVER + + CMP2 – + + AMP2 TRK2 FB2 – 0.7V – + 0.54V OVP SKIP CMP2 CONTROL LOGIC AND MOSFET + DRIVER WITH ANTICROSS MODE_BUF PROTECTION – SKIP MODE THRESHOLD SW2 CLK2 VDRV DRIVER DL2 – ZERO CURRENT – CMP + + I2MAX 图3. 功能框图 Rev. A | Page 3 of 32 CURRENTLIMIT SELECTION 09357-042 ISS2 PGOOD2 VDRV PGND CLK1 – 0.54V PVIN1 ADP2323 技术规格 除非另有说明，PVIN1 = PVIN2 = 12 V，TJ = −40°C ~ +125°C。 表1. 参数 功率输入(PVINx引脚) 输入电源电压范围 静态电流(PVIN1 + PVIN2) 关断电流(PVIN1 + PVIN2) PVINx欠压闭锁阈值 PVINx上升 PVINx下降 FEEDBACK(FBx引脚) FBx调节电压1 FBx偏置电流 误差放大器(COMPx引脚) 跨导 EA源电流 EA吸电流 内部调节器(INTVCC引脚) INTVCC电压 压差 调节器限流 开关节点(SWx引脚) 高端导通电阻2 SWx峰值电流限值 SWx最小导通时间3 SWx最小关断时间3 低端驱动器(DLx引脚) 上升时间3 下降时间3 源电流电阻 吸电流电阻 振荡器(RT引脚) PWM开关频率 PWM频率范围 同步(SYNC引脚) SYNC输入 同步范围 最短导通脉冲宽度 最短关断脉冲宽度 上限 下限 SYNC输出 SYNC引脚上的频率 正向脉冲时间 软启动(SSx引脚) SSx引脚源电流 符号 测试条件/注释 VPVIN IQ ISHDN UVLO MODE = GND，无开关切换 EN1 = EN2 = GND 最小值 典型值 最大值 单位 3 50 20 5 100 V mA µA 4.3 3.8 4.5 V V 0.594 0.6 0.01 0.606 0.1 V µA 230 25 25 300 45 45 370 65 65 µS µA µA 4.75 5 400 75 5.25 V mV mA 4.5 3.5 VFB IFB PVINx = 4.5 V至20 V gm ISOURCE ISINK IINTVCC = 30 mA 40 tMIN_ON tMIN_OFF VBST至VSW = 5 V RILIM = 悬空，VBST至VSW = 5 V RILIM = 47 kΩ, VBST至VSW = 5 V RILIM = 15 kΩ, VBST至VSW = 5 V 4 2.3 0.8 CDL = 2.2 nF，见图19 CDL = 2.2 nF，见图22 fSW ROSC = 100 kΩ 90 4.8 3 1.5 130 150 20 10 4 2 530 250 600 120 130 5.8 3.7 2.2 mΩ A A A ns ns 6 4.5 ns ns Ω Ω 670 1200 kHz kHz 1200 kHz ns ns V V SYNC配置为输入 300 100 100 1.3 0.4 SYNC配置为输出 fCLKOUT fSW kHz ns 100 ISS 2.5 Rev. A | Page 4 of 32 3.5 4.5 µA ADP2323 参数 跟踪输入(TRKx引脚) TRKx输入电压范围 TRKx对FBx偏移电压 TRKx输入偏置电流 电源良好(PGOODx引脚) 电源良好上升阈值 电源良好迟滞 电源良好去毛剌时间 PGOODx漏电流 PGOODx输出低电压 使能(ENx引脚) ENx上升阈值 ENx下降阈值 ENx源电流 符号 测试条件/注释 最小值 TRKx = 0 mV至500 mV 0 −10 87 从FBx到PGOODx VPGOOD = 5 V IPGOOD = 1 mA 1.02 EN电压低于下降阈值 EN电压高于上升阈值 模式(MODE引脚) 输入高电压 输入低电压 热特性 热关断阈值 热关断迟滞 1 2 3 典型值 90 5 16 0.1 50 1.2 1.1 5 1 最大值 单位 600 +10 100 mV mV nA 93 % % 时钟周期 µA mV 1 100 1.28 1.3 0.4 150 15 已在反馈环路中进行测试，该环路调节VFB以达到COMPx引脚上的指定电压。 引脚对引脚测量。 通过设计保证。 Rev. A | Page 5 of 32 V V µA µA V V °C °C ADP2323 绝对最大额定值 热阻 表2. 参数 PVIN1, PVIN2, EN1, EN2 SW1, SW2 BST1, BST2 FB1, FB2, SS1, SS2,COMP1, COMP2, PGOOD1, PGOOD2, TRK1, TRK2, SCFG, SYNC, RT, MODE INTVCC, VDRV, DL1, DL2 PGND至GND 温度范围 工作(结温) 存储 焊接条件 θJA针对最差条件；即器件焊接在电路板上以实现表贴封装。 额定值 −0.3 V至+ 22 V −1 V至 +22 V VSW + 6 V −0.3 V至+6 V θJA通过JEDEC 4层电路板自然对流方式来测量，裸露焊盘 通过散热通孔焊接在印刷电路板(PCB)上。 −0.3 V至+6 V −0.3 V至+0.3 V 封装类型 32引脚LFCSP_WQ 边界条件 表3. 热阻 −40°C至+125 °C −65°C至+150 °C JEDEC J-STD-020 θJA 32.7 单位 °C/W ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性 损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器 件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影 响器件的可靠性。 Rev. A | Page 6 of 32 尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高 能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当 的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 ADP2323 32 31 30 29 28 27 26 25 FB1 COMP1 SS1 TRK1 EN1 PVIN1 PVIN1 SW1 引脚配置和功能描述 1 2 3 4 5 6 7 8 ADP2323 TOP VIEW (Not to Scale) 24 23 22 21 20 19 18 17 SW1 BST1 DL1 PGND VDRV DL2 BST2 SW2 NOTES 1. THE EXPOSED PAD SHOULD BE SOLDERED TO AN EXTERNAL GND PLANE. 09357-003 FB2 COMP2 SS2 TRK2 EN2 PVIN2 PVIN2 SW2 9 10 11 12 13 14 15 16 PGOOD1 SCFG SYNC GND INTVCC RT MODE PGOOD2 图4. 引脚配置(顶视图) 表4. 引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 1 PGOOD1 2 SCFG 3 SYNC 4 5 6 7 GND INTVCC RT MODE 8 9 PGOOD2 FB2 10 COMP2 11 SS2 12 TRK2 13 EN2 14, 15 16, 17 18 19 20 21 22 PVIN2 SW2 BST2 DL2 VDRV PGND DL1 描述 通道1的电源良好输出引脚(开漏)。建议使用10 kΩ到100 kΩ的上拉电阻。 同步配置输入。SCFG引脚可将SYNC引脚配置为输入或输出引脚。将SCFG连接到INTVCC可将 SYNC配置为输出引脚。使用电阻下拉至地可将SYNC配置为不同相移角度的输入引脚。 同步。该引脚可配置为输入或输出引脚。当配置为输出引脚时，它提供开关频率的时钟。当配 置为输入引脚时，该引脚接受调节器所同步的外部时钟，相移通过SCFG进行配置。请注意，当 SYNC配置为输入引脚时，PFM模式禁用，器件仅在连续导通模式(CCM)下工作。 模拟地。连接到接地层。 内部5 V调节器输出引脚。IC控制电路通过该电压供电。在INTVCC和GND之间放置1 μF陶瓷电容。 在RT与GND之间连接一个电阻，将开关频率编程设定在250 kHz与1.2 MHz之间。 模式选择。此引脚与INTVCC相连时，PFM模式禁用，调节器仅在CCM模式下工作。当此引脚接 地时，PFM模式启用。如果低端器件为二极管，则MODE引脚必须接地。 通道2的电源良好输出引脚(开漏)。建议使用10 kΩ到100 kΩ的上拉电阻。 通道2的反馈电压检测输入引脚。从通道2输出电压V OUT2 连接至电阻分压器。将FB2连接至 INTVCC，用于并行应用。 通道2的误差放大器输出引脚。在COMP2与GND之间连接一个RC网络。将COMP1和COMP2连接 在一起，用于并行应用。 通道2的软启动控制。在SS2与GND之间连接一个电容，对软启动时间进行编程。对于并行应用， SS2保持断开。 通道2的跟踪输入引脚。若要跟踪主电压，可从该主电压的分压器驱动该引脚。如果不使用跟踪 功能，将TRK2连接到INTVCC。 通道2的使能引脚。可使用外部电阻分压器来设定启动阈值。如果不使用使能引脚，将EN2连接 到PVIN2。 通道2的电源输入引脚。将PVIN2连接到输入电源，并在PVIN2和地之间连接一个旁路电容。 通道2的开关节点。 通道2栅极驱动的供电轨。在SW2与BST2之间放置一个0.1 μF电容。 通道2的低端栅极驱动器输出引脚。在DL2与PGND之间连接一个电阻，以设置通道2的限流阈值。 低端驱动器电源输入引脚。将VDRV连接到INTVCC。在VDRV引脚和PGND之间放置一个1 μF陶瓷电容。 驱动器电源地。连接到同步N沟道MOSFET的源。 通道1的低端栅极驱动器输出引脚。在该引脚与PGND之间连接一个电阻，以设置通道1的限流阈值。 Rev. A | Page 7 of 32 ADP2323 引脚编号 23 24, 25 26, 27 引脚名称 BST1 SW1 PVIN1 28 EN1 29 TRK1 30 31 SS1 COMP1 32 FB1 裸露焊盘 描述 通道1栅极驱动的供电轨。在SW1与BST1之间放置一个0.1 μF电容。 通道1的开关节点。 通道1的电源输入引脚。该引脚是通道1的电源输入引脚，为内部调节器供电。连接到输入电源 并在PVIN1与地之间连接一个旁路电容。 通道1的使能引脚。可使用外部电阻分压器来设定启动阈值。如果不使用使能引脚，将EN1引脚 连接到PVIN1。 通道1的跟踪输入引脚。若要跟踪主电压，可从该主电压的分压器驱动该引脚。如果不使用跟踪 功能，将TRK1连接到INTVCC。 通道1的软启动控制。若要对软启动时间进行编程，在SS1与GND之间连接一个电容。 通道1的误差放大器输出引脚。在COMP1与GND之间连接一个RC网络。将COMP1和COMP2连接 在一起，用于并行应用。 通道1的反馈电压检测输入引脚。从通道1输出电压VOUT1连接至电阻分压器。 将裸露的焊盘焊接到外部GND平面。 Rev. A | Page 8 of 32 ADP2323 典型性能参数 100 95 95 90 90 85 85 80 75 70 VOUT = 5.0V VOUT = 3.3V VOUT = 2.5V VOUT = 1.8V VOUT = 1.5V VOUT = 1.2V 65 60 INDUCTOR: CDRH105RNP-3R3N MOSFET: FDS8880 55 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 80 75 70 60 INDUCTOR: CDRH105RNP-6R8N MOSFET: FDS8880 55 3.0 OUTPUT CURRENT (A) 50 0 90 80 80 70 70 EFFICIENCY (%) 60 50 VOUT = 3.3V, FPWM VOUT = 3.3V, PFM VOUT = 5V, FPWM VOUT = 5V, PFM 2.0 2.5 3.0 60 50 VOUT = 3.3V, FPWM VOUT = 3.3V, PFM VOUT = 5V, FPWM VOUT = 5V, PFM 40 30 20 INDUCTOR: CDRH105RNP-3R3N MOSFET: FDS8880 0 0.01 INDUCTOR: CDRH105RNP-6R8N MOSFET: FDS8880 10 0.1 1 10 OUTPUT CURRENT (A) 0 0.01 09357-006 10 0.1 1 10 09357-009 20 20 OUTPUT CURRENT (A) 图6. 效率，VIN = 12 V，fSW = 600 kHz，PFM 图9. 效率，VIN = 12 V，fSW = 300 kHz，PFM 3.20 40 3.15 QUIESCENT CURRENT (mA) 35 30 25 20 TJ = –40°C TJ = +25°C TJ = +125°C 15 4 6 8 10 3.10 3.05 3.00 2.95 TJ = –40°C TJ = +25°C TJ = +125°C 2.90 2.85 12 14 16 VIN (V) 18 20 2.80 09357-007 SHUTDOWN CURRENT (µA) 1.5 09357-010 EFFICIENCY (%) 100 90 10 1.0 图8. 效率：VIN = 12 V，fSW = 300 kHz，FPWM 100 30 0.5 OUTPUT CURRENT (A) 图5. 效率：VIN = 12 V，fSW = 600 kHz，FPWM 40 VOUT = 5.0V VOUT = 3.3V VOUT = 2.5V VOUT = 1.8V VOUT = 1.5V VOUT = 1.2V 65 09357-008 EFFICIENCY (%) 100 09357-005 EFFICIENCY (%) 工作条件：除非另有说明，TA = 25°C，VIN = 12 V，VOUT = 3.3 V，L = 4.7 μH，COUT = 2 × 47 μF，fSW = 600 kHz。 4 6 8 10 12 14 16 VIN (V) 图7. 关断电流与VIN 的关系 图10. 静态电流与VIN 的关系 Rev. A | Page 9 of 32 18 ADP2323 4.5 1.30 4.4 RISING 1.25 ENABLE THRESHOLD (V) UVLO THRESHOLD (V) 4.3 4.2 4.1 4.0 3.9 FALLING 3.8 3.7 RISING 1.20 1.15 FALLING 1.10 1.05 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 1.00 –40 –20 40 60 80 100 120 100 120 100 120 图14. EN阈值与温度的关系 1.10 5.10 1.08 5.05 1.06 5.00 EN SOURCE CURRENT (µA) EN SOURCE CURRENT (µA) 20 TEMPERATURE (°C) 图11. 欠压闭锁(UVLO)阈值与温度的关系 1.04 1.02 1.00 0.98 0.96 0.94 0.92 4.95 4.90 4.85 4.80 4.75 4.70 4.65 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 4.60 –40 09357-012 0.90 –40 0 09357-015 0 09357-016 –20 09357-011 3.5 –40 09357-014 3.6 –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 图12. EN源电流，VEN = 1.5 V 图15. EN源电流，VEN = 1 V 350 606 340 TRANSCONDUCTANCE (µS) 602 600 598 596 594 –40 330 320 310 300 290 280 270 260 –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 100 120 250 –40 09357-013 FEEDBACK VOLTAGE (mV) 604 –20 0 20 40 60 TEMPERATURE (°C) 图16. gm 与温度的关系 图13. 反馈电压与温度的关系 Rev. A | Page 10 of 32 80 ADP2323 660 5.4 5.2 5.0 620 VOLTAGE (V) 600 580 4.6 4.4 ROSC = 100kΩ 560 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 4.0 4 6 12 14 16 18 20 图20. INTVCC电压与VIN 的关系 4.5 130 4.3 SSx PIN SOURCE CURRENT (µA) 120 110 100 90 80 70 4.1 3.9 3.7 3.5 3.3 3.1 2.9 60 2.7 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 2.5 –40 09357-018 –20 –20 图18. MOSFET RDSON 与温度的关系 20 DL CH2 2.00V 60 80 100 120 SW 1 DL 2 M20.0ns T 31.20% A CH1 1.10V 09357-022 2 CH1 5.00V 40 图21. SSx引脚源电流与温度的关系 SW 1 0 TEMPERATURE (°C) 09357-019 MOSFET RESISTOR (mΩ) 10 VIN (V) 图17. 频率与温度的关系 50 –40 8 09357-020 4.2 09357-017 540 –40 4.8 CH1 5.00V 图19. 低端驱动器上升沿波形，CDL = 2.2 nF CH2 2.00V M20.0ns T 60.20% A CH1 1.10V 图22. 低端驱动器下降沿波形，CDL = 2.2 nF Rev. A | Page 11 of 32 09357-021 FREQUENCY (kHz) 640 ADP2323 3.2 5.8 5.6 3.1 PEAK CURRENT LIMIT (A) 5.2 5.0 4.8 4.6 4.4 3.0 2.9 2.8 2.7 2.6 4.2 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 2.5 –40 09357-023 4.0 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 图23. 限流阈值与温度的关系，RILIM = 悬空 图26. 限流阈值与温度的关系，RILIM = 47 kΩ 2.0 VOUT (AC) 1 1.8 PEAK CURRENT LIMIT (A) IL 1.6 4 1.4 1.2 2 SW –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) B CH1 10.0mV 09357-024 0.8 –40 09357-027 1.0 W 图24. 限流阈值与温度的关系，RILIM = 15 kΩ CH2 10.0V CH4 2.00A Ω M2.00µs A CH2 T 50.00% 5.80V 图27. 连续导通模式(CCM) VOUT (AC) 1 1 VOUT (AC) IL IL 4 4 2 SW SW CH1 10.0mV B W CH2 10.0V M2.00µs A CH2 CH4 500mA Ω T 50.20% 9.40V 09357-028 09357-025 2 CH1 100mV 图25. 断续导通模式(DCM) B W CH2 10.0V M400µs A CH1 CH4 1.00A Ω T 60.40% 图28. 省电模式 Rev. A | Page 12 of 32 –12.0mV 09357-026 PEAK CURRENT LIMIT (A) 5.4 ADP2323 EN EN 3 3 VOUT VOUT 1 1 PGOOD 2 PGOOD IL IOUT 4 09357-029 4 CH1 2.00V BW CH3 10.0V CH2 5.00V CH4 2.00A Ω M1.00ms T A CH2 09357-032 2 CH1 2.00V BW CH3 10.0V 1.80V 50.40% CH2 5.00V CH4 1.00A Ω 图29. 满载软启动 M1.00ms T A CH2 1.80V 50.40% 图32. 预充电输出 VOUT (AC) 1 VOUT (AC) 1 VIN 3 SW IOUT IOUT B W M200µs CH4 1.00A Ω T A CH4 70.20% 2 VOUT 1 SW 2 IL CH2 5.00V M1.00ms W T A CH1 –8.00mV 72.00% VOUT SW IL 4 09357-031 4 CH1 2.00V BW W B 图33. 线路瞬态响应，VIN 范围从8 V到14 V，IOUT = 3 A 图30. 负载瞬态响应，0.5 A至2.5 A 1 B CH1 20.0mV CH3 5.00V 1.00A CH2 10.0V CH4 2.00A Ω M10.0ms T A CH1 09357-034 CH1 100mV 09357-033 2 09357-030 4 CH1 2.00V BW 960mV 20.60% 图31. 输出短路 CH2 10.0V CH4 2.00A Ω M10.0ms T 60.40% 图34. 输出短路恢复 Rev. A | Page 13 of 32 A CH1 1.28V ADP2323 SYNC SYNC 3 3 SW1 SW1 1 1 SW2 SW2 CH1 10.0V CH3 5.00V CH2 10.0V M1.00µs T A CH3 2.90V 09357-038 2 09357-035 2 CH1 10.0V CH3 5.00V 50.20% 图35. 外部同步，相移角度为60° CH2 10.0V M1.00µs T A CH3 2.90V 50.20% 图38. 外部同步，相移角度为90° SYNC SW1 3 1 SW2 SW1 2 1 SW2 IL1 CH1 10.0V CH3 5.00V CH2 10.0V M1.00µs T A CH3 IL2 09357-039 3 09357-036 2 CH1 10.0V CH3 2.00A Ω 2.90V 50.20% CH2 10.0V CH4 2.00A Ω M1.00µs T A CH2 5.80V 50.00% 图39. 双相，单路输出，VOUT = 3.3 V，IOUT = 6 A 图36. 外部同步，相移角度为120° VMASTER VMASTER VSLAVE VSLAVE 3 09357-037 09357-040 3 CH3 1.00V BW CH2 1.00V BW M2.00ms T A CH2 660mV CH3 1.00V BW 43.00% 图37. 同步跟踪 CH2 1.00V BW M2.00ms T 图40. 比率跟踪 Rev. A | Page 14 of 32 A CH2 43.00% 660mV ADP2323 工作原理 ADP2323是一款功能全面的双通道降压DC-DC调节器，采 用电流模式架构。它集成了两个高端功率型MOSFET开关 和两个低端驱动器，可控制外部MOSFET。ADP2323设计 用于需要高效率和设计灵活性的高性能应用。 精密使能/关断 ADP2323可采用4.5 V至20 V的输入电压工作，并且可将输 出电压降至0.6 V。灵活设计的其他功能包括可编程的开关 频率、可编程的软启动、外部补偿、独立使能输入和电源 良好输出。 当EN1或EN2引脚的电压超过1.2 V(典型值)时，通道1或通 道2使能，并且EN1或EN2引脚的内部下拉电流源降至1 µA， 从而允许用户编程输入电压欠压闭锁(UVLO)。 控制方案 ADP2323在中载至满载时采用固定频率、电流模式PWM控 制结构，若启用节能模式(PFM)，在轻载时可自动切换到 PFM模式。节能模式可降低开关损耗，并且在轻载时提升 效率。以固定频率PWM模式工作时，通过调节集成N通道 MOSFET(亦称为NFET)开关的占空比来调节输出电压。以 节能模式工作时，通过调节开关频率来调节输出电压。 PWM模式 在PWM模式中，ADP2323以外部电阻设定的固定频率工作。 每个振荡器周期开始时，高端NFET打开，给电感两端发 送一个正向电压。电感电流上升，直到电流检测信号超过 峰值电感电流阈值，然后关断高端NFET并打开低端NFET (二极管)。这使得电感两端产生一个负向电压，使电感电 流下降。低端NFET(二极管)保持导通，直到此周期结束或 电感电流为零。 对于每个通道，ADP2323拥有两个独立使能引脚(EN1和 EN2)。ENx引脚拥有一个内部下拉电流源(5 µA)，当ENx引 脚断开时会默认关断。 当EN1或EN2引脚的电压降至1.1 V(典型值)以下时，通道1 或通道2关闭。当EN1和EN2均低于1.1 V时，所有内部电路 关闭，并且器件进入关断模式。 单独的输入电压 ADP2323支持两个单独的输入电压。这意味着可将PVIN1 和PVIN2电压连接至两个不同的电源电压。在这几类应用 中，因为PVIN1电压为内部调节器和控制电路供电，所以 PVIN2电压开始上升前，PVIN1电压必须高于UVLO电压。 这一特性使得级联电源工作成为可能，如图41所示，其中 PVIN2由通道1输出电源供电。在此配置中，通道1输出电 压需要足够高，才能维持对通道2的调节，通道1输出电压 需要高于输出电压UVLO阈值。 VIN PVIN1 PVIN2 ADP2323 PFM模式 VOUT1 当器件进入PFM模式时，它会监测FBx电压来调节输出电压。 由于高端和低端NFET关闭，输出电压将会下降，这是由 输出电容放电的负载电流引起的。当FBx电压下降到0.605 V 以下时，器件开始切换，并且随着电感电流充入输出电容， 输出电压将会上升。当FBx电压超过0.62 V时，器件将同时 关闭高端和低端NFET，直到FBx电压降至0.605 V。在PFM模式 中，输出电压纹波比PWM模式的纹波大。 COUT1 L2 M1 SW1 SW2 DL1 DL2 M2 VOUT2 COUT2 PGND 09357-043 要使能PFM模式，需将MODE引脚拉至地。当COMPx电压 低于PFM阈值电压时，器件将进入PFM模式。 L1 图41. 级联电源工作 内部调节器(INTVCC) 内部调节器为内部控制电路提供稳定的电压供应，并为低 端栅极驱动器提供偏置电压。建议在INTVCC和GND之间 放置一个1 µF陶瓷电容。内部调节器还包含起保护作用的限 流电路。 当任意一个通道启用时，该内部调节器有效。PVIN1引脚 为两个通道使用的内部调节器供电。 Rev. A | Page 15 of 32 ADP2323 自举电路 ADP2323集成了启动调节器，可为高端NFET提供栅极驱 动电压。这些调节器在BSTx引脚和SWx引脚之间产生5 V 自举电压。 建议在BSTx和SWx引脚之间放置一个0.1 μF陶瓷电容X7R或 X5R。 低端驱动器 DLx引脚可为低端N沟道MOSFET提供栅极驱动。内部电路 监测栅极驱动器信号以确保先开后合式开关，从而防止交 叉导通。 VDRV引脚为低端驱动器供电。输入电压最大限值为5.5 V， 建议在此引脚旁边放置一个1 µF陶瓷电容。 将SYNC引脚配置为输出引脚时，它会产生与内部开关频 率相同的时钟信号。 将SYNC引脚配置为输入引脚时，ADP2323会与SYNC引脚 所施加的外部时钟同步，内部时钟的编程设置必须低于外 部时钟。相移可通过SCFG引脚进行编程。 在同步模式下工作时，ADP2323将禁用PFM模式，仅在 CCM模式下工作。 软启动 SSx引脚用于编程软启动时间。在SSx与GND之间放置一个 电容，内部电流将充入该电容，从而建立软启动斜坡。软 启动时间计算公式如下： TSS = 振荡器 RT与GND之间的电阻根据以下等式对开关频率进行编程： fSW [kHz] = 60,000 ROSC [kΩ] 200 kΩ电阻将频率设置为300 kHz，100 kΩ电阻将频率设置 为600 kHz。图42显示了fSW与ROSC之间的典型关系。 I SS 其中： CSS为软启动电容。 ISS为软启动上拉电流(3.5 μA)。 如果输出电压在上电之前进行预充电，ADP2323会阻止低 端MOSFET开启，直到软启动电压超过FBx引脚上的电压。 在软启动期间，ADP2323使用折频技术防止输出电流失控。 开关频率根据FBx引脚处的电压而降低，为电感留出更多 时间进行放电。表6显示了开关频率与FBx引脚电压之间的 关联。 1200 1100 1000 FREQUENCY (kHz) 0.6 V × CSS 900 800 表6. FBx引脚电压和开关频率 700 FBx引脚电压 VFB ≥ 0.4 V 0.4 V > VFB ≥ 0.2 V VFB < 0.2 V 600 500 400 300 峰值电流限制和短路保护 50 70 90 110 130 150 170 190 210 ROSC (kΩ) 230 250 09357-044 200 开关频率 fSW 1/2 fSW 1/4 fSW 图42. fSW 与ROSC 的关系 同步 可根据表5中所示的SCFG引脚设置将SYNC引脚配置为输 入或输出引脚。 表5. SCFG配置 SCFG 高电平 GND 180 kΩ至GND 100 kΩ至GND SYNC 输出 输入 输入 输入 相移 0° 90° 120° 60° ADP2323采用峰值电流限制保护电路，可防止电流失控。 在DLx与PGND之间放置一个电阻，对表7中所示的限流值 进行编程。可编程的限流阈值功能可允许对低电流应用场 合使用小尺寸电感。 表7. 峰值限流阈值设置 RILIM 悬空 47 kΩ 15 kΩ Rev. A | Page 16 of 32 峰值限流阈值 4.8 A 3A 1.5 A ADP2323 图45显示了比率跟踪。从输出被限制为主电压的若干分 之一。在此应用中，从电压和主电压同时达到最终值。 VMASTER 在某些情况下，输入电压(PVIN)斜坡率过低或者输出电容 过大，无法支持在软启动期间设置调节电压，导致器件进 入打嗝模式。为了避免此类情况发生，可在ENx引脚处放 置一个电阻分压器对输入电压UVLO进行编程或者使用更 长的软启动时间。 VOLTAGE 如果过流计数器达到10，或者FBx引脚电压在软启动后降 至0.51 V，则器件将进入打嗝模式。在此模式下，高端MOSFET 和低端驱动器同时关断。器件在此模式下保持七个软启动 周期，然后尝试从软启动重启。如果限流故障已清除，器 件将恢复正常工作；否则将重新进入打嗝模式。 TIME 图45. 比率跟踪 从输出电压与主电压之比取决于两个分压器，具体如下： VSLAVE = V MASTER 电压跟踪 ADP2323具有跟踪输入TRKx，使输出电压能够跟踪外部电 压(主电压)。它允许适用于FPGA、DSP和ASIC的电源时序 控制，这些可能需要内核和I/O电压之间的电源时序控制。 内部误差放大器包括三个正向输入：内部基准电压、软启 动电压和跟踪输入电压。误差放大器将反馈电压调节到三 个电压中最低的一个。要跟踪主电压，将TRKx引脚接到 主电压的电阻分压器上即可，如图43所示。 VMASTER RTRK_TOP TRKx RTRK_BOT VSLAVE SWx ADP2323 1+ RTOP R BOT RTRK _ TOP RTRK _ BOT 最终TRKx引脚电压必须高于0.54 V。如果不使用TRK功能，将 TRKx引脚连接到INTVCC。 并行操作 ADP2323支持两相并行操作，以提供6 A的单一输出。要将 ADP2323配置为两相单一输出，请执行以下操作： 1. 将FB2引脚连接到INTVCC，从而禁用通道2误差放大器。 2. 将COMP1连接到COMP2，将EN1连接到EN2。 3. 使用SS1设置软启动时间并保持SS2断开。 电源良好 RTOP 09357-045 RBOT 图43. 电压跟踪 常见应用之一是同步跟踪，如图44所示。同步跟踪功能在 从输出电压达到规定值之前，使从输出电压与主电压相等。 要实现同步跟踪，设置RTRK_TOP = RTOP和RTRK_BOT = RBOT。 VMASTER VOLTAGE 1+ 在并行操作期间，PVIN1和PVIN2的电压应当完全相同。 FBx 电源良好(PGOODx)引脚为高电平有效、开漏输出，可指 示调节器输出电压是否在调节范围内。高电平表示FBx引 脚电压(和输出电压)为基准电压的90%以上。低电平表示 FBx引脚电压(和输出电压)为基准电压的85%以下。FBx和 PGOODx之间存在16周期的去毛刺时间。 过压保护 ADP2323提供过压保护(OVP)功能，可保护系统输出，防 止对较高的电源电压输出短路或者发生强烈的负载瞬变。 如果反馈电压增加至0.7 V，则内部高端MOSFET和低端驱 动器将关断，直到FBx引脚的电压降至0.63 V，此时ADP2323 将恢复正常工作。 09357-046 VSLAVE TIME VSLAVE 09357-047 ADP2323利用打嗝模式实现过流保护。当峰值电感电流达 到限流阈值时，高端MOSFET关闭，低端驱动器开启，直 到进入下一个周期，同时过流计数器增加。 图44. 同步跟踪 Rev. A | Page 17 of 32 ADP2323 欠压闭锁 热关断 欠压闭锁(UVLO)阈值为4.2 V，迟滞为0.5 V，可防止器件出现 上电毛刺。当PVIN1或PVIN2电压升至4.2 V以上时，通道1 或通道2启用，软启动周期开始。当PVIN1或PVIN2降至 3.7 V以下时，将分别关断通道1或通道2。 当ADP2323结温超过150°C时，热关断电路将关断调节器。 热关断有15°C的迟滞，因此片内温度必须低于135°C， ADP2323才会从热关断中恢复。恢复后，在正常工作前开 始软启动过程。 Rev. A | Page 18 of 32 ADP2323 应用信息 ADIsimPower设计工具 ADIsimPower设计工具集支持ADP2323。ADIsimPower是 一个工具集合，可以根据特定设计目标产生完整的电源 设计。利用这些工具，用户只需几分钟就能生成完整原 理图、物料清单并计算性能。ADIsimPower可以考虑IC和 所有真实外部元件的工作条件与限制，并针对成本、面积、 效率和器件数量优化设计。欲了解有关ADIsimPower设计 工具的更多信息，请访问www.analog.com/ADIsimPower。 该工具集可通过此网站获得，用户可以通过该工具申请未 填充的电路板。 输入电容选择 输入去耦电容可衰减输入端的高频噪声，并充当储能库。 该电容应为10 μF至47 μF范围内的陶瓷电容，必须放置在 PVINx引脚附近。由该输入电容、高端NFET和低端NFET 组成的环路必须尽可能小。输入电容的电压额定值必须大 于最大输入电压。输入电容的RMS电流额定值应大于下式 计算值： I C IN _ rms = I OUT × D × (1 − D ) 电压转换限制 输入电压和开关频率给定时的最小输出电压受最短导通时 间的限制。ADP2323的最小导通时间通常为130 ns。输入电压 和频率给定时，CCM模式下最小输出电压的计算公式如下： VOUT_MIN = VIN × tMIN_ON × fSW − (RDSON1 − RDSON2) × IOUT_MIN × tMIN_ON × fSW − (RDSON2 + RL) × IOUT_MIN 其中： VOUT_MIN为最小输出电压。 tMIN_ON为最小导通时间。 IOUT_MIN为最小输出电流。 fSW为开关频率。 RDSON1为高端MOSFET导通电阻。 RDSON2为低端MOSFET导通电阻。 RL为输出电感的串联电阻。 输入电压和开关频率给定时的最大输出电压受最短关断时 间和最大占空比的限制。ADP2323的最小关断时间通常为 150 ns，最大占空比通常为90%。 输入电压和频率给定时，受限于最短关断时间的最大输出 电压的计算公式如下： 输出电压设置 VOUT_MAX = VIN × (1 – tMIN_OFF × fSW) – (RDSON1 – RDSON2) × IOUT_MAX × (1 – tMIN_OFF × fSW) – (RDSON2 + RL) × IOUT_MAX ADP2323的输出电压可通过外部电阻分压器进行设置，计 算公式如下：  R VOUT = 0.6 × 1 + TOP R BOT      FBx引脚偏置电流(最大0.1 μA)会引起输出电压精度降低， 要将降幅限制在0.5%(最大值)以内，应确保RBOT小于30 kΩ。 表8提供了针对各种输出电压选项推荐的电阻分压器。 其中： VOUT_MAX为最大输出电压。 tMIN_OFF为最小关断时间。 IOUT_MAX为最大输出电流。 输入电压给定时，受限于最大占空比的最大输出电压的计 算公式如下： VOUT_MAX = DMAX × VIN 表8. 适用于各种输出电压的电阻分压器 VOUT (V) 1.0 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 5.0 RTOP, ±1% (kΩ) 10 10 15 20 47.5 10 22 RBOT, ±1% (kΩ) 15 10 10 10 15 2.21 3 其中，DMAX为最大占空比。 如上面的公式所示，降低开关频率可减少最短导通时间和 最短关断时间限制。 限流设置 ADP2323有三个可选限流阈值。确保选定的限流值大于电 感的峰值电流IPEAK。 Rev. A | Page 19 of 32 ADP2323 电感选择 表9. 推荐电感 电感值取决于工作频率、输入电压、输出电压和电感纹波 电流。使用小电感会产生更快的瞬态响应，但会因电感纹 波电流较大而降低效率；而使用大电感值可获得较小的纹 波电流和较好的效率，但瞬态响应会变慢。因此，需要在 瞬态响应和效率之间进行权衡。原则上讲，电感纹波电流 ΔIL通常设置为最大负载电流的1/3。电感值计算公式如下： L= Coilcraft (VIN − VOUT ) × D ∆I L × f SW 其中： VIN为输入电压。 VOUT为输出电压。 ΔIL为电感纹波电流。 fSW为开关频率。 D为占空比。 D= 供应商 Sumida Wurth Elektronik 产品型号 CDRH105RNP-1R5N CDRH105RNP-2R2N CDRH105RNP-3R3N CDRH105RNP-4R7N CDRH105RNP-6R8N MSS1048-152NL MSS1048-222NL MSS1048-332NL MSS1048-472NL MSS1048-682NL 7447797180 7447797300 7447797470 7447797620 V IN ADP2323在电流环路中使用自适应斜率补偿，以防止当占 空比大于50%时产生次谐波振荡。内部斜率补偿限制了最 小电感值。 IRMS [A] 8.3 7.5 6.5 6.1 5.4 10.8 9.78 7.22 6.9 6.01 7.3 7.0 5.8 5.5 DCR [mΩ] 5.8 7.2 10.4 12.3 18 5.8 7.2 10.4 12.3 18 16 18 27 30 输出电容的选择影响到输出电压纹波和调节器的环路动态 特性。例如，在输出端出现负载阶跃瞬态期间，当负载突 然增加时，输出电容向负载供电，直到控制环路有机会提 高电感电流，此电流可造成输出电压欠冲。 可使用以下公式计算达到压降要求所需的输出电容： 当占空比大于50%时，最小电感值可通过以下公式确定： COUT _ UV = VOUT × (1 − D ) 2 × f SW K UV × ∆I STE P 2 × L 2 × (VIN − VOUT )× ∆VOUT _ UV 其中： ΔISTEP为负载阶跃。 ΔVOUT_UV为容许的输出电压欠冲。 KUV为系数值，通常设置KUV = 2。 电感峰值电流可通过以下公式计算： ∆I L 2 电感的饱和电流必须大于峰值电感电流。对于具有快速饱 和特性的铁氧体磁芯电感，电感饱和电流额定值应该大于 开关的限流阈值，以防止电感达到饱和点。 另一种情况是负载突然从输出端移除，存储在电感中的能 量冲入输出电容，从而导致输出过冲。可通过以下公式计 算达到过冲要求所需的输出电容： 电感的RMS电流可通过以下公式计算： I RMS = I OUT 2 + ISAT [A] 10.5 9.25 7.8 6.4 5.4 10.5 8.4 7.38 6.46 5.94 13.3 10.5 8.0 7.5 输出电容选择 VOUT I PEAK = IOUT + 值 [µH] 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 1.8 3.0 4.7 6.2 COUT _ OV = ∆I L 2 12 建议使用屏蔽铁氧体磁芯材料，以实现低铁损、低EMI。 K OV × ∆I STEP 2 × L (VOUT + ∆VOUT _ OV ) 2 − VOUT 2 其中： ΔVOUT_OV为容许的输出电压过冲。 KOV为系数值，通常设置KOV = 2。 输出纹波由输出电容的ESR及其电容值决定。使用以下公 式选择能达到输出纹波要求的电容： COUT _ RIPPLE = R ESR = Rev. A | Page 20 of 32 ∆I L 8 × f SW × ∆VOUT _ RIPPLE ∆VOUT _ RIPPLE ∆I L ADP2323 其中： ΔVOUT_RIPPLE为容许的输出电压纹波。 RESR是该输出电容的等效串联电阻。 表10. 推荐的MOSFET 选择COUT_UV、COUT_OV和COUT_RIPPLE给定的最大输出电容，以 同时满足负载瞬态和输出纹波性能。 所选的输出电容电压额定值必须大于输出电压。输出电容 的最小电流有效值额定值可通过以下公式确定： ∆I L 12 产品型号 FDS8880 FDMS7578 FDS6898A Si4804CDY SiA430DJ AON7402 AO4884L VDS 30 V 25 V 20 V 30 V 20 V 30 V 40 V ID 10.7 A 14 A 9.4 A 7.9 A 10.8 A 39 A 10 A RDSON 12 mΩ 8 mΩ 14 mΩ 27 mΩ 18.5 mΩ 15 mΩ 16 mΩ Qg 12 nC 8 nC 16 nC 7 nC 5.3 nC 7.1 nC 13.6 nC 编程欠压闭锁输入 精密使能输入可用于编程欠压闭锁阈值和输入电压迟滞， 如图46所示。 低端功率器件选择 ADP2323集成了低端MOSFET驱动器，可用于驱动低端N 沟道MOSFET (NFET)。选择低端N沟道MOSFET会影响DC-DC 调节器性能。 PVINx RTOP_EN 选择的MOSFET必须满足以下要求： EN CMP ENx 1.2V RBOT_EN • 漏源电压(VDS)必须高于1.2 × VIN。 • 漏极电流(ID)必须大于1.2 × ILIMIT_MAX，其中ILIMIT_MAX为选 定的最大限流阈值。 ADP2323低端栅极驱动器电压为5 V。应确保选定的MOSFET 在5 V电压下可以完全开启。 1µA 图46. 编程欠压闭锁输入 RTOP_EN和RBOT_EN的计算公式如下： RTOP _ EN = 栅极电荷总量(Qg，5 V)必须少于30 nC。较低的Qg特性决 定较高的效率。 但高端MOSFET关断时，低端MOSFET承载电感电流。对 于低占空比应用而言，多数时候是低端MOSFET承载该电 流。要实现较高的效率，必须选择低导通电阻MOSFET。 低端MOSFET的功率导通损耗可通过以下公式计算： PFET_LOW = IOUT2 × RDSON × (1 − D) 4µA 09357-048 I COUT _ rms = 供应商 Fairchild Fairchild Fairchild Vishay Vishay AOS AOS RBOT _ EN = 1.1 V × VIN _ RISING − 1.2 V × VIN _ FALLING 1. 1 V × 5 − 1. 2 V × 1 1.2 V × RTOP _ EN VIN _ RISING − RTOP _ EN × 5 Α − 1.2 V 其中： VIN_RISING为VIN上升阈值。 VIN_FALLING为VIN下降阈值。 补偿器件设计 其中RDSON为低端MOSFET的导通电阻。 应确保MOSFET能够处理功率损耗造成的散热问题。 在某些情况下，效率对系统来说不是很关键；这时，可以 选择二极管作为低端功率器件。二极管的平均电流可通过 以下公式计算： IDIODE (AVG) = (1 − D) × IOUT 二极管的反向击穿电压额定值必须高于输入电压，并有一 定的裕量能够承受SWx节点上的响铃振荡。推荐采用肖特 基二极管，因为它正向压降低、开关速度快。 对于峰值电流模式控制，可将功率级简化为向输出电容和 负载电阻供应电流的压控电流源。它包括一个域极和输出电 容ESR造成的零点。控制到输出传递函数如下列公式所示：   s 1 +    2 f × π × VOUT (s) z   Gvd (s) = = AVI × R × VCOMP (s)   s 1 +   2× π× f p    如果二极管用于低端器件，则ADP2323必须通过将MODE 引脚接地来使能PFM模式。 fz = 1 2 × π × RESR × COUT fp = 1 2 × π × (R + R ESR ) × COUT 其中： AVI = 5 A/V R为负载电阻。 COUT为输出电容。 Rev. A | Page 21 of 32 ADP2323 RESR是该输出电容的等效串联电阻。 ADP2323对误差放大器使用跨导放大器来补偿该系统。图47 显示了简化的峰值电流模式控制小信号电路。 VOUT VOUT 以下设计准则说明对于陶瓷输出电容应用如何选择补偿器 件RC、CC和CCP。 1. 确定交叉频率(fC)。通常情况下，fC介于fSW/12和fSW/6之间。 2. RC的计算公式如下： RC = RTOP RBOT VCOMP – gm + + AVI COUT 3. 将补偿零点放置在域极(fP)处。CC可通过以下公式来确定： R RC CCP – RESR CC = 09357-049 CC 图47. 简化的峰值电流模式控制小信号电路 闭环传递公式如下所示： RBOT −gm × × RBOT + RTOP CC + CCP 1 + RC × CC × s  R ×C ×C  s × 1 + C C CP × s  C + C C CP   × Gvd (s) (R + RESR )× COUT RC 4. CCP是可选的。它可用于取消输出电容的ESR引起的零点。 CCP = 补偿器件RC和CC形成零点，可选的CCP和RC形成可选极点。 TV (s) = 2 × π × VOUT × COUT × f C 0.6 V × g m × AVI RESR × COUT RC ADP2323在COMPx引脚处内置一个10 pF电容；因此， 如果CCP小于10 pF，则无需外部电容。 Rev. A | Page 22 of 32 ADP2323 设计示例 此部分说明设计程序和器件选择，如图50所示；表11列出 了所需的设置。 峰峰值电感纹波电流的计算公式如下： ∆I L = 表11. 双降压DC-DC调节器要求 参数 通道1 输入电压 输出电压 输出电流 输出电压纹波 负载瞬变 通道2 输入电压 输出电压 输出电流 输出电压纹波 负载瞬变 开关频率 (VIN − VOUT ) × D L × f SW 技术规格 对于VOUT1 = 1.2 V，ΔIL1 = 0.98 A。对于VOUT2 = 3.3 V，ΔIL2 = 1.02 A。 VIN1 = 12.0 V ± 10% VOUT1 = 1.2 V IOUT1 = 3 A ∆VOUT1_RIPPLE = 12 mV ±5%，0.5 A至3A，1 A/μs 通过以下公式确定峰值电感电流： I PEAK = I OUT + ∆I L 2 对于1.2 V供电轨，峰值电感电流为3.49 A；对于3.3 V供电轨， 峰值电感电流为3.51 A。 VIN2 = 12.0 V ± 10% VOUT2 = 3.3 V IOUT2 = 3 A ∆VOUT2_RIPPLE = 33 mV ±5%，0.5 A至3 A，1 A/μs fSW = 500 kHz 输出电压设置 选择10 kΩ顶部反馈电阻(RTOP)；通过以下公式计算底部反 馈电阻：   0. 6  RBOT = RTOP ×    VOUT − 0.6  要将输出电压设置为1.2 V，电阻值为RTOP1 = 10 kΩ，RBOT1 = 10 kΩ。要将输出电压设置为3.3 V，电阻值为RTOP2 = 10 kΩ， RBOT2 = 2.21 kΩ。 限流设置 对于3 A输出工作电流而言，峰值限流典型值为4.8 A。在这 种情况下，不需要任何RILIM。 流经电感的RMS电流可通过以下公式进行估算： I RMS = I OUT 2 + 对于1.2 V和3.3 V而言，电感的RMS电流约为3.01 A。 对于1.2 V供电轨，选择最小电流有效值额定值为3.01 A、最 小饱和电流额定值为3.49 A的电感。对于3.3 V供电轨，选 择最小电流有效值额定值为3.01 A、最小饱和电流额定值为 3.51 A的电感。 基于这些要求，对于1.2 V供电轨，选择一个2.2 μH电感， 例如Sumida CDRH105RNP-2R2N，DCR = 7.2 mΩ；对于3.3 V 供电轨，选择一个4.7 μH电感，例如Sumida CDRH105RNP4R7N，DCR = 12.3 mΩ。 输出电容选择 输出电容需要达到输出电压纹波和负载瞬态要求。要满足 输出电压纹波要求，可使用以下公式计算ESR和电容： COUT _ RIPPLE = 频率设置 要将开关频率设置为500 kHz，请使用以下公式来计算电阻 值ROSC： 60,000 ROSC (kΩ ) = f SW (kHz ) ∆I L 2 12 RESR = ∆I L 8 × f SW × ∆VOUT _ RIPPLE ∆VOUT _ RIPPLE IL 对于VOUT1 = 1.2 V，COUT_RIPPLE1 = 20 μF且RESR1 = 12 mΩ。对于 VOUT2 = 3.3 V，COUT_RIPPLE2 = 7.7 μF且RESR2 = 32 mΩ。 因此，ROSC =100 kΩ。 要满足±5%的过冲和欠冲要求，可使用以下公式计算电容： 电感选择 将峰峰值电感纹波电流ΔIL设置为最大输出电流的30%。使 用以下公式估算电感值： (V − VOUT )× D L = IN ∆I L × f SW 对于VOUT1 = 1.2 V，电感L1 = 2.4 μH；对于VOUT2 = 3.3 V，电 感L2 = 5.3 μH。 对于1.2 V和3.3 V供电轨，选择标准电感值2.2 μH和4.7 μH。 COUT _ OV = K OV × ∆I STEP 2 × L (VOUT + ∆VOUT _ OV )2 − VOUT 2 COUT _UV = K UV × ∆I STEP 2 × L 2 × (VIN − VOUT ) × ∆VOUT _UV 估算时，使用K OV = K UV = 2。对于V OUT1 = 1.2 V，使用 COUT_OV1 = 191 μF，COUT_UV1 = 21 μF。对于VOUT2 = 3.3 V，使 用COUT_OV2 = 54 μF，COUT_UV2 = 20 μF。 Rev. A | Page 23 of 32 ADP2323 对于3.3 V供电轨，47 µF陶瓷输出电容值降至32 µF。 RC2 = 2 × π × 3.3 V × 2 × 32 0.6 V × 300 对于3.3 V供电轨，输出电容ESR应小于32 mΩ，输出电容应 大于54 μF。建议使用两个47 µF/X5R/6.3 V陶瓷电容，例如 Murata GRM32ER60J476ME20，ESR = 2 mΩ。 CC 2 = 低端MOSFET选择 CCP2 = 建议使用30 V的N沟道MOSFET，例如Fairchild FDS8880。 驱动器电压为4.5 V时，FDS8880的RDSON为12 mΩ，栅极电 荷总量为12 nC。 RC1 = CC 1 2 × π × 1.2 V × 3 × 64 0.6 V × 300 × 50 kHz × 5 A/V (0.4 Ω + 0.001 Ω)× 3 × 64 = CCP1 = 80.4 kΩ 0.001 Ω × 3 × 64 80.4 kΩ = 80.4 kΩ = 957 pF 144 36 108 24 72 12 36 0 0 –12 –36 –24 –72 –36 –108 –48 –144 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M –180 144 36 108 24 72 12 36 0 0 –12 –36 –24 –72 –36 –108 –48 –144 1M –180 CSS = × 3 ms I SS × TSS 3.5 = = 17.5 nF 0. 6 V 0. 6 V 选择一个标准器件值：CSS1 = CSS2 = 22 nF。 PHASE (Degrees) 48 软启动特性允许输出电压以受控方式缓慢提高，从而避免 软启动期间出现输出电压过冲现象，同时限制浪涌电流。 将软启动时间设置为3 ms。 输入电容选择 需要最小10 μF的陶瓷电容，放置在PVINx引脚附近。在此 应用中，建议使用一个10 µF、X5R、25 V陶瓷电容。 09357-148 MAGNITUDE (dB) 180 100k FREQUENCY (Hz) 180 48 软启动时间编程 60 10k = 1 pF 图49. 3.3 V供电轨波特图 = 2.4 pF 图48显示了3 A时的1.2 V供电轨波特图。交叉频率为49 kHz， 相位裕量为59°。 1k 73.7 kΩ 60 –60 选择标准器件，RC1 = 82 kΩ，CC1 = 1000 pF。无需CCP1。 –60 0.001 Ω × 2 × 32 = 956 pF 图49显示了3 A时的3.3 V供电轨波特图。交叉频率为59 kHz， 相位裕量为61°。 MAGNITUDE (dB) 对于1.2 V供电轨，100 μF陶瓷输出电容值降至64 μF。 73.7 kΩ 选择标准器件值：RC2 = 75 kΩ，CC2 = 1000 pF。无需CCP2。 补偿器件 为了获得更好的负载瞬态和稳定性能，应将交叉频率fC设 置为fSW/10。这种情况下，fSW的工作频率为500 kHz；因此， 将fC设置为50 kHz。 (1.1 Ω + 0.001 Ω)× 2 × 32 = 73.7 kΩ PHASE (Degrees) 对于高效率解决方案，选择低RDSON N沟道MOSFET。MOSFET 击穿电压应大于1.2 V × VIN，漏极电流应大于1.2 V × ILIMIT。 × 50 kHz × 5A/V 09357-149 对于1.2 V供电轨，输出电容ESR应小于12 mΩ，输出电容应 大于191 µF。建议使用三个100 µF/X5R/6.3 V陶瓷电容，例 如Murata GRM32ER60J107ME20，ESR = 2 mΩ。 图48. 1.2 V供电轨波特图 Rev. A | Page 24 of 32 ADP2323 外部器件推荐 表12. 3 A输出电流典型应用中推荐的外部器件 fSW (kHz) 300 600 1000 1 VIN (V) 12 12 12 12 12 12 12 5 5 5 5 5 5 12 12 12 12 12 5 5 5 5 5 5 12 12 12 12 5 5 5 5 5 5 VOUT (V) 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 1.5 1.8 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 1.8 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 L (µH) 3.3 4.7 4.7 4.7 6.8 10 10 3.3 3.3 3.3 4.7 4.7 4.7 2.2 3.3 3.3 4.7 4.7 1.5 1.5 2.2 2.2 2.2 2.2 1.5 2.2 2.2 3.3 1 1 1 1 1 1 COUT (µF) 1 330 330 330 2 × 100 100 + 47 100 + 47 100 330 330 330 2 × 100 100 + 47 100 2 × 100 100 + 47 2 × 47 2 × 47 47 2 × 100 2 × 100 100 + 47 2 × 47 2 × 47 2 × 47 100 47 47 47 2 × 100 100 + 47 2 × 47 2 × 47 47 47 RTOP (kΩ) 10 10 15 20 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 15 20 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 20 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 RBOT (kΩ) 15 10 10 10 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 10 10 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 10 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 RC (kΩ) 62 82 100 47 47 62 62 62 82 100 47 47 47 82 75 62 82 62 56 62 62 47 62 82 82 56 68 100 82 82 68 82 56 62 330 µF: 6.3 V, Sanyo 6TPD330M; 100 µF: 6.3 V, X5R, Murata GRM32ER60J107ME20; 47 µF:6.3 V, X5R, Murata GRM32ER60J476ME20. Rev. A | Page 25 of 32 CC (pF) 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 820 820 820 820 820 820 820 820 820 820 820 470 470 470 470 470 470 470 470 470 470 CCP (pF) 33 22 22 4.7 4.7 3.3 2.2 33 22 22 4.7 4.7 3.3 2.2 3.3 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 ADP2323 典型应用电路 RTOP1 10kΩ CDRV 1µF CIN1 10µF, 25V DL1 ADP2323 VOUT1 1.2V, 3A L1 2.2µH M1 FDS8880 COUT1 100µF COUT2 100µF COUT4 47µF COUT5 47µF COUT3 100µF PGND SW2 RTOP2 10kΩ CSS2 22nF M2 FDS8880 CBST2 0.1µF VOUT2 3.3V, 3A L2 4.7µH VIN 12V CIN2 10µF, 25V 09357-050 CC2 1000pF BST2 SS2 RC2 75kΩ PVIN2 RT EN2 DL2 COMP2 PGOOD2 PGOOD1 SYNC FB2 RBOT2 2.21kΩ CBST1 0.1µF SW1 GND ROSC 120kΩ BST1 EN1 PVIN1 CSS1 22nF SS1 COMP1 FB1 RC1 82kΩ INTVCC MODE SCFG TRK2 TRK1 VDRV CINT 1µF VIN 12V CC1 1000pF RBOT1 10kΩ 图50. 使用外部MOSFET应用，VIN1 = VIN2 = 12 V，VOUT1 = 1.2 V，IOUT1 = 3 A，VOUT2 = 3.3 V，IOUT2 = 3 A，fSW = 500 kHz CIN1 10µF, 25V RBOT2 2.21kΩ CSS2 22nF PVIN2 SS2 CC2 1.5nF EN2 DL2 RC2 47kΩ RTOP2 10kΩ BST1 PGND D1 B220A RILIM2 47k SW2 CIN2 10µF, 25V VOUT1 5V, 2A L1 8.2µH DL1 ADP2323 COMP2 RT FB2 ROSC 100k CBST1 0.1µF SW1 GND MODE PGOOD2 PGOOD1 SYNC PVIN1 SS1 CSS1 22nF BST2 CDRV 1µF COMP1 FB1 RC1 75kΩ INTVCC SCFG TRK2 TRK1 VDRV CINT 1µF VIN 12V CC1 1.2nF EN1 RBOT1 3kΩ CBST2 0.1µF D2 B220A L2 8.2µH COUT1 22µF COUT2 22µF COUT3 22µF COUT4 22µF VOUT2 3.3V, 1.5A VIN 12V 09357-051 RTOP1 22kΩ 图51. 使用外部二极管应用，VIN1 = VIN2 = 12 V，VOUT1 = 5 V，IOUT1 = 2 A，VOUT2 = 3.3 V，IOUT2 = 1.5 A，fSW = 600 kHz Rev. A | Page 26 of 32 ADP2323 RTOP1 20kΩ CC1 470pF RBOT1 10kΩ RC1 150kΩ VIN 12V CSS1 22nF CINT 1µF CDRV 1µF ADP2323 DL2 COUT1 100µF COUT2 100µF COUT3 100µF M2 FDS8880 SW2 SW2 BST2 PVIN2 PVIN2 SS2 EN2 TRK2 FB2 M1 FDS8880 PGND PGOOD2 GND VOUT1 1.8V, 6A L1 1µH DL1 MODE VDRV BST1 PVIN1 EN1 PVIN1 SS1 PGOOD1 SCFG SYNC INTVCC RT ROK2 100kΩ CBST1 0.1µF SW1 SW1 COMP2 ROSC 100kΩ TRK1 L2 1µH CBST2 0.1µF VIN 12V CIN2 10µF, 25V 09357-052 ROK1 100kΩ COMP1 FB1 CIN1 10µF, 25V 图52. 并联单一输出应用，VIN = 12 V，VOUT = 1.8 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz RTOP1 22kΩ L1 3.3µH M1 DL1 ADP2323 VOUT1 5V, 2A COUT1 22µF M1 FDS6898A PGND SS2 RC2 82kΩ RTOP2 10kΩ CC2 390pF CSS2 22nF PVIN2 SW2 EN2 RT COMP2 DL2 FB2 PGOOD2 PGOOD1 SYNC COUT2 100µF CBST2 0.1µF L2 1µH COUT3 100µF VOUT2 1.0V, 3A CIN2 10µF, 25V 图53. 级联电源应用，VIN1 = 12 V，VOUT1 = 5 V，IOUT1 = 2 A，VOUT2 = 1 V，IOUT2 = 3 A，fSW = 1.2 MHz Rev. A | Page 27 of 32 09357-053 RBOT2 15kΩ BST1 SS1 SW1 GND ROSC 50kΩ CBST1 0.1µF BST2 CDRV 1µF CIN1 10µF, 25V CSS1 22nF PVIN1 INTVCC MODE SCFG TRK2 TRK1 VDRV CINT 1µF COMP1 FB1 RC1 62kΩ EN1 RBOT1 3kΩ VIN 12V CC1 390pF ADP2323 RTOP1 20kΩ ADP2323 DL2 RTOP2 10kΩ CC2 820pF RTOP3 20kΩ COUT3 47µF COUT4 47µF BST2 PVIN2 EN2 VOUT2 3.3V, 3A L2 4.7µH CIN1 10µF, 25V BST1 PVIN1 CSS3 22nF DL1 ADP2323 CBST3 0.1µF VOUT3 1.8V, 3A L3 3.3µH M3 FDS8880 COUT5 100µF COUT6 47µF COUT7 47µF COUT8 47µF PGND CSS4 22nF SW2 BST2 PVIN2 M4 FDS8880 CIN4 10µF, 25V CBST4 0.1µF L4 4.7µH VOUT4 3.3V, 3A VIN 12V 09357-054 CC4 820pF EN2 COMP2 DL2 RC4 82kΩ RTOP4 10kΩ COUT2 47µF VIN 12V SS1 COMP1 FB1 RBOT4 2.21kΩ COUT1 100µF VIN 12V CIN2 10µF, 25V INTVCC MODE TRK2 TRK1 VDRV RT M2 FDS8880 CBST2 0.1µF SW1 FB2 ROSC2 120kΩ M1 FDS8880 SW2 SCFG GND PGOOD2 PGOOD1 SYNC L1 3.3µH CC3 820pF RC3 75kΩ SYNC CDRV2 1µF CSS2 22nF EN1 RBOT3 10kΩ CINT2 1µF SS2 COMP2 FB2 RC2 82kΩ SS2 RBOT2 2.21kΩ VOUT1 1.8V, 3A PGND PGOOD2 PGOOD1 RT BST1 EN1 DL1 GND ROSC1 100kΩ CBST1 0.1µF SW1 SCFG INTVCC MODE TRK2 TRK1 VDRV CDRV1 1µF CIN1 10µF, 25V CSS1 22nF SS1 COMP1 FB1 RC1 75kΩ SYNC CINT1 1µF VIN 12V CC1 820pF PVIN1 RBOT1 10kΩ 图54. 利用每个通道之间的90°相移实现同步 Rev. A | Page 28 of 32 ADP2323 RTOP1 15kΩ RC1 68kΩ M1 FDS8880 COUT1 47µF COUT2 47µF COUT4 47µF COUT5 47µF COUT3 47µF PGND RC2 75kΩ RTOP2 47.5kΩ CSS2 22nF BST2 CBST2 0.1µF VOUT2 2.5V, 3A L2 3.3µH VIN 9V CIN2 10µF, 25V 09357-055 CC2 820pF M2 FDS8880 SW2 PVIN2 FB2 SS2 COMP2 RT EN2 DL2 PGOOD2 PGOOD1 SYNC RBOT2 15kΩ BST1 EN1 PVIN1 SS1 ADP2323 VOUT1 1.5V, 3A L1 2.2µH DL1 GND MODE ROSC 100kΩ CBST1 0.1µF SW1 TRK1 VDRV CDRV 1µF CIN1 10µF, 25V CSS1 22nF COMP1 FB1 INTVCC SCFG TRK2 CINT 1µF VIN 9V CC1 820pF RBOT1 10kΩ 图55. 通过将MODE引脚拉至地面来使能PFM模式，VIN1 = VIN2 = 9 V，VOUT1 = 1.5 V，IOUT1 = 3 A，VOUT2 = 2.5 V，IOUT2 = 3 A，fSW = 600 kHz REN_BOT REN_TOP 68kΩ 330kΩ RTOP1 10kΩ CINT 1µF CDRV 1µF EN1 PVIN1 BST1 CSS1 22nF SS1 COMP1 RC1 100k FB1 RPGOOD1 100kΩ CIN1 10µF, 25V CC1 1500pF RBOT1 2.21kΩ SYNC PGOOD2 PGOOD1 VIN 12V SW1 INTVCC MODE SCFG TRK2 TRK1 VDRV DL1 ADP2323 DL2 CC2 1500pF CSS2 22nF M1 FDS8880 M2 FDS8880 SW2 BST2 PVIN2 EN2 SS2 COMP2 FB2 RC2 51kΩ RTOP2 20kΩ L1 8.2µH COUT1 100µF COUT2 100µF COUT3 100µF COUT4 100µF CIN2 10µF, 25V CBST2 0.1µF L2 5.6µH VOUT2 1.8V, 3A VIN 12V 09357-056 RBOT2 10kΩ RT VOUT1 3.3V, 3A PGND GND ROSC 200kΩ CBST1 0.1µF 图56. 可编程VIN_RISING = 8.7 V，VIN_FALLING = 6.7 V，3.3 V启动后1.8 V，VIN1 = VIN2 = 12 V，VOUT1 = 3.3 V，IOUT1 = 3 A，VOUT2 = 1.8 V，IOUT2 = 3 A，fSW = 300 kHz Rev. A | Page 29 of 32 ADP2323 RTOP1 47.5kΩ RC1 68kΩ CIN1 10µF, 25V EN1 SS1 CSS1 22nF PGOOD2 BST1 TRK2 COMP1 FB1 RTRK_TOP 47.5kΩ RTRK_BOT 15kΩ VIN 12V CC1 1000pF PVIN1 RBOT1 15kΩ SW1 PGOOD1 SYNC INTVCC CINT 1µF CBST1 0.1µF DL1 ADP2323 TRK2 VOUT1 2.5V, 3A L1 4.7µH M1 FDS8880 COUT1 47µF COUT2 47µF COUT3 100µF COUT4 100µF PGND MODE SCFG M2 FDS8880 RBOT2 12kΩ RC2 58kΩ RTOP2 13kΩ CC2 1000pF SW2 BST2 PVIN2 EN2 SS2 RT FB2 ROSC 120kΩ COMP2 GND CSS2 10nF CIN2 10µF, 25V CBST2 0.1µF L2 2.2µH VOUT2 1.25V, 3A VIN 12V 09357-057 DL2 VDRV CDRV 1µF 图57. 通道1与通道2跟踪，VIN1 = VIN2 = 12 V，VOUT1 = 2.5 V，IOUT1 = 3 A，VOUT2 = 1.25 V，IOUT2 = 3 A，fSW = 500 kHz Rev. A | Page 30 of 32 ADP2323 外形尺寸 0.30 0.25 0.18 32 25 0.50 BSC TOP VIEW 0.80 0.75 0.70 SEATING PLANE 3.25 3.10 SQ 2.95 EXPOSED PAD 8 17 0.50 0.40 0.30 16 0.05 MAX 0.02 NOM COPLANARITY 0.08 0.20 REF PIN 1 INDICATOR 1 24 9 BOTTOM VIEW 0.25 MIN FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WHHD. 112408-A PIN 1 INDICATOR 5.10 5.00 SQ 4.90 图58. 32引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WQ] 5 mm × 5 mm超薄四方体 (CP-32-7) 图示尺寸单位：mm 订购指南 型号1 ADP2323ACPZ-R7 ADP2323-EVALZ 1 温度范围 −40°C至+125°C 输出电压 可调 Z = 符合RoHS标准的器件。 Rev. A | Page 31 of 32 封装描述 32引脚LFCSP_WQ 评估板 封装选项 CP-32-7 ADP2323 注释 ©2011–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D09357sc-0-6/12(A) Rev. A | Page 32 of 32